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Formule Réduction de tension de seuil de canal court VLSI

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La réduction de tension de seuil de canal court est définie comme une réduction de la tension de seuil du MOSFET en raison de l'effet de canal court. Vérifiez FAQs

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

ΔV_T0 - Réduction de tension de seuil de canal court?N_A - Concentration d'accepteur?Φ_s - Potentiel des surfaces?x_j - Profondeur de jonction?C_oxide - Capacité d'oxyde par unité de surface?L - Longueur du canal?x_dS - Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source?x_dD - Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain?[Charge-e] - Charge d'électron?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide?

Exemple Réduction de tension de seuil de canal court VLSI

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Réduction de tension de seuil de canal court VLSI avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Réduction de tension de seuil de canal court VLSI avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Réduction de tension de seuil de canal court VLSI.

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

0.4672V = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

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Réduction de tension de seuil de canal court VLSI Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Réduction de tension de seuil de canal court VLSI ?

Premier pas Considérez la formule

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

L'étape suivante Convertir des unités

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+221/m³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2E-6m}{0.0007F/m² \cdot 2 \cdot 2.5E-6m} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7m}{2E-6m}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7m}{2E-6m}} - 1))

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+22 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2E-6}{0.0007 \cdot 2 \cdot 2.5E-6} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7}{2E-6}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7}{2E-6}} - 1))

L'étape suivante Évaluer

∴

ΔV T0 = 0.467200582407994V

Dernière étape Réponse arrondie

∴

ΔV T0 = 0.4672V

Réduction de tension de seuil de canal court VLSI Formule Éléments

Variables

Constantes

Les fonctions

Réduction de tension de seuil de canal court

La réduction de tension de seuil de canal court est définie comme une réduction de la tension de seuil du MOSFET en raison de l'effet de canal court.

Symbole: ΔV_T0

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Réduction de tension de seuil de canal court

Concentration d'accepteur

La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.

Symbole: N_A

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration d'accepteur

Potentiel des surfaces

Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.

Symbole: Φ_s

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Potentiel des surfaces

Profondeur de jonction

La profondeur de jonction est définie comme la distance entre la surface d'un matériau semi-conducteur et le point où se produit un changement significatif dans la concentration d'atomes dopants.

Symbole: x_j

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Profondeur de jonction

Capacité d'oxyde par unité de surface

La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.

Symbole: C_oxide

La mesure: Capacité d'oxyde par unité de surfaceUnité: μF/cm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité d'oxyde par unité de surface

Longueur du canal

La longueur du canal fait référence à la longueur physique du matériau semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.

Symbole: L

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Longueur du canal

Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source

La profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec source est définie comme la région autour d'une jonction pn où les porteurs de charge ont été épuisés en raison de la formation d'un champ électrique.

Symbole: x_dS

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source

Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain

La profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec drain est définie comme l'extension de la région d'appauvrissement dans le matériau semi-conducteur près de la borne de drain.

Symbole: x_dD

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

Permittivité du silicium

La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.

Symbole: [Permitivity-silicon]

Valeur: 11.7

Permittivité du vide

La permittivité du vide est une constante physique fondamentale qui décrit la capacité du vide à permettre la transmission de lignes de champ électrique.

Symbole: [Permitivity-vacuum]

Valeur: 8.85E-12 F/m

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

abs

La valeur absolue d'un nombre est sa distance par rapport à zéro sur la droite numérique. C'est toujours une valeur positive, car elle représente la grandeur d'un nombre sans tenir compte de sa direction.

Syntaxe: abs(Number)

Autres formules dans la catégorie Optimisation des matériaux VLSI

va Coefficient d'effet corporel

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Charge de canal

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Réduction de tension de seuil de canal court VLSI ?

L'évaluateur Réduction de tension de seuil de canal court VLSI utilise Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))*Profondeur de jonction)/(Capacité d'oxyde par unité de surface*2*Longueur du canal)*((sqrt(1+(2*Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source)/Profondeur de jonction)-1)+(sqrt(1+(2*Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain)/Profondeur de jonction)-1)) pour évaluer Réduction de tension de seuil de canal court, La formule VLSI de réduction de tension de seuil de canal court est définie comme une réduction de la tension de seuil du MOSFET en raison de l'effet de canal court. Réduction de tension de seuil de canal court est désigné par le symbole ΔV_T0.

Comment évaluer Réduction de tension de seuil de canal court VLSI à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Réduction de tension de seuil de canal court VLSI, saisissez Concentration d'accepteur (N_A), Potentiel des surfaces (Φ_s), Profondeur de jonction (x_j), Capacité d'oxyde par unité de surface (C_oxide), Longueur du canal (L), Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source (x_dS) & Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain (x_dD) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Réduction de tension de seuil de canal court VLSI

Quelle est la formule pour trouver Réduction de tension de seuil de canal court VLSI ?

La formule de Réduction de tension de seuil de canal court VLSI est exprimée sous la forme Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))*Profondeur de jonction)/(Capacité d'oxyde par unité de surface*2*Longueur du canal)*((sqrt(1+(2*Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source)/Profondeur de jonction)-1)+(sqrt(1+(2*Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain)/Profondeur de jonction)-1)). Voici un exemple : 0.467201 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*1E+22*abs(2*6.86))*2E-06)/(0.000703*2*2.5E-06)*((sqrt(1+(2*3.14E-07)/2E-06)-1)+(sqrt(1+(2*5.34E-07)/2E-06)-1)).

Comment calculer Réduction de tension de seuil de canal court VLSI ?

Avec Concentration d'accepteur (N_A), Potentiel des surfaces (Φ_s), Profondeur de jonction (x_j), Capacité d'oxyde par unité de surface (C_oxide), Longueur du canal (L), Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source (x_dS) & Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain (x_dD), nous pouvons trouver Réduction de tension de seuil de canal court VLSI en utilisant la formule - Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))*Profondeur de jonction)/(Capacité d'oxyde par unité de surface*2*Longueur du canal)*((sqrt(1+(2*Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source)/Profondeur de jonction)-1)+(sqrt(1+(2*Profondeur d'épuisement de la jonction Pn avec drain)/Profondeur de jonction)-1)). Cette formule utilise également les fonctions Charge d'électron, Permittivité du silicium, Permittivité du vide constante(s) et , Fonction racine carrée, Absolu.

Le Réduction de tension de seuil de canal court VLSI peut-il être négatif ?

Non, le Réduction de tension de seuil de canal court VLSI, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Réduction de tension de seuil de canal court VLSI ?

Réduction de tension de seuil de canal court VLSI est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Réduction de tension de seuil de canal court VLSI peut être mesuré.

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Formule Réduction de tension de seuil de canal court VLSI

Exemple Réduction de tension de seuil de canal court VLSI

Réduction de tension de seuil de canal court VLSI Solution

Réduction de tension de seuil de canal court VLSI Formule Éléments

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Variable Name