Gain de tension cascode bipolaire
Le gain de tension cascode bipolaire fait référence à un type de configuration d'amplificateur qui utilise deux transistors dans une configuration cascode pour obtenir un gain de tension plus élevé qu'un amplificateur à transistor unique.
Symbole: Afo
La mesure: NAUnité: Unitless
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Transconductance primaire MOSFET
La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Symbole: gmp
La mesure: TransconductanceUnité: mS
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Transconductance secondaire MOSFET
La transconductance secondaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Symbole: gms
La mesure: Conductivité électriqueUnité: mS
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Résistance de sortie finie
La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Symbole: Rout
La mesure: Résistance électriqueUnité: kΩ
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Résistance de sortie finie du transistor 1
La résistance de sortie finie du transistor 1 est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Symbole: Rout1
La mesure: Résistance électriqueUnité: kΩ
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Résistance d'entrée de petit signal
La résistance d'entrée de petit signal 2 entre la base et l'émetteur modélise la façon dont l'impédance d'entrée entre les bornes de base et d'émetteur du transistor change lorsqu'un petit signal alternatif est appliqué.
Symbole: Rsm
La mesure: Résistance électriqueUnité: kΩ
Note: La valeur doit être supérieure à 0.