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Formule Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

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Le gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes est la fréquence à laquelle le transistor fonctionne de manière optimale. Vérifiez FAQs

G max = {(\frac{f TC}{f})}^{2} \cdot \frac{Z out}{Z in}

G_max - Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes?f_TC - Fréquence limite du temps de transit?f - Fréquence de gain de puissance?Z_out - Impédance de sortie?Z_in - Impédance d'entrée?

Exemple Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes.

3.4E-5 = {(\frac{2.08}{80})}^{2} \cdot \frac{0.27}{5.4}

3.4E-5 = {(\frac{2.08Hz}{80Hz})}^{2} \cdot \frac{0.27Ω}{5.4Ω}

3.4E-5 = {(\frac{2.08}{80})}^{2} \cdot \frac{0.27}{5.4}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Théorie des micro-ondes » fx Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes ?

Premier pas Considérez la formule

G max = {(\frac{f TC}{f})}^{2} \cdot \frac{Z out}{Z in}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

G max = {(\frac{2.08Hz}{80Hz})}^{2} \cdot \frac{0.27Ω}{5.4Ω}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

G max = {(\frac{2.08}{80})}^{2} \cdot \frac{0.27}{5.4}

L'étape suivante Évaluer

∴

G max = 3.38E-05

Dernière étape Réponse arrondie

∴

G max = 3.4E-5

Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes Formule Éléments

Variables

Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes

Le gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes est la fréquence à laquelle le transistor fonctionne de manière optimale.

Symbole: G_max

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes

Fréquence limite du temps de transit

La fréquence de coupure du temps de transit est liée au temps nécessaire aux porteurs de charge (électrons ou trous) pour transiter à travers l'appareil.

Symbole: f_TC

La mesure: FréquenceUnité: Hz

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Fréquence limite du temps de transit

Fréquence de gain de puissance

La fréquence de gain de puissance fait référence à la fréquence à laquelle le gain de puissance de l'appareil commence à diminuer.

Symbole: f

La mesure: FréquenceUnité: Hz

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Fréquence de gain de puissance

Impédance de sortie

L'impédance de sortie fait référence à l'impédance, ou à la résistance, qu'un appareil ou un circuit présente à la charge externe connectée à sa sortie.

Symbole: Z_out

La mesure: Résistance électriqueUnité: Ω

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Impédance de sortie

Impédance d'entrée

L'impédance d'entrée est l'impédance ou la résistance équivalente qu'un appareil ou un circuit présente à ses bornes d'entrée lorsqu'un signal est appliqué.

Symbole: Z_in

La mesure: Résistance électriqueUnité: Ω

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Impédance d'entrée

Autres formules dans la catégorie Amplificateurs à transistors

va Fréquence de coupure MESFET

f co = \frac{G m}{2 \cdot π \cdot C gs}

va Fréquence de fonctionnement maximale

f max = \frac{f co}{2} \cdot \sqrt{\frac{R d}{R s + R i + R g}}

va Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

va Fréquence maximale d'oscillation

f max o = \frac{v s}{2 \cdot π \cdot L c}

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Comment évaluer Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes ?

L'évaluateur Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes utilise Maximum Power Gain of a Microwave Transistor = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée pour évaluer Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes, La formule du gain de puissance maximal du transistor micro-ondes est définie comme la fréquence à laquelle le transistor fonctionne de manière optimale. Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes est désigné par le symbole G_max.

Comment évaluer Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes, saisissez Fréquence limite du temps de transit (f_TC), Fréquence de gain de puissance (f), Impédance de sortie (Z_out) & Impédance d'entrée (Z_in) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

Quelle est la formule pour trouver Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes ?

La formule de Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes est exprimée sous la forme Maximum Power Gain of a Microwave Transistor = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée. Voici un exemple : 3.4E-5 = (2.08/80)^2*0.27/5.4.

Comment calculer Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes ?

Avec Fréquence limite du temps de transit (f_TC), Fréquence de gain de puissance (f), Impédance de sortie (Z_out) & Impédance d'entrée (Z_in), nous pouvons trouver Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes en utilisant la formule - Maximum Power Gain of a Microwave Transistor = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée.

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Formule Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

Exemple Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

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