FormulaDen.com

La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Profondeur d'épuisement maximale

Fx Copie

LaTeX Copie

La profondeur d'appauvrissement maximale fait référence à l'étendue maximale selon laquelle la région d'appauvrissement s'étend dans le matériau semi-conducteur du dispositif dans certaines conditions de fonctionnement. Vérifiez FAQs

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dm - Profondeur d'épuisement maximale?Φ_f - Potentiel Fermi en vrac?N_A - Concentration dopante de l'accepteur?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?[Charge-e] - Charge d'électron?

Exemple Profondeur d'épuisement maximale

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Profondeur d'épuisement maximale avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Profondeur d'épuisement maximale avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Profondeur d'épuisement maximale.

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.4E+6m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Calculer

Recalculer

Solution

Copie

Réinitialiser

Tu es là -

Maison » Category

Ingénierie » Category

Électronique » Category

Électronique analogique » fx Profondeur d'épuisement maximale

Profondeur d'épuisement maximale Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Profondeur d'épuisement maximale ?

Premier pas Considérez la formule

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

L'étape suivante Évaluer

∴

x dm = 7437907.45302539m

Dernière étape Réponse arrondie

∴

x dm = 7.4E+6m

Profondeur d'épuisement maximale Formule Éléments

Variables

Constantes

Les fonctions

Profondeur d'épuisement maximale

Symbole: x_dm

La mesure: LongueurUnité: m

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Profondeur d'épuisement maximale

Potentiel Fermi en vrac

Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.

Symbole: Φ_f

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Potentiel Fermi en vrac

Concentration dopante de l'accepteur

La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.

Symbole: N_A

La mesure: Densité d'électronUnité: electrons/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration dopante de l'accepteur

Permittivité du silicium

La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.

Symbole: [Permitivity-silicon]

Valeur: 11.7

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

modulus

Le module d'un nombre est le reste lorsque ce nombre est divisé par un autre nombre.

Syntaxe: modulus

Autres formules dans la catégorie Transistors MOS

va Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

C jsw = C j0sw \cdot x j

va Capacité équivalente à grande jonction de signal

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

va Potentiel de Fermi pour le type P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

va Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Profondeur d'épuisement maximale ?

L'évaluateur Profondeur d'épuisement maximale utilise Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potentiel Fermi en vrac))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur)) pour évaluer Profondeur d'épuisement maximale, La formule de profondeur d'appauvrissement maximale est définie comme l'étendue maximale selon laquelle la région d'appauvrissement s'étend dans le matériau semi-conducteur du dispositif dans certaines conditions de fonctionnement. Profondeur d'épuisement maximale est désigné par le symbole x_dm.

Comment évaluer Profondeur d'épuisement maximale à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Profondeur d'épuisement maximale, saisissez Potentiel Fermi en vrac (Φ_f) & Concentration dopante de l'accepteur (N_A) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Profondeur d'épuisement maximale

Quelle est la formule pour trouver Profondeur d'épuisement maximale ?

La formule de Profondeur d'épuisement maximale est exprimée sous la forme Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potentiel Fermi en vrac))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur)). Voici un exemple : 7.4E+6 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000)).

Comment calculer Profondeur d'épuisement maximale ?

Avec Potentiel Fermi en vrac (Φ_f) & Concentration dopante de l'accepteur (N_A), nous pouvons trouver Profondeur d'épuisement maximale en utilisant la formule - Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potentiel Fermi en vrac))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur)). Cette formule utilise également les fonctions Permittivité du silicium, Charge d'électron constante(s) et , Racine carrée (sqrt), Module (module).

Le Profondeur d'épuisement maximale peut-il être négatif ?

Non, le Profondeur d'épuisement maximale, mesuré dans Longueur ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Profondeur d'épuisement maximale ?

Profondeur d'épuisement maximale est généralement mesuré à l'aide de Mètre[m] pour Longueur. Millimètre[m], Kilomètre[m], Décimètre[m] sont les quelques autres unités dans lesquelles Profondeur d'épuisement maximale peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valeur
: Unité

Formule Profondeur d'épuisement maximale

Exemple Profondeur d'épuisement maximale

Profondeur d'épuisement maximale Solution

Profondeur d'épuisement maximale Formule Éléments

Autres formules dans la catégorie Transistors MOS

Comment évaluer Profondeur d'épuisement maximale ?

FAQs sur Profondeur d'épuisement maximale

Variable Name