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Formule Paramètre de transconductance du transistor MOS

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Le paramètre de transconductance est le produit du paramètre de transconductance du processus et du rapport d'aspect du transistor (W/L). Vérifiez FAQs

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

K_n - Paramètre de transconductance?i_d - Courant de vidange?V_ox - Tension aux bornes de l'oxyde?V_t - Tension de seuil?V_gs - Tension entre la porte et la source?

Exemple Paramètre de transconductance du transistor MOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Paramètre de transconductance du transistor MOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Paramètre de transconductance du transistor MOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Paramètre de transconductance du transistor MOS.

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

2.9518mA/V² = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Paramètre de transconductance du transistor MOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Paramètre de transconductance du transistor MOS ?

Premier pas Considérez la formule

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

K n = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

K n = \frac{0.0175A}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

K n = \frac{0.0175}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

L'étape suivante Évaluer

∴

K n = 0.00295184279328667A/V²

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

K n = 2.95184279328667mA/V²

Dernière étape Réponse arrondie

∴

K n = 2.9518mA/V²

Paramètre de transconductance du transistor MOS Formule Éléments

Variables

Paramètre de transconductance

Le paramètre de transconductance est le produit du paramètre de transconductance du processus et du rapport d'aspect du transistor (W/L).

Symbole: K_n

La mesure: Paramètre de transconductanceUnité: mA/V²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Paramètre de transconductance

Courant de vidange

Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.

Symbole: i_d

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant de vidange

Tension aux bornes de l'oxyde

La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.

Symbole: V_ox

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension aux bornes de l'oxyde

Tension de seuil

La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.

Symbole: V_t

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de seuil

Tension entre la porte et la source

La tension entre la grille et la source est la tension qui tombe aux bornes de la grille-source du transistor.

Symbole: V_gs

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension entre la porte et la source

Autres formules dans la catégorie Caractéristiques de l'amplificateur à transistor

va Tension de drain instantanée totale

V d = V fc - R d \cdot i d

va Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

va Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

va Tension d'entrée dans le transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Paramètre de transconductance du transistor MOS ?

L'évaluateur Paramètre de transconductance du transistor MOS utilise Transconductance Parameter = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source) pour évaluer Paramètre de transconductance, Le paramètre de transconductance du transistor MOS est une mesure de la capacité du transistor à contrôler le flux de courant en réponse à une tension appliquée à ses bornes de grille et de source. Paramètre de transconductance est désigné par le symbole K_n.

Comment évaluer Paramètre de transconductance du transistor MOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Paramètre de transconductance du transistor MOS, saisissez Courant de vidange (i_d), Tension aux bornes de l'oxyde (V_ox), Tension de seuil (V_t) & Tension entre la porte et la source (V_gs) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Paramètre de transconductance du transistor MOS

Quelle est la formule pour trouver Paramètre de transconductance du transistor MOS ?

La formule de Paramètre de transconductance du transistor MOS est exprimée sous la forme Transconductance Parameter = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source). Voici un exemple : 2951.843 = 0.0175/((3.775-2)*3.34).

Comment calculer Paramètre de transconductance du transistor MOS ?

Avec Courant de vidange (i_d), Tension aux bornes de l'oxyde (V_ox), Tension de seuil (V_t) & Tension entre la porte et la source (V_gs), nous pouvons trouver Paramètre de transconductance du transistor MOS en utilisant la formule - Transconductance Parameter = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source).

Le Paramètre de transconductance du transistor MOS peut-il être négatif ?

Non, le Paramètre de transconductance du transistor MOS, mesuré dans Paramètre de transconductance ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Paramètre de transconductance du transistor MOS ?

Paramètre de transconductance du transistor MOS est généralement mesuré à l'aide de Milliampère par volt carré[mA/V²] pour Paramètre de transconductance. Ampère par volt carré[mA/V²], Microampère par volt carré[mA/V²] sont les quelques autres unités dans lesquelles Paramètre de transconductance du transistor MOS peut être mesuré.

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Exemple Paramètre de transconductance du transistor MOS

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