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Formule Largeur de la zone d'appauvrissement

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La largeur de la région d'appauvrissement est une région d'un dispositif semi-conducteur où il n'y a pas de porteurs de charge gratuits. Vérifiez FAQs

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot N d}) \cdot (V i - V g)}

x_depl - Largeur de la région d'épuisement?N_d - Densité du dopage?V_i - Barrière potentielle Schottky?V_g - Tension de porte?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?[Charge-e] - Charge d'électron?

Exemple Largeur de la zone d'appauvrissement

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Largeur de la zone d'appauvrissement avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Largeur de la zone d'appauvrissement avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Largeur de la zone d'appauvrissement.

0.0002 = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+22}) \cdot (15.9 - 0.25)}

0.0002m = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

0.0002 = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+22}) \cdot (15.9 - 0.25)}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

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Théorie des micro-ondes » fx Largeur de la zone d'appauvrissement

Largeur de la zone d'appauvrissement Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Largeur de la zone d'appauvrissement ?

Premier pas Considérez la formule

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot N d}) \cdot (V i - V g)}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+281/m³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+28}) \cdot (15.9 - 0.25)}

L'étape suivante Évaluer

∴

x depl = 0.000159363423174517m

Dernière étape Réponse arrondie

∴

x depl = 0.0002m

Largeur de la zone d'appauvrissement Formule Éléments

Variables

Constantes

Les fonctions

Largeur de la région d'épuisement

La largeur de la région d'appauvrissement est une région d'un dispositif semi-conducteur où il n'y a pas de porteurs de charge gratuits.

Symbole: x_depl

La mesure: LongueurUnité: m

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Largeur de la région d'épuisement

Densité du dopage

La densité de dopage fait référence à la concentration d'atomes dopants dans un matériau semi-conducteur. Les dopants sont des atomes d’impuretés intentionnellement introduits dans le semi-conducteur.

Symbole: N_d

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Densité du dopage

Barrière potentielle Schottky

La barrière potentielle Schottky agit comme une barrière pour les électrons et la hauteur de la barrière dépend de la différence de travail de travail entre les deux matériaux.

Symbole: V_i

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Barrière potentielle Schottky

Tension de porte

La tension de grille est la tension développée à la jonction grille-source d'un transistor JFET.

Symbole: V_g

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de porte

Permittivité du silicium

La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.

Symbole: [Permitivity-silicon]

Valeur: 11.7

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Klystron

va Conductance de chargement du faisceau

G b = G - (G L + G cu)

va Cuivre Perte de Cavité

G cu = G - (G b + G L)

va Conductance de la cavité

G = G L + G cu + G b

va Paramètre de groupement de Klystron

X = \frac{β i \cdot V in \cdot θ o}{2 \cdot V o}

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Largeur de la zone d'appauvrissement ?

L'évaluateur Largeur de la zone d'appauvrissement utilise Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densité du dopage))*(Barrière potentielle Schottky-Tension de porte)) pour évaluer Largeur de la région d'épuisement, La formule de largeur de zone d'appauvrissement est définie comme une région dans un dispositif à semi-conducteur où il n'y a pas de porteurs de charge libres. Cela dépend des niveaux de dopage du matériau semi-conducteur, de la tension de grille et des dimensions physiques du dispositif. Largeur de la région d'épuisement est désigné par le symbole x_depl.

Comment évaluer Largeur de la zone d'appauvrissement à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Largeur de la zone d'appauvrissement, saisissez Densité du dopage (N_d), Barrière potentielle Schottky (V_i) & Tension de porte (V_g) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Largeur de la zone d'appauvrissement

Quelle est la formule pour trouver Largeur de la zone d'appauvrissement ?

La formule de Largeur de la zone d'appauvrissement est exprimée sous la forme Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densité du dopage))*(Barrière potentielle Schottky-Tension de porte)). Voici un exemple : 0.000159 = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25)).

Comment calculer Largeur de la zone d'appauvrissement ?

Avec Densité du dopage (N_d), Barrière potentielle Schottky (V_i) & Tension de porte (V_g), nous pouvons trouver Largeur de la zone d'appauvrissement en utilisant la formule - Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densité du dopage))*(Barrière potentielle Schottky-Tension de porte)). Cette formule utilise également les fonctions Permittivité du silicium, Charge d'électron constante(s) et Fonction racine carrée.

Le Largeur de la zone d'appauvrissement peut-il être négatif ?

Non, le Largeur de la zone d'appauvrissement, mesuré dans Longueur ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Largeur de la zone d'appauvrissement ?

Largeur de la zone d'appauvrissement est généralement mesuré à l'aide de Mètre[m] pour Longueur. Millimètre[m], Kilomètre[m], Décimètre[m] sont les quelques autres unités dans lesquelles Largeur de la zone d'appauvrissement peut être mesuré.

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