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Formule Porte NAND de tension XOR

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XOR Tension Nand Gate est la tension dans la direction X dans la porte NAND. Vérifiez FAQs

V x = \frac{C y \cdot V bc}{C x + C y}

V_x - Porte NAND de tension XOR?C_y - Capacité 2?V_bc - Tension du collecteur de base?C_x - Capacité 1?

Exemple Porte NAND de tension XOR

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Porte NAND de tension XOR avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Porte NAND de tension XOR avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Porte NAND de tension XOR.

0.882 = \frac{3.1 \cdot 2.02}{4 + 3.1}

0.882V = \frac{3.1mF \cdot 2.02V}{4mF + 3.1mF}

0.882 = \frac{3.1 \cdot 2.02}{4 + 3.1}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

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Conception et applications CMOS » fx Porte NAND de tension XOR

Porte NAND de tension XOR Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Porte NAND de tension XOR ?

Premier pas Considérez la formule

V x = \frac{C y \cdot V bc}{C x + C y}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

V x = \frac{3.1mF \cdot 2.02V}{4mF + 3.1mF}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

V x = \frac{0.0031F \cdot 2.02V}{0.004F + 0.0031F}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

V x = \frac{0.0031 \cdot 2.02}{0.004 + 0.0031}

L'étape suivante Évaluer

∴

V x = 0.881971830985915V

Dernière étape Réponse arrondie

∴

V x = 0.882V

Porte NAND de tension XOR Formule Éléments

Variables

Porte NAND de tension XOR

XOR Tension Nand Gate est la tension dans la direction X dans la porte NAND.

Symbole: V_x

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Porte NAND de tension XOR

Capacité 2

La capacité 2 est exprimée comme le rapport entre la charge électrique de chaque conducteur et la différence de potentiel (c'est-à-dire la tension) entre eux.

Symbole: C_y

La mesure: CapacitanceUnité: mF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité 2

Tension du collecteur de base

La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu'il est dans son état actif.

Symbole: V_bc

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension du collecteur de base

Capacité 1

La capacité 1 est exprimée comme le rapport entre la charge électrique de chaque conducteur et la différence de potentiel (c'est-à-dire la tension) entre eux.

Symbole: C_x

La mesure: CapacitanceUnité: mF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité 1

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va Temps d'ouverture pour une entrée croissante

t ar = T setup1 + T hold0

va Temps d'ouverture pour une entrée descendante

t af = T setup0 + T hold1

va Temps de configuration à logique haute

T setup1 = t ar - T hold0

va Temps de configuration à basse logique

T setup0 = t af - T hold1

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Comment évaluer Porte NAND de tension XOR ?

L'évaluateur Porte NAND de tension XOR utilise XOR Voltage Nand Gate = (Capacité 2*Tension du collecteur de base)/(Capacité 1+Capacité 2) pour évaluer Porte NAND de tension XOR, La formule de la porte NAND de tension XOR est définie comme la tension à la porte NAND dans la direction x de la porte logique. Porte NAND de tension XOR est désigné par le symbole V_x.

Comment évaluer Porte NAND de tension XOR à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Porte NAND de tension XOR, saisissez Capacité 2 (C_y), Tension du collecteur de base (V_bc) & Capacité 1 (C_x) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Porte NAND de tension XOR

Quelle est la formule pour trouver Porte NAND de tension XOR ?

La formule de Porte NAND de tension XOR est exprimée sous la forme XOR Voltage Nand Gate = (Capacité 2*Tension du collecteur de base)/(Capacité 1+Capacité 2). Voici un exemple : 0.881972 = (0.0031*2.02)/(0.004+0.0031).

Comment calculer Porte NAND de tension XOR ?

Avec Capacité 2 (C_y), Tension du collecteur de base (V_bc) & Capacité 1 (C_x), nous pouvons trouver Porte NAND de tension XOR en utilisant la formule - XOR Voltage Nand Gate = (Capacité 2*Tension du collecteur de base)/(Capacité 1+Capacité 2).

Le Porte NAND de tension XOR peut-il être négatif ?

Non, le Porte NAND de tension XOR, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Porte NAND de tension XOR ?

Porte NAND de tension XOR est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Porte NAND de tension XOR peut être mesuré.

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