Formule Profondeur de la région d'épuisement associée au drain

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La région de profondeur de déplétion du drain est la région de déplétion qui se forme près de la borne de drain lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille. Vérifiez FAQs
xdD=2[Permitivity-silicon](Φo+VDS)[Charge-e]NA
xdD - Profondeur de la région d'épuisement du drain?Φo - Potentiel de jonction intégré?VDS - Tension de source de drain?NA - Concentration dopante de l'accepteur?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?[Charge-e] - Charge d'électron?

Exemple Profondeur de la région d'épuisement associée au drain

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Profondeur de la région d'épuisement associée au drain avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Profondeur de la région d'épuisement associée au drain avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Profondeur de la région d'épuisement associée au drain.

7.2E+7Edit=211.7(2Edit+45Edit)1.6E-191.32Edit
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Profondeur de la région d'épuisement associée au drain Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Profondeur de la région d'épuisement associée au drain ?

Premier pas Considérez la formule
xdD=2[Permitivity-silicon](Φo+VDS)[Charge-e]NA
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
xdD=2[Permitivity-silicon](2V+45V)[Charge-e]1.32electrons/cm³
L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes
xdD=211.7(2V+45V)1.6E-19C1.32electrons/cm³
L'étape suivante Convertir des unités
xdD=211.7(2V+45V)1.6E-19C1.3E+6electrons/m³
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
xdD=211.7(2+45)1.6E-191.3E+6
L'étape suivante Évaluer
xdD=72113188.282716m
Dernière étape Réponse arrondie
xdD=7.2E+7m

Profondeur de la région d'épuisement associée au drain Formule Éléments

Variables
Constantes
Les fonctions
Profondeur de la région d'épuisement du drain
La région de profondeur de déplétion du drain est la région de déplétion qui se forme près de la borne de drain lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille.
Symbole: xdD
La mesure: LongueurUnité: m
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Potentiel de jonction intégré
Le potentiel de jonction intégré fait référence à la différence de potentiel ou à la tension qui existe aux bornes d'une jonction semi-conductrice lorsqu'elle n'est pas connectée à une source de tension externe.
Symbole: Φo
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de source de drain
La tension source de drain est la tension appliquée entre le drain et la borne source.
Symbole: VDS
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Concentration dopante de l'accepteur
La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Symbole: NA
La mesure: Densité d'électronUnité: electrons/cm³
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Permittivité du silicium
La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.
Symbole: [Permitivity-silicon]
Valeur: 11.7
Charge d'électron
La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.
Symbole: [Charge-e]
Valeur: 1.60217662E-19 C
sqrt
Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Transistors MOS

​va Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
Cjsw=Cj0swxj
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Ceq(sw)=PCjswKeq(sw)
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Comment évaluer Profondeur de la région d'épuisement associée au drain ?

L'évaluateur Profondeur de la région d'épuisement associée au drain utilise Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potentiel de jonction intégré+Tension de source de drain))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur)) pour évaluer Profondeur de la région d'épuisement du drain, La formule de profondeur de région d'appauvrissement associée au drain est définie comme la région d'appauvrissement qui se forme près de la borne de drain lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille. Profondeur de la région d'épuisement du drain est désigné par le symbole xdD.

Comment évaluer Profondeur de la région d'épuisement associée au drain à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Profondeur de la région d'épuisement associée au drain, saisissez Potentiel de jonction intégré o), Tension de source de drain (VDS) & Concentration dopante de l'accepteur (NA) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Profondeur de la région d'épuisement associée au drain

Quelle est la formule pour trouver Profondeur de la région d'épuisement associée au drain ?
La formule de Profondeur de la région d'épuisement associée au drain est exprimée sous la forme Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potentiel de jonction intégré+Tension de source de drain))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur)). Voici un exemple : 1.6E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(2+45))/([Charge-e]*1320000)).
Comment calculer Profondeur de la région d'épuisement associée au drain ?
Avec Potentiel de jonction intégré o), Tension de source de drain (VDS) & Concentration dopante de l'accepteur (NA), nous pouvons trouver Profondeur de la région d'épuisement associée au drain en utilisant la formule - Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potentiel de jonction intégré+Tension de source de drain))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur)). Cette formule utilise également les fonctions Permittivité du silicium, Charge d'électron constante(s) et Racine carrée (sqrt).
Le Profondeur de la région d'épuisement associée au drain peut-il être négatif ?
Non, le Profondeur de la région d'épuisement associée au drain, mesuré dans Longueur ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Profondeur de la région d'épuisement associée au drain ?
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain est généralement mesuré à l'aide de Mètre[m] pour Longueur. Millimètre[m], Kilomètre[m], Décimètre[m] sont les quelques autres unités dans lesquelles Profondeur de la région d'épuisement associée au drain peut être mesuré.
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