FormulaDen.com

La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Potentiel intégré dans la région d’épuisement

Fx Copie

LaTeX Copie

La tension intégrée est une tension caractéristique qui existe aux bornes d’un dispositif semi-conducteur. Vérifiez FAQs

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Φ_B0 - Tension intégrée?N_A - Concentration dopante de l'accepteur?Φ_f - Potentiel Fermi en vrac?[Charge-e] - Charge d'électron?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?

Exemple Potentiel intégré dans la région d’épuisement

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Potentiel intégré dans la région d’épuisement avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Potentiel intégré dans la région d’épuisement avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Potentiel intégré dans la région d’épuisement.

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

-1.6E-6V = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Calculer

Recalculer

Solution

Copie

Réinitialiser

Tu es là -

Maison » Category

Ingénierie » Category

Électronique » Category

Électronique analogique » fx Potentiel intégré dans la région d’épuisement

Potentiel intégré dans la région d’épuisement Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Potentiel intégré dans la région d’épuisement ?

Premier pas Considérez la formule

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

L'étape suivante Convertir des unités

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

L'étape suivante Évaluer

∴

Φ B0 = -1.57302306783086E-06V

Dernière étape Réponse arrondie

∴

Φ B0 = -1.6E-6V

Potentiel intégré dans la région d’épuisement Formule Éléments

Variables

Constantes

Les fonctions

Tension intégrée

La tension intégrée est une tension caractéristique qui existe aux bornes d’un dispositif semi-conducteur.

Symbole: Φ_B0

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension intégrée

Concentration dopante de l'accepteur

La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.

Symbole: N_A

La mesure: Densité d'électronUnité: electrons/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration dopante de l'accepteur

Potentiel Fermi en vrac

Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.

Symbole: Φ_f

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Potentiel Fermi en vrac

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

Permittivité du silicium

La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.

Symbole: [Permitivity-silicon]

Valeur: 11.7

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

modulus

Le module d'un nombre est le reste lorsque ce nombre est divisé par un autre nombre.

Syntaxe: modulus

Autres formules dans la catégorie Transistors MOS

va Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

C jsw = C j0sw \cdot x j

va Capacité équivalente à grande jonction de signal

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

va Potentiel de Fermi pour le type P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

va Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Potentiel intégré dans la région d’épuisement ?

L'évaluateur Potentiel intégré dans la région d’épuisement utilise Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(-2*Potentiel Fermi en vrac))) pour évaluer Tension intégrée, La formule du potentiel intégré dans la région d'épuisement est définie comme la tension établie aux bornes de cette région appauvrie lorsque la jonction pn est en équilibre thermique. Tension intégrée est désigné par le symbole Φ_B0.

Comment évaluer Potentiel intégré dans la région d’épuisement à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Potentiel intégré dans la région d’épuisement, saisissez Concentration dopante de l'accepteur (N_A) & Potentiel Fermi en vrac (Φ_f) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Potentiel intégré dans la région d’épuisement

Quelle est la formule pour trouver Potentiel intégré dans la région d’épuisement ?

La formule de Potentiel intégré dans la région d’épuisement est exprimée sous la forme Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(-2*Potentiel Fermi en vrac))). Voici un exemple : -1.6E-6 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25))).

Comment calculer Potentiel intégré dans la région d’épuisement ?

Avec Concentration dopante de l'accepteur (N_A) & Potentiel Fermi en vrac (Φ_f), nous pouvons trouver Potentiel intégré dans la région d’épuisement en utilisant la formule - Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(-2*Potentiel Fermi en vrac))). Cette formule utilise également les fonctions Charge d'électron, Permittivité du silicium constante(s) et , Racine carrée (sqrt), Module (module).

Le Potentiel intégré dans la région d’épuisement peut-il être négatif ?

Oui, le Potentiel intégré dans la région d’épuisement, mesuré dans Potentiel électrique peut, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Potentiel intégré dans la région d’épuisement ?

Potentiel intégré dans la région d’épuisement est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Potentiel intégré dans la région d’épuisement peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valeur
: Unité