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Formule Effet corporel dans NMOS

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La modification de la tension de seuil peut être causée par divers facteurs, notamment les changements de température, l'exposition aux rayonnements et le vieillissement. Vérifiez FAQs

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_th - Changement de tension de seuil?V_T - Tension de seuil?γ - Paramètre de processus de fabrication?φ_f - Paramètre physique?V_SB - Tension entre le corps et la source?

Exemple Effet corporel dans NMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Effet corporel dans NMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Effet corporel dans NMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Effet corporel dans NMOS.

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

37.2244V = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Effet corporel dans NMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Effet corporel dans NMOS ?

Premier pas Considérez la formule

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

ΔV th = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

ΔV th = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

L'étape suivante Évaluer

∴

ΔV th = 37.2244074665399V

Dernière étape Réponse arrondie

∴

ΔV th = 37.2244V

Effet corporel dans NMOS Formule Éléments

Variables

Les fonctions

Changement de tension de seuil

La modification de la tension de seuil peut être causée par divers facteurs, notamment les changements de température, l'exposition aux rayonnements et le vieillissement.

Symbole: ΔV_th

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Changement de tension de seuil

Tension de seuil

La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

Symbole: V_T

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de seuil

Paramètre de processus de fabrication

Le paramètre du processus de fabrication est le processus qui commence par l'oxydation du substrat de silicium dans lequel une couche d'oxyde relativement épaisse est déposée sur la surface.

Symbole: γ

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Paramètre de processus de fabrication

Paramètre physique

Les paramètres physiques peuvent être utilisés pour décrire l'état ou la condition d'un système physique, ou pour caractériser la manière dont le système répond à divers stimuli ou entrées.

Symbole: φ_f

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Paramètre physique

Tension entre le corps et la source

La tension entre le corps et la source est importante car elle peut avoir un effet sur le fonctionnement sûr des appareils électroniques.

Symbole: V_SB

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension entre le corps et la source

sqrt

Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.

Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal N

va Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

va NMOS comme résistance linéaire

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

va Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

va Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Effet corporel dans NMOS ?

L'évaluateur Effet corporel dans NMOS utilise Change in Threshold Voltage = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique)) pour évaluer Changement de tension de seuil, L'effet de corps dans NMOS fait référence à la variation de la tension de seuil du transistor résultant d'une différence de tension entre la source du transistor et le corps. Changement de tension de seuil est désigné par le symbole ΔV_th.

Comment évaluer Effet corporel dans NMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Effet corporel dans NMOS, saisissez Tension de seuil (V_T), Paramètre de processus de fabrication (γ), Paramètre physique (φ_f) & Tension entre le corps et la source (V_SB) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Effet corporel dans NMOS

Quelle est la formule pour trouver Effet corporel dans NMOS ?

La formule de Effet corporel dans NMOS est exprimée sous la forme Change in Threshold Voltage = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique)). Voici un exemple : 37.22441 = 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13)).

Comment calculer Effet corporel dans NMOS ?

Avec Tension de seuil (V_T), Paramètre de processus de fabrication (γ), Paramètre physique (φ_f) & Tension entre le corps et la source (V_SB), nous pouvons trouver Effet corporel dans NMOS en utilisant la formule - Change in Threshold Voltage = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Fonction racine carrée.

Le Effet corporel dans NMOS peut-il être négatif ?

Oui, le Effet corporel dans NMOS, mesuré dans Potentiel électrique peut, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Effet corporel dans NMOS ?

Effet corporel dans NMOS est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Effet corporel dans NMOS peut être mesuré.

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