Formule Effet corporel dans MOSFET

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La tension seuil avec substrat est un paramètre crucial qui définit le point auquel le transistor commence à conduire le courant de la source au drain. Vérifiez FAQs
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
Vt - Tension de seuil avec substrat?Vth - Tension de seuil avec polarisation de corps nulle?γ - Paramètre d'effet corporel?Φf - Potentiel Fermi en vrac?Vbs - Tension appliquée au corps?

Exemple Effet corporel dans MOSFET

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Effet corporel dans MOSFET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Effet corporel dans MOSFET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Effet corporel dans MOSFET.

3.9626Edit=3.4Edit+0.56Edit(20.25Edit+2.43Edit-20.25Edit)
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Effet corporel dans MOSFET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Effet corporel dans MOSFET ?

Premier pas Considérez la formule
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
Vt=3.4V+0.56(20.25V+2.43V-20.25V)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
Vt=3.4+0.56(20.25+2.43-20.25)
L'étape suivante Évaluer
Vt=3.96258579757846V
Dernière étape Réponse arrondie
Vt=3.9626V

Effet corporel dans MOSFET Formule Éléments

Variables
Les fonctions
Tension de seuil avec substrat
La tension seuil avec substrat est un paramètre crucial qui définit le point auquel le transistor commence à conduire le courant de la source au drain.
Symbole: Vt
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle
La tension de seuil avec polarisation corporelle nulle fait référence à la tension de seuil lorsqu'aucune polarisation externe n'est appliquée au substrat semi-conducteur (borne du corps).
Symbole: Vth
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Paramètre d'effet corporel
Le paramètre d'effet corporel est un paramètre qui caractérise la sensibilité de la tension de seuil du MOSFET.
Symbole: γ
La mesure: NAUnité: Unitless
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Potentiel Fermi en vrac
Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.
Symbole: Φf
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension appliquée au corps
La tension appliquée au corps est la tension appliquée à la borne du corps. Cette tension peut avoir un impact significatif sur le comportement et les performances du MOSFET.
Symbole: Vbs
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
sqrt
Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés MOS

​va Fréquence de gain unitaire MOSFET
ft=gmCgs+Cgd
​va Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
​va Résistance du canal
Rch=LtWt1μnQon
​va Temps de propagation
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Comment évaluer Effet corporel dans MOSFET ?

L'évaluateur Effet corporel dans MOSFET utilise Threshold Voltage with Substrate = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac)) pour évaluer Tension de seuil avec substrat, L'effet de corps dans le MOSFET est défini comme le phénomène qui décrit comment la tension appliquée au substrat semi-conducteur (corps) affecte le comportement du transistor. L'effet de corps se produit en raison de la modification de la tension de seuil du MOSFET lorsque la tension entre la source et le substrat varie. Tension de seuil avec substrat est désigné par le symbole Vt.

Comment évaluer Effet corporel dans MOSFET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Effet corporel dans MOSFET, saisissez Tension de seuil avec polarisation de corps nulle (Vth), Paramètre d'effet corporel (γ), Potentiel Fermi en vrac f) & Tension appliquée au corps (Vbs) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Effet corporel dans MOSFET

Quelle est la formule pour trouver Effet corporel dans MOSFET ?
La formule de Effet corporel dans MOSFET est exprimée sous la forme Threshold Voltage with Substrate = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac)). Voici un exemple : 3.962586 = 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25)).
Comment calculer Effet corporel dans MOSFET ?
Avec Tension de seuil avec polarisation de corps nulle (Vth), Paramètre d'effet corporel (γ), Potentiel Fermi en vrac f) & Tension appliquée au corps (Vbs), nous pouvons trouver Effet corporel dans MOSFET en utilisant la formule - Threshold Voltage with Substrate = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Racine carrée (sqrt).
Le Effet corporel dans MOSFET peut-il être négatif ?
Non, le Effet corporel dans MOSFET, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Effet corporel dans MOSFET ?
Effet corporel dans MOSFET est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Effet corporel dans MOSFET peut être mesuré.
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