FormulaDen.com

La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Courant de saturation dans le transistor

Fx Copie

LaTeX Copie

Le courant de saturation fait référence au courant maximum qui peut traverser le transistor lorsqu'il est complètement activé. Vérifiez FAQs

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

I_sat - Courant de saturation?q - Charge?A - Zone de jonction de la base de l'émetteur?D_n - Diffusion efficace?n_i - Concentration intrinsèque?Q_b - Impureté totale?

Exemple Courant de saturation dans le transistor

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de saturation dans le transistor avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de saturation dans le transistor avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de saturation dans le transistor.

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

2.1175A = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Solution

Copie

Partager

Tu es là -

HomeIcon

Maison » Category

Category

Ingénierie » Category

Category

Électronique » Category

Category

Circuits intégrés (CI) » fx Courant de saturation dans le transistor

Courant de saturation dans le transistor Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de saturation dans le transistor ?

Premier pas Considérez la formule

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

I sat = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

I sat = \frac{0.005C \cdot 0.0002m² \cdot 0.5 \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{360000m²}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

I sat = \frac{0.005 \cdot 0.0002 \cdot 0.5 \cdot {1.3E+6}^{2}}{360000}

Dernière étape Évaluer

∴

I sat = 2.1175A

Courant de saturation dans le transistor Formule Éléments

Variables

Courant de saturation

Le courant de saturation fait référence au courant maximum qui peut traverser le transistor lorsqu'il est complètement activé.

Symbole: I_sat

La mesure: Courant électriqueUnité: A

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Courant de saturation

Open Variable

Charge

Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.

Symbole: q

La mesure: Charge électriqueUnité: mC

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Charge

Open Variable

Zone de jonction de la base de l'émetteur

La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.

Symbole: A

La mesure: ZoneUnité: cm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Zone de jonction de la base de l'émetteur

Open Variable

Diffusion efficace

La diffusion effective est un paramètre lié au processus de diffusion des porteurs et est influencée par les propriétés du matériau et la géométrie de la jonction semi-conductrice.

Symbole: D_n

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Diffusion efficace

Open Variable

Concentration intrinsèque

La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.

Symbole: n_i

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration intrinsèque

Open Variable

Impureté totale

L'impureté totale définit les impuretés qui sont mélangées à un atome par unité de surface dans une base ou la quantité d'impureté ajoutée à un semi-conducteur intrinsèque fait varier son niveau de conductivité.

Symbole: Q_b

La mesure: ZoneUnité: cm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Impureté totale

Open Variable

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés bipolaires

va Impureté à concentration intrinsèque

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

va Conductivité ohmique des impuretés

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

va Tension de rupture de l'émetteur collecteur

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

va Conductivité de type N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Voir plus OpenImg

OpenImg

Comment évaluer Courant de saturation dans le transistor ?

L'évaluateur Courant de saturation dans le transistor utilise Saturation Current = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Diffusion efficace*Concentration intrinsèque^2)/Impureté totale pour évaluer Courant de saturation, La formule du courant de saturation dans le transistor est la partie du courant inverse dans une diode semi-conductrice provoquée par la diffusion de porteurs minoritaires des régions neutres vers la région d'appauvrissement. Ce courant est quasiment indépendant de la tension inverse. Courant de saturation est désigné par le symbole I_sat.

Comment évaluer Courant de saturation dans le transistor à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de saturation dans le transistor, saisissez Charge (q), Zone de jonction de la base de l'émetteur (A), Diffusion efficace (D_n), Concentration intrinsèque (n_i) & Impureté totale (Q_b) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de saturation dans le transistor

Quelle est la formule pour trouver Courant de saturation dans le transistor ?

La formule de Courant de saturation dans le transistor est exprimée sous la forme Saturation Current = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Diffusion efficace*Concentration intrinsèque^2)/Impureté totale. Voici un exemple : 2.1175 = (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000.

Comment calculer Courant de saturation dans le transistor ?

Avec Charge (q), Zone de jonction de la base de l'émetteur (A), Diffusion efficace (D_n), Concentration intrinsèque (n_i) & Impureté totale (Q_b), nous pouvons trouver Courant de saturation dans le transistor en utilisant la formule - Saturation Current = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Diffusion efficace*Concentration intrinsèque^2)/Impureté totale.

Le Courant de saturation dans le transistor peut-il être négatif ?

Oui, le Courant de saturation dans le transistor, mesuré dans Courant électrique peut, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de saturation dans le transistor ?

Courant de saturation dans le transistor est généralement mesuré à l'aide de Ampère[A] pour Courant électrique. Milliampère[A], Microampère[A], centiampère[A] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de saturation dans le transistor peut être mesuré.

Let Others Know

✖

WhatsApp

Copied!