Formule Fuite sous le seuil via les transistors OFF

Fx Copie
LaTeX Copie
Le courant sous-seuil est une fuite sous-seuil à travers les transistors OFF. Vérifiez FAQs
ist=(PstVbc)-(ig+icon+ij)
ist - Courant sous-seuil?Pst - Puissance statique CMOS?Vbc - Tension du collecteur de base?ig - Courant de porte?icon - Conflit actuel?ij - Courant de jonction?

Exemple Fuite sous le seuil via les transistors OFF

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Fuite sous le seuil via les transistors OFF avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Fuite sous le seuil via les transistors OFF avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Fuite sous le seuil via les transistors OFF.

1.6015Edit=(67.37Edit2.02Edit)-(4.5Edit+25.75Edit+1.5Edit)
Tu es là -
HomeIcon Maison » Category Ingénierie » Category Électronique » Category Conception et applications CMOS » fx Fuite sous le seuil via les transistors OFF

Fuite sous le seuil via les transistors OFF Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Fuite sous le seuil via les transistors OFF ?

Premier pas Considérez la formule
ist=(PstVbc)-(ig+icon+ij)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
ist=(67.37mW2.02V)-(4.5mA+25.75mA+1.5mA)
L'étape suivante Convertir des unités
ist=(0.0674W2.02V)-(0.0045A+0.0258A+0.0015A)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
ist=(0.06742.02)-(0.0045+0.0258+0.0015)
L'étape suivante Évaluer
ist=0.00160148514851485A
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
ist=1.60148514851485mA
Dernière étape Réponse arrondie
ist=1.6015mA

Fuite sous le seuil via les transistors OFF Formule Éléments

Variables
Courant sous-seuil
Le courant sous-seuil est une fuite sous-seuil à travers les transistors OFF.
Symbole: ist
La mesure: Courant électriqueUnité: mA
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Puissance statique CMOS
La puissance statique CMOS est définie comme le courant de fuite dû à la très faible consommation d'énergie statique des dispositifs CMOS.
Symbole: Pst
La mesure: Du pouvoirUnité: mW
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension du collecteur de base
La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu'il est dans son état actif.
Symbole: Vbc
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Courant de porte
Le courant de grille est défini comme lorsqu'il n'y a pas de tension entre les bornes de grille et de source, aucun courant ne circule dans le drain, à l'exception du courant de fuite, en raison d'une impédance drain-source très élevée.
Symbole: ig
La mesure: Courant électriqueUnité: mA
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Conflit actuel
Le courant de contention est défini comme le courant de contention se produisant dans les circuits proportionnés.
Symbole: icon
La mesure: Courant électriqueUnité: mA
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Courant de jonction
Le courant de jonction est une fuite de jonction due aux diffusions source/drain.
Symbole: ij
La mesure: Courant électriqueUnité: mA
Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Autres formules dans la catégorie Mesures de puissance CMOS

​va Facteur d'activité
α=PsCVbc2f
​va Puissance de commutation
Ps=α(CVbc2f)
​va Puissance dynamique en CMOS
Pdyn=Psc+Ps
​va Alimentation en court-circuit dans CMOS
Psc=Pdyn-Ps

Comment évaluer Fuite sous le seuil via les transistors OFF ?

L'évaluateur Fuite sous le seuil via les transistors OFF utilise Subthreshold Current = (Puissance statique CMOS/Tension du collecteur de base)-(Courant de porte+Conflit actuel+Courant de jonction) pour évaluer Courant sous-seuil, La formule de fuite sous-seuil à travers les transistors OFF est définie comme une conduction sous-seuil ou une fuite sous-seuil ou un courant de drain sous-seuil, qui est le courant entre la source et le drain d'un MOSFET lorsque le transistor est dans la région sous-seuil, ou région d'inversion faible, c'est-à-dire pour tensions grille-source inférieures à la tension de seuil. Courant sous-seuil est désigné par le symbole ist.

Comment évaluer Fuite sous le seuil via les transistors OFF à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Fuite sous le seuil via les transistors OFF, saisissez Puissance statique CMOS (Pst), Tension du collecteur de base (Vbc), Courant de porte (ig), Conflit actuel (icon) & Courant de jonction (ij) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Fuite sous le seuil via les transistors OFF

Quelle est la formule pour trouver Fuite sous le seuil via les transistors OFF ?
La formule de Fuite sous le seuil via les transistors OFF est exprimée sous la forme Subthreshold Current = (Puissance statique CMOS/Tension du collecteur de base)-(Courant de porte+Conflit actuel+Courant de jonction). Voici un exemple : 22231.49 = (0.06737/2.02)-(0.0045+0.02575+0.0015).
Comment calculer Fuite sous le seuil via les transistors OFF ?
Avec Puissance statique CMOS (Pst), Tension du collecteur de base (Vbc), Courant de porte (ig), Conflit actuel (icon) & Courant de jonction (ij), nous pouvons trouver Fuite sous le seuil via les transistors OFF en utilisant la formule - Subthreshold Current = (Puissance statique CMOS/Tension du collecteur de base)-(Courant de porte+Conflit actuel+Courant de jonction).
Le Fuite sous le seuil via les transistors OFF peut-il être négatif ?
Non, le Fuite sous le seuil via les transistors OFF, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Fuite sous le seuil via les transistors OFF ?
Fuite sous le seuil via les transistors OFF est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Fuite sous le seuil via les transistors OFF peut être mesuré.
Copied!