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Formule MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

vaMOSFET comme résistance linéaire Formule

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Résistance linéaire, la quantité d'opposition ou de résistance est directement proportionnelle à la quantité de courant qui la traverse, comme décrit par la loi d'Ohm. Vérifiez FAQs

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

R_ds - Résistance linéaire?L - Longueur du canal?μ_s - Mobilité des électrons à la surface du canal?C_ox - Capacité d'oxyde?W_c - Largeur de canal?V_eff - Tension efficace?

Exemple MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect.

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

0.1647kΩ = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

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MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect ?

Premier pas Considérez la formule

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

R ds = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

R ds = \frac{0.0001m}{38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot 1E-5m \cdot 1.7V}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

R ds = \frac{0.0001}{38 \cdot 0.0009 \cdot 1E-5 \cdot 1.7}

L'étape suivante Évaluer

∴

R ds = 164.679533627561Ω

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

R ds = 0.164679533627561kΩ

Dernière étape Réponse arrondie

∴

R ds = 0.1647kΩ

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect Formule Éléments

Variables

Résistance linéaire

Résistance linéaire, la quantité d'opposition ou de résistance est directement proportionnelle à la quantité de courant qui la traverse, comme décrit par la loi d'Ohm.

Symbole: R_ds

La mesure: Résistance électriqueUnité: kΩ

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Résistance linéaire

Longueur du canal

La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).

Symbole: L

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Longueur du canal

Mobilité des électrons à la surface du canal

La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d'un matériau semi-conducteur, tel qu'un canal en silicium dans un transistor.

Symbole: μ_s

La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Mobilité des électrons à la surface du canal

Capacité d'oxyde

La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.

Symbole: C_ox

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité d'oxyde

Largeur de canal

La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).

Symbole: W_c

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Largeur de canal

Tension efficace

La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

Symbole: V_eff

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension efficace

Autres formules pour trouver Résistance linéaire

va MOSFET comme résistance linéaire

R ds = \frac{1}{G}

Autres formules dans la catégorie Résistance

va Libre parcours moyen des électrons

λ = \frac{1}{R out \cdot i d}

va Résistance de sortie de vidange

R out = \frac{1}{λ \cdot i d}

va Résistance finie entre le drain et la source

R fi = mod \underset{̲}{u} s \frac{V a}{i d}

va Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

G = \frac{1}{R ds}

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Comment évaluer MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect ?

L'évaluateur MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect utilise Linear Resistance = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace) pour évaluer Résistance linéaire, Le MOSFET en tant que résistance linéaire à rapport d'aspect donné agit comme une résistance variable dans la région linéaire et comme une source de courant dans la région de saturation. Contrairement à un BJT, pour utiliser un MOSFET comme commutateur, vous devez opérer dans la région linéaire. Résistance linéaire est désigné par le symbole R_ds.

Comment évaluer MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect, saisissez Longueur du canal (L), Mobilité des électrons à la surface du canal (μ_s), Capacité d'oxyde (C_ox), Largeur de canal (W_c) & Tension efficace (V_eff) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

Quelle est la formule pour trouver MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect ?

La formule de MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect est exprimée sous la forme Linear Resistance = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace). Voici un exemple : 0.000165 = 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7).

Comment calculer MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect ?

Avec Longueur du canal (L), Mobilité des électrons à la surface du canal (μ_s), Capacité d'oxyde (C_ox), Largeur de canal (W_c) & Tension efficace (V_eff), nous pouvons trouver MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect en utilisant la formule - Linear Resistance = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace).

Quelles sont les autres façons de calculer Résistance linéaire ?

Voici les différentes façons de calculer Résistance linéaire-

Linear Resistance=1/Conductance of Channel

Le MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect peut-il être négatif ?

Non, le MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect, mesuré dans Résistance électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect ?

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect est généralement mesuré à l'aide de Kilohm[kΩ] pour Résistance électrique. Ohm[kΩ], mégohm[kΩ], Microhm[kΩ] sont les quelques autres unités dans lesquelles MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect peut être mesuré.

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Formule MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

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Exemple MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

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MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect Formule Éléments

Autres formules pour trouver Résistance linéaire

Autres formules dans la catégorie Résistance

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FAQs sur MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

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