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Formule Courant de saturation des canaux courts VLSI

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Le courant de saturation à canal court est défini comme le courant maximum qui peut traverser un transistor à canal court lorsqu'il est en mode saturation. Vérifiez FAQs
ID(sat)=Wc⋅vd(sat)⋅Coxide⋅VDsat
ID(sat) - Courant de saturation des canaux courts?Wc - Largeur de canal?vd(sat) - Vitesse de dérive des électrons de saturation?Coxide - Capacité d'oxyde par unité de surface?VDsat - Tension de source de drain de saturation?

Exemple Courant de saturation des canaux courts VLSI

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de saturation des canaux courts VLSI avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de saturation des canaux courts VLSI avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de saturation des canaux courts VLSI.

527.25Edit=2.5Edit⋅2E+7Edit⋅0.0703Edit⋅1.5Edit
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Courant de saturation des canaux courts VLSI Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de saturation des canaux courts VLSI ?

Premier pas Considérez la formule
ID(sat)=Wc⋅vd(sat)⋅Coxide⋅VDsat
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ ID(sat)=2.5μm⋅2E+7cm/s⋅0.0703μF/cm²⋅1.5V
L'étape suivante Convertir des unités
∴ ID(sat)=2.5E-6m⋅200000m/s⋅0.0007F/m²⋅1.5V
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ ID(sat)=2.5E-6⋅200000⋅0.0007⋅1.5
L'étape suivante Évaluer
∴ID(sat)=0.00052725A
Dernière étape Convertir en unité de sortie
∴ID(sat)=527.25µA

Courant de saturation des canaux courts VLSI Formule Éléments

Variables
Courant de saturation des canaux courts
Le courant de saturation à canal court est défini comme le courant maximum qui peut traverser un transistor à canal court lorsqu'il est en mode saturation.
Symbole: ID(sat)
La mesure: Courant électriqueUnité: µA
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Courant de saturation des canaux courtsOpen Variable
Largeur de canal
La largeur du canal est définie comme la largeur physique du canal semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.
Symbole: Wc
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Largeur de canalOpen Variable
Vitesse de dérive des électrons de saturation
La vitesse de dérive des électrons de saturation est définie comme la vitesse maximale atteinte par les électrons dans un matériau semi-conducteur sous l’influence d’un champ électrique.
Symbole: vd(sat)
La mesure: La rapiditéUnité: cm/s
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Vitesse de dérive des électrons de saturationOpen Variable
Capacité d'oxyde par unité de surface
La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.
Symbole: Coxide
La mesure: Capacité d'oxyde par unité de surfaceUnité: μF/cm²
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité d'oxyde par unité de surfaceOpen Variable
Tension de source de drain de saturation
La tension drain-source de saturation est définie comme la tension aux bornes du drain et de la source d'un MOSFET lorsque le transistor fonctionne en mode saturation.
Symbole: VDsat
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Tension de source de drain de saturationOpen Variable

Autres formules dans la catégorie Optimisation des matériaux VLSI

​va Coefficient d'effet corporel
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​va Charge de canal
Qch=Cg⋅(Vgc-Vt)
​va Tension critique
Vx=Ex⋅Ech
​va Coefficient DIBL
η=Vt0-VtVds

Comment évaluer Courant de saturation des canaux courts VLSI ?

L'évaluateur Courant de saturation des canaux courts VLSI utilise Short Channel Saturation Current = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation pour évaluer Courant de saturation des canaux courts, La formule VLSI du courant de saturation à canal court est définie comme le courant maximum qui peut traverser un transistor à canal court lorsqu'il est en mode saturation. Courant de saturation des canaux courts est désigné par le symbole ID(sat).

Comment évaluer Courant de saturation des canaux courts VLSI à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de saturation des canaux courts VLSI, saisissez Largeur de canal (Wc), Vitesse de dérive des électrons de saturation (vd(sat)), Capacité d'oxyde par unité de surface (Coxide) & Tension de source de drain de saturation (VDsat) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de saturation des canaux courts VLSI

Quelle est la formule pour trouver Courant de saturation des canaux courts VLSI ?
La formule de Courant de saturation des canaux courts VLSI est exprimée sous la forme Short Channel Saturation Current = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation. Voici un exemple : 5.3E+8 = 2.5E-06*200000*0.000703*1.5.
Comment calculer Courant de saturation des canaux courts VLSI ?
Avec Largeur de canal (Wc), Vitesse de dérive des électrons de saturation (vd(sat)), Capacité d'oxyde par unité de surface (Coxide) & Tension de source de drain de saturation (VDsat), nous pouvons trouver Courant de saturation des canaux courts VLSI en utilisant la formule - Short Channel Saturation Current = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation.
Le Courant de saturation des canaux courts VLSI peut-il être négatif ?
Non, le Courant de saturation des canaux courts VLSI, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de saturation des canaux courts VLSI ?
Courant de saturation des canaux courts VLSI est généralement mesuré à l'aide de Microampère[µA] pour Courant électrique. Ampère[µA], Milliampère[µA], centiampère[µA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de saturation des canaux courts VLSI peut être mesuré.
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