Fx Copie
LaTeX Copie
Le courant de drain 1 est le courant qui circule entre le drain et les bornes de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques. Vérifiez FAQs
Id1=Ib2+IbVovVid2
Id1 - Courant de drain 1?Ib - Courant de polarisation CC?Vov - Tension de surmultiplication?Vid - Signal d'entrée différentiel?

Exemple Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication.

497.2356Edit=985Edit2+985Edit3.12Edit0.03Edit2

Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?

Premier pas Considérez la formule
Id1=Ib2+IbVovVid2
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
Id1=985mA2+985mA3.12V0.03V2
L'étape suivante Convertir des unités
Id1=0.985A2+0.985A3.12V0.03V2
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
Id1=0.9852+0.9853.120.032
L'étape suivante Évaluer
Id1=0.497235576923077A
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
Id1=497.235576923077mA
Dernière étape Réponse arrondie
Id1=497.2356mA

Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Formule Éléments

Variables
Courant de drain 1
Le courant de drain 1 est le courant qui circule entre le drain et les bornes de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
Symbole: Id1
La mesure: Courant électriqueUnité: mA
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Courant de polarisation CC
Le courant de polarisation CC est le courant constant qui circule dans un circuit ou un appareil pour établir un certain point de fonctionnement ou point de polarisation.
Symbole: Ib
La mesure: Courant électriqueUnité: mA
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de surmultiplication
La tension de surcharge est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.
Symbole: Vov
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Signal d'entrée différentiel
Un signal d'entrée différentiel fait référence à un type de signal électrique composé de deux signaux de tension distincts, chacun mesuré par rapport à un point de référence commun, généralement appelé la masse.
Symbole: Vid
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur peut être positive ou négative.

Autres formules pour trouver Courant de drain 1

​va Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal
Id1=Ib2+IbVovVid21-Vid24Vov2

Autres formules dans la catégorie Actuel

​va Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal
Id2=Ib2-IbVovVid21-(Vid)24Vov2
​va Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication
id=(IbVov)(Vid2)
​va Deuxième courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication
Id2=Ib2-IbVovVid2
​va Courant dans la réjection en mode commun du MOSFET
It=vicm(1gm)+(2Rout)

Comment évaluer Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?

L'évaluateur Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication utilise Drain Current 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2 pour évaluer Courant de drain 1, Le premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal compte tenu de la formule de tension de surcharge indique la capacité de conduction de courant de la puce de silicium ; il peut être utilisé comme guide lors de la comparaison de différents appareils. Cependant, le courant de drain maximal nominal ne doit pas être autorisé à circuler vers la puce. Courant de drain 1 est désigné par le symbole Id1.

Comment évaluer Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication, saisissez Courant de polarisation CC (Ib), Tension de surmultiplication (Vov) & Signal d'entrée différentiel (Vid) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Quelle est la formule pour trouver Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?
La formule de Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication est exprimée sous la forme Drain Current 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2. Voici un exemple : 497235.6 = 0.985/2+0.985/3.12*0.03/2.
Comment calculer Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?
Avec Courant de polarisation CC (Ib), Tension de surmultiplication (Vov) & Signal d'entrée différentiel (Vid), nous pouvons trouver Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication en utilisant la formule - Drain Current 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2.
Quelles sont les autres façons de calculer Courant de drain 1 ?
Voici les différentes façons de calculer Courant de drain 1-
  • Drain Current 1=DC Bias Current/2+DC Bias Current/Overdrive Voltage*Differential Input Signal/2*sqrt(1-Differential Input Signal^2/(4*Overdrive Voltage^2))OpenImg
Le Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication peut-il être négatif ?
Oui, le Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication, mesuré dans Courant électrique peut, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?
Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication peut être mesuré.
Copied!