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Formule Courant de saturation de drain du MOSFET

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Le courant de drain de saturation est un paramètre important dans la conception Vérifiez FAQs

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

I_d(sat) - Courant de drain de saturation?k'_p - Transconductance de processus dans PMOS?W_c - Largeur de canal?L - Longueur du canal?V_eff - Tension efficace?

Exemple Courant de saturation de drain du MOSFET

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de saturation de drain du MOSFET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de saturation de drain du MOSFET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de saturation de drain du MOSFET.

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

0.0838mA = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Courant de saturation de drain du MOSFET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de saturation de drain du MOSFET ?

Premier pas Considérez la formule

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006S \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot {(1.7V)}^{2}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot {(1.7)}^{2}

L'étape suivante Évaluer

∴

I d(sat) = 8.381E-05A

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

I d(sat) = 0.08381mA

Dernière étape Réponse arrondie

∴

I d(sat) = 0.0838mA

Courant de saturation de drain du MOSFET Formule Éléments

Variables

Courant de drain de saturation

Le courant de drain de saturation est un paramètre important dans la conception

Symbole: I_d(sat)

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant de drain de saturation

Transconductance de processus dans PMOS

La transconductance de processus dans PMOS fait référence au gain d'un transistor PMOS par rapport à sa tension grille-source.

Symbole: k'_p

La mesure: Conductivité électriqueUnité: mS

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Transconductance de processus dans PMOS

Largeur de canal

La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).

Symbole: W_c

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Largeur de canal

Longueur du canal

La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).

Symbole: L

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Longueur du canal

Tension efficace

La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

Symbole: V_eff

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension efficace

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va Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

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i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

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I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

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Comment évaluer Courant de saturation de drain du MOSFET ?

L'évaluateur Courant de saturation de drain du MOSFET utilise Saturation Drain Current = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension efficace)^2 pour évaluer Courant de drain de saturation, Le courant de saturation du drain du MOSFET ici "saturation" dans les MOSFET signifie que le changement de V. Courant de drain de saturation est désigné par le symbole I_d(sat).

Comment évaluer Courant de saturation de drain du MOSFET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de saturation de drain du MOSFET, saisissez Transconductance de processus dans PMOS (k'_p), Largeur de canal (W_c), Longueur du canal (L) & Tension efficace (V_eff) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de saturation de drain du MOSFET

Quelle est la formule pour trouver Courant de saturation de drain du MOSFET ?

La formule de Courant de saturation de drain du MOSFET est exprimée sous la forme Saturation Drain Current = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension efficace)^2. Voici un exemple : 83.81 = 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2.

Comment calculer Courant de saturation de drain du MOSFET ?

Avec Transconductance de processus dans PMOS (k'_p), Largeur de canal (W_c), Longueur du canal (L) & Tension efficace (V_eff), nous pouvons trouver Courant de saturation de drain du MOSFET en utilisant la formule - Saturation Drain Current = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension efficace)^2.

Le Courant de saturation de drain du MOSFET peut-il être négatif ?

Non, le Courant de saturation de drain du MOSFET, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de saturation de drain du MOSFET ?

Courant de saturation de drain du MOSFET est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de saturation de drain du MOSFET peut être mesuré.

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