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Formule Effet corporel dans PMOS

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La modification de la tension de seuil peut être causée par divers facteurs, notamment les changements de température, l'exposition aux rayonnements et le vieillissement. Vérifiez FAQs

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_t - Changement de tension de seuil?V_T - Tension de seuil?γ - Paramètre de processus de fabrication?φ_f - Paramètre physique?V_SB - Tension entre le corps et la source?

Exemple Effet corporel dans PMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Effet corporel dans PMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Effet corporel dans PMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Effet corporel dans PMOS.

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

1.6005V = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Effet corporel dans PMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Effet corporel dans PMOS ?

Premier pas Considérez la formule

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

ΔV t = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

ΔV t = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

L'étape suivante Évaluer

∴

ΔV t = 1.60047799645039V

Dernière étape Réponse arrondie

∴

ΔV t = 1.6005V

Effet corporel dans PMOS Formule Éléments

Variables

Les fonctions

Changement de tension de seuil

La modification de la tension de seuil peut être causée par divers facteurs, notamment les changements de température, l'exposition aux rayonnements et le vieillissement.

Symbole: ΔV_t

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Changement de tension de seuil

Tension de seuil

La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

Symbole: V_T

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de seuil

Paramètre de processus de fabrication

Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface.

Symbole: γ

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Paramètre de processus de fabrication

Paramètre physique

Les paramètres physiques peuvent être utilisés pour décrire l'état ou la condition d'un système physique, ou pour caractériser la manière dont le système répond à divers stimuli ou entrées.

Symbole: φ_f

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Paramètre physique

Tension entre le corps et la source

La tension entre le corps et la source est importante car elle peut avoir un effet sur le fonctionnement sûr des appareils électroniques.

Symbole: V_SB

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension entre le corps et la source

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal P

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Effet corporel dans PMOS ?

L'évaluateur Effet corporel dans PMOS utilise Change in Threshold Voltage = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique)) pour évaluer Changement de tension de seuil, L'effet Body dans PMOS fait référence au changement de la tension de seuil du transistor (V. Changement de tension de seuil est désigné par le symbole ΔV_t.

Comment évaluer Effet corporel dans PMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Effet corporel dans PMOS, saisissez Tension de seuil (V_T), Paramètre de processus de fabrication (γ), Paramètre physique (φ_f) & Tension entre le corps et la source (V_SB) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Effet corporel dans PMOS

Quelle est la formule pour trouver Effet corporel dans PMOS ?

La formule de Effet corporel dans PMOS est exprimée sous la forme Change in Threshold Voltage = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique)). Voici un exemple : 1.600478 = 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6)).

Comment calculer Effet corporel dans PMOS ?

Avec Tension de seuil (V_T), Paramètre de processus de fabrication (γ), Paramètre physique (φ_f) & Tension entre le corps et la source (V_SB), nous pouvons trouver Effet corporel dans PMOS en utilisant la formule - Change in Threshold Voltage = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Racine carrée (sqrt).

Le Effet corporel dans PMOS peut-il être négatif ?

Non, le Effet corporel dans PMOS, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Effet corporel dans PMOS ?

Effet corporel dans PMOS est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Effet corporel dans PMOS peut être mesuré.

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