Formule Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI

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L'épaisseur de l'oxyde de grille après mise à l'échelle complète est définie comme la nouvelle épaisseur de la couche d'oxyde après réduction des dimensions du transistor en maintenant le champ électrique constant. Vérifiez FAQs
tox'=toxSf
tox' - Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète?tox - Épaisseur d'oxyde de porte?Sf - Facteur d'échelle?

Exemple Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI.

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Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI ?

Premier pas Considérez la formule
tox'=toxSf
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
tox'=2nm1.5
L'étape suivante Convertir des unités
tox'=2E-9m1.5
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
tox'=2E-91.5
L'étape suivante Évaluer
tox'=1.33333333333333E-09m
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
tox'=1.33333333333333nm
Dernière étape Réponse arrondie
tox'=1.3333nm

Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI Formule Éléments

Variables
Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète
L'épaisseur de l'oxyde de grille après mise à l'échelle complète est définie comme la nouvelle épaisseur de la couche d'oxyde après réduction des dimensions du transistor en maintenant le champ électrique constant.
Symbole: tox'
La mesure: LongueurUnité: nm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Épaisseur d'oxyde de porte
L'épaisseur de l'oxyde de grille est définie comme l'épaisseur de la couche isolante (oxyde) qui sépare l'électrode de grille du substrat semi-conducteur dans un MOSFET.
Symbole: tox
La mesure: LongueurUnité: nm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Facteur d'échelle
Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.
Symbole: Sf
La mesure: NAUnité: Unitless
Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Autres formules dans la catégorie Optimisation des matériaux VLSI

​va Coefficient d'effet corporel
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​va Charge de canal
Qch=Cg(Vgc-Vt)
​va Tension critique
Vx=ExEch
​va Coefficient DIBL
η=Vt0-VtVds

Comment évaluer Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI ?

L'évaluateur Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI utilise Gate Oxide Thickness after Full Scaling = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle pour évaluer Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète, La formule VLSI d'épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète est définie comme la nouvelle épaisseur de la couche d'oxyde après avoir réduit les dimensions du transistor en maintenant le champ électrique constant. Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète est désigné par le symbole tox'.

Comment évaluer Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI, saisissez Épaisseur d'oxyde de porte (tox) & Facteur d'échelle (Sf) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI

Quelle est la formule pour trouver Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI ?
La formule de Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI est exprimée sous la forme Gate Oxide Thickness after Full Scaling = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle. Voici un exemple : 1.3E+9 = 2E-09/1.5.
Comment calculer Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI ?
Avec Épaisseur d'oxyde de porte (tox) & Facteur d'échelle (Sf), nous pouvons trouver Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI en utilisant la formule - Gate Oxide Thickness after Full Scaling = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle.
Le Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI peut-il être négatif ?
Non, le Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI, mesuré dans Longueur ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI ?
Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI est généralement mesuré à l'aide de Nanomètre[nm] pour Longueur. Mètre[nm], Millimètre[nm], Kilomètre[nm] sont les quelques autres unités dans lesquelles Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI peut être mesuré.
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