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Formule Paramètre de processus de fabrication de NMOS

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Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface. Vérifiez FAQs

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

γ - Paramètre de processus de fabrication?N_P - Concentration de dopage du substrat P?C_ox - Capacité d'oxyde?[Charge-e] - Charge d'électron?[Permitivity-vacuum] - Permittivité du vide?

Exemple Paramètre de processus de fabrication de NMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Paramètre de processus de fabrication de NMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Paramètre de processus de fabrication de NMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Paramètre de processus de fabrication de NMOS.

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

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Paramètre de processus de fabrication de NMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Paramètre de processus de fabrication de NMOS ?

Premier pas Considérez la formule

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 6E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum]}}{2.02μF}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2E-6F}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+22 \cdot 8.9E-12}}{2E-6}

L'étape suivante Évaluer

∴

γ = 204.204864690003

Dernière étape Réponse arrondie

∴

γ = 204.2049

Paramètre de processus de fabrication de NMOS Formule Éléments

Variables

Constantes

Les fonctions

Paramètre de processus de fabrication

Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface.

Symbole: γ

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Paramètre de processus de fabrication

Concentration de dopage du substrat P

La concentration de dopage du substrat P est le nombre d'impuretés ajoutées au substrat. C'est la concentration totale d'ions accepteurs.

Symbole: N_P

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Concentration de dopage du substrat P

Capacité d'oxyde

La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.

Symbole: C_ox

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Capacité d'oxyde

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

Permittivité du vide

La permittivité du vide est une constante physique fondamentale qui décrit la capacité du vide à permettre la transmission de lignes de champ électrique.

Symbole: [Permitivity-vacuum]

Valeur: 8.85E-12 F/m

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

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I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

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Comment évaluer Paramètre de processus de fabrication de NMOS ?

L'évaluateur Paramètre de processus de fabrication de NMOS utilise Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde pour évaluer Paramètre de processus de fabrication, Le paramètre du processus de fabrication de NMOS est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface. Paramètre de processus de fabrication est désigné par le symbole γ.

Comment évaluer Paramètre de processus de fabrication de NMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Paramètre de processus de fabrication de NMOS, saisissez Concentration de dopage du substrat P (N_P) & Capacité d'oxyde (C_ox) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Paramètre de processus de fabrication de NMOS

Quelle est la formule pour trouver Paramètre de processus de fabrication de NMOS ?

La formule de Paramètre de processus de fabrication de NMOS est exprimée sous la forme Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde. Voici un exemple : 204.2049 = sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06.

Comment calculer Paramètre de processus de fabrication de NMOS ?

Avec Concentration de dopage du substrat P (N_P) & Capacité d'oxyde (C_ox), nous pouvons trouver Paramètre de processus de fabrication de NMOS en utilisant la formule - Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde. Cette formule utilise également les fonctions Charge d'électron, Permittivité du vide constante(s) et Racine carrée (sqrt).

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