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Formule Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

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Le paramètre d'effet Backgate fait référence à un phénomène qui se produit dans les transistors à effet de champ, qui sont des dispositifs électroniques utilisés pour l'amplification, la commutation et à d'autres fins. Vérifiez FAQs

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

γ_p - Paramètre d'effet de backgate?N_d - Concentration des donateurs?C_ox - Capacité d'oxyde?[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide?[Charge-e] - Charge d'électron?

Exemple Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Paramètre d'effet de backgate dans PMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Paramètre d'effet de backgate dans PMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Paramètre d'effet de backgate dans PMOS.

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

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Paramètre d'effet de backgate dans PMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Paramètre d'effet de backgate dans PMOS ?

Premier pas Considérez la formule

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

L'étape suivante Évaluer

∴

γ p = 0.0290154053183929

Dernière étape Réponse arrondie

∴

γ p = 0.029

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS Formule Éléments

Variables

Constantes

Les fonctions

Paramètre d'effet de backgate

Symbole: γ_p

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Paramètre d'effet de backgate

Concentration des donateurs

La concentration de donneur est la physique des semi-conducteurs et fait référence au nombre d'atomes d'impuretés donneurs par unité de volume d'un matériau semi-conducteur.

Symbole: N_d

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/m³

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Concentration des donateurs

Capacité d'oxyde

La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.

Symbole: C_ox

La mesure: CapacitanceUnité: F

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Capacité d'oxyde

Permittivité du vide

La permittivité du vide est une constante physique fondamentale qui décrit la capacité du vide à permettre la transmission de lignes de champ électrique.

Symbole: [Permitivity-vacuum]

Valeur: 8.85E-12 F/m

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal P

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

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I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

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I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

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Comment évaluer Paramètre d'effet de backgate dans PMOS ?

L'évaluateur Paramètre d'effet de backgate dans PMOS utilise Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde pour évaluer Paramètre d'effet de backgate, Le paramètre d'effet de backgate dans la formule PMOS représente le changement de tension de seuil pour un changement donné de tension de back-gate. Paramètre d'effet de backgate est désigné par le symbole γ_p.

Comment évaluer Paramètre d'effet de backgate dans PMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Paramètre d'effet de backgate dans PMOS, saisissez Concentration des donateurs (N_d) & Capacité d'oxyde (C_ox) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Quelle est la formule pour trouver Paramètre d'effet de backgate dans PMOS ?

La formule de Paramètre d'effet de backgate dans PMOS est exprimée sous la forme Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde. Voici un exemple : 0.029015 = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008.

Comment calculer Paramètre d'effet de backgate dans PMOS ?

Avec Concentration des donateurs (N_d) & Capacité d'oxyde (C_ox), nous pouvons trouver Paramètre d'effet de backgate dans PMOS en utilisant la formule - Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde. Cette formule utilise également les fonctions Permittivité du vide, Charge d'électron constante(s) et Fonction racine carrée.

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