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Formule Drainer le courant de la source au drain

vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS Formule

vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd Formule

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Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET). Vérifiez FAQs

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

I_d - Courant de vidange?W - Largeur de jonction?Q_p - Charge de couche d'inversion?μ_p - Mobilité des trous dans le canal?E_y - Composante horizontale du champ électrique dans le canal?

Exemple Drainer le courant de la source au drain

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Drainer le courant de la source au drain avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Drainer le courant de la source au drain avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Drainer le courant de la source au drain.

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 2.66 \cdot 5.5)

29.5965mA = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m)

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 2.66 \cdot 5.5)

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Électronique analogique » fx Drainer le courant de la source au drain

Drainer le courant de la source au drain Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Drainer le courant de la source au drain ?

Premier pas Considérez la formule

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m)

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

I d = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 2.66 \cdot 5.5)

L'étape suivante Évaluer

∴

I d = 0.02959649A

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

I d = 29.59649mA

Dernière étape Réponse arrondie

∴

I d = 29.5965mA

Drainer le courant de la source au drain Formule Éléments

Variables

Courant de vidange

Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).

Symbole: I_d

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant de vidange

Largeur de jonction

La largeur de jonction est le paramètre qui indique la largeur de la jonction de base de tout élément électronique analogique.

Symbole: W

La mesure: LongueurUnité: m

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Largeur de jonction

Charge de couche d'inversion

La charge de la couche d'inversion fait référence à l'accumulation de porteurs de charge à l'interface entre le semi-conducteur et la couche d'oxyde isolante lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille.

Symbole: Q_p

La mesure: Densité de charge de surfaceUnité: C/m²

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Charge de couche d'inversion

Mobilité des trous dans le canal

La mobilité des trous dans le canal dépend de divers facteurs tels que la structure cristalline du matériau semi-conducteur, la présence d'impuretés, la température,

Symbole: μ_p

La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Mobilité des trous dans le canal

Composante horizontale du champ électrique dans le canal

La composante horizontale du champ électrique dans le canal est la force du champ électrique qui existe dans le matériau sous la couche d'oxyde de grille, dans la région où la couche d'inversion est formée.

Symbole: E_y

La mesure: Intensité du champ électriqueUnité: V/m

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Composante horizontale du champ électrique dans le canal

Autres formules pour trouver Courant de vidange

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Courant de drain global du transistor PMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

va Courant dans le canal d'inversion du PMOS

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal P

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

va Paramètre de transconductance de processus de PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

va Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

V y = μ p \cdot E y

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Comment évaluer Drainer le courant de la source au drain ?

L'évaluateur Drainer le courant de la source au drain utilise Drain Current = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal) pour évaluer Courant de vidange, Le courant de drain de source à drain dans la région de saturation du transistor PMOS étant donné Vov, le courant de drain augmente d'abord de manière linéaire avec la tension drain à source appliquée, mais atteint ensuite une valeur maximale. Une couche d'appauvrissement située à l'extrémité drain de la grille accueille la tension drain-source supplémentaire. Ce comportement est appelé saturation du courant de drain. Courant de vidange est désigné par le symbole I_d.

Comment évaluer Drainer le courant de la source au drain à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Drainer le courant de la source au drain, saisissez Largeur de jonction (W), Charge de couche d'inversion (Q_p), Mobilité des trous dans le canal (μ_p) & Composante horizontale du champ électrique dans le canal (E_y) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Drainer le courant de la source au drain

Quelle est la formule pour trouver Drainer le courant de la source au drain ?

La formule de Drainer le courant de la source au drain est exprimée sous la forme Drain Current = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal). Voici un exemple : 29596.49 = (1.19*0.0017*2.66*5.5).

Comment calculer Drainer le courant de la source au drain ?

Avec Largeur de jonction (W), Charge de couche d'inversion (Q_p), Mobilité des trous dans le canal (μ_p) & Composante horizontale du champ électrique dans le canal (E_y), nous pouvons trouver Drainer le courant de la source au drain en utilisant la formule - Drain Current = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal).

Quelles sont les autres façons de calculer Courant de vidange ?

Voici les différentes façons de calculer Courant de vidange-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))

Le Drainer le courant de la source au drain peut-il être négatif ?

Non, le Drainer le courant de la source au drain, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Drainer le courant de la source au drain ?

Drainer le courant de la source au drain est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Drainer le courant de la source au drain peut être mesuré.

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Formule Drainer le courant de la source au drain

​vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS Formule

​vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd Formule

Exemple Drainer le courant de la source au drain

Drainer le courant de la source au drain Solution

Drainer le courant de la source au drain Formule Éléments

Autres formules pour trouver Courant de vidange

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal P

Comment évaluer Drainer le courant de la source au drain ?

FAQs sur Drainer le courant de la source au drain

Variable Name

vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS Formule

vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd Formule