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Formule Courant de drainage de la région ohmique du FET

vaCourant de drain du FET Formule

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Le courant de drain FET est le courant qui traverse la jonction de drain du FET. Vérifiez FAQs

I d(fet) = G o(fet) \cdot (V ds(fet) + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(Ψ 0(fet) + V ds(fet) - V ds(fet))}^{\frac{3}{2}} - {(Ψ 0(fet) + V ds(fet))}^{\frac{3}{2}}}{{(Ψ 0(fet) + V off(fet))}^{\frac{1}{2}}})

I_d(fet) - Courant de vidange FET?G_o(fet) - FET de conductance de canal?V_ds(fet) - Tension de source de drain FET?Ψ_0(fet) - FET de potentiel de surface?V_off(fet) - Tension de pincement?

Exemple Courant de drainage de la région ohmique du FET

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drainage de la région ohmique du FET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drainage de la région ohmique du FET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drainage de la région ohmique du FET.

0.3055 = 0.24 \cdot (4.8 + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976 + 4.8 - 4.8)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976 + 4.8)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976 + 63.56)}^{\frac{1}{2}}})

0.3055mA = 0.24mS \cdot (4.8V + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976V + 4.8V - 4.8V)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976V + 4.8V)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976V + 63.56V)}^{\frac{1}{2}}})

0.3055 = 0.24 \cdot (4.8 + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976 + 4.8 - 4.8)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976 + 4.8)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976 + 63.56)}^{\frac{1}{2}}})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

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Courant de drainage de la région ohmique du FET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de drainage de la région ohmique du FET ?

Premier pas Considérez la formule

I d(fet) = G o(fet) \cdot (V ds(fet) + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(Ψ 0(fet) + V ds(fet) - V ds(fet))}^{\frac{3}{2}} - {(Ψ 0(fet) + V ds(fet))}^{\frac{3}{2}}}{{(Ψ 0(fet) + V off(fet))}^{\frac{1}{2}}})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

I d(fet) = 0.24mS \cdot (4.8V + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976V + 4.8V - 4.8V)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976V + 4.8V)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976V + 63.56V)}^{\frac{1}{2}}})

L'étape suivante Convertir des unités

∴

I d(fet) = 0.0002S \cdot (4.8V + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976V + 4.8V - 4.8V)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976V + 4.8V)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976V + 63.56V)}^{\frac{1}{2}}})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

I d(fet) = 0.0002 \cdot (4.8 + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976 + 4.8 - 4.8)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976 + 4.8)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976 + 63.56)}^{\frac{1}{2}}})

L'étape suivante Évaluer

∴

I d(fet) = 0.000305501451597179A

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

I d(fet) = 0.305501451597179mA

Dernière étape Réponse arrondie

∴

I d(fet) = 0.3055mA

Courant de drainage de la région ohmique du FET Formule Éléments

Variables

Courant de vidange FET

Le courant de drain FET est le courant qui traverse la jonction de drain du FET.

Symbole: I_d(fet)

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant de vidange FET

FET de conductance de canal

Channel Conductance FET est la mesure de la façon dont le canal d'un FET conduit le courant. Elle est déterminée par la mobilité des porteurs de charge dans le canal.

Symbole: G_o(fet)

La mesure: Conductivité électriqueUnité: mS

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver FET de conductance de canal

Tension de source de drain FET

Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d'un FET.

Symbole: V_ds(fet)

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension de source de drain FET

FET de potentiel de surface

Potentiel de surface FET fonctionne sur la base du potentiel de surface du canal semi-conducteur, contrôlant le flux de courant à travers une tension de grille sans générer de couches d'inversion.

Symbole: Ψ_0(fet)

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver FET de potentiel de surface

Tension de pincement

La tension de pincement est la tension à laquelle le canal d'un transistor à effet de champ (FET) devient si étroit qu'il se ferme efficacement, empêchant tout flux de courant supplémentaire.

Symbole: V_off(fet)

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension de pincement

Autres formules pour trouver Courant de vidange FET

va Courant de drain du FET

I d(fet) = I dss(fet) \cdot {(1 - \frac{V ds(fet)}{V cut-off(fet)})}^{2}

Autres formules dans la catégorie FET

va Pincer la tension du FET

V off(fet) = V ds-off(fet) - V ds(fet)

va Transconductance du FET

G m(fet) = \frac{2 \cdot I dss(fet)}{V off(fet)} \cdot (1 - \frac{V ds(fet)}{V off(fet)})

va Tension de source de drain du FET

V ds(fet) = V dd(fet) - I d(fet) \cdot (R d(fet) + R s(fet))

va Gain de tension du FET

A v(fet) = - G m(fet) \cdot R d(fet)

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Courant de drainage de la région ohmique du FET ?

L'évaluateur Courant de drainage de la région ohmique du FET utilise Drain Current FET = FET de conductance de canal*(Tension de source de drain FET+3/2*((FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET-Tension de source de drain FET)^(3/2)-(FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET)^(3/2))/((FET de potentiel de surface+Tension de pincement)^(1/2))) pour évaluer Courant de vidange FET, Le courant de drain de la région ohmique du FET est le courant de drain qui circule lorsque la tension drain-source est faible et que la tension de grille est nulle. Dans cette région, le courant de drain est proportionnel à la tension drain-source et à la conductance du canal du FET. Dans un amplificateur de tension, le courant de drain de la région ohmique d'un FET est utilisé pour générer un gain de tension. Le FET est polarisé dans la région ohmique afin qu'il se comporte comme une résistance linéaire. La tension d'entrée est appliquée à la grille du FET et la tension de sortie est prélevée sur le drain du FET. Le gain de tension de l'amplificateur est déterminé par la conductance du canal du FET et la résistance de charge. Courant de vidange FET est désigné par le symbole I_d(fet).

Comment évaluer Courant de drainage de la région ohmique du FET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de drainage de la région ohmique du FET, saisissez FET de conductance de canal (G_o(fet)), Tension de source de drain FET (V_ds(fet)), FET de potentiel de surface (Ψ_0(fet)) & Tension de pincement (V_off(fet)) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de drainage de la région ohmique du FET

Quelle est la formule pour trouver Courant de drainage de la région ohmique du FET ?

La formule de Courant de drainage de la région ohmique du FET est exprimée sous la forme Drain Current FET = FET de conductance de canal*(Tension de source de drain FET+3/2*((FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET-Tension de source de drain FET)^(3/2)-(FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET)^(3/2))/((FET de potentiel de surface+Tension de pincement)^(1/2))). Voici un exemple : 95.4692 = 0.00024*(4.8+3/2*((4.976+4.8-4.8)^(3/2)-(4.976+4.8)^(3/2))/((4.976+63.56)^(1/2))).

Comment calculer Courant de drainage de la région ohmique du FET ?

Avec FET de conductance de canal (G_o(fet)), Tension de source de drain FET (V_ds(fet)), FET de potentiel de surface (Ψ_0(fet)) & Tension de pincement (V_off(fet)), nous pouvons trouver Courant de drainage de la région ohmique du FET en utilisant la formule - Drain Current FET = FET de conductance de canal*(Tension de source de drain FET+3/2*((FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET-Tension de source de drain FET)^(3/2)-(FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET)^(3/2))/((FET de potentiel de surface+Tension de pincement)^(1/2))).

Quelles sont les autres façons de calculer Courant de vidange FET ?

Voici les différentes façons de calculer Courant de vidange FET-

Drain Current FET=Zero Bias Drain Current*(1-Drain Source Voltage FET/Cutt-off Voltage FET)^2

Le Courant de drainage de la région ohmique du FET peut-il être négatif ?

Non, le Courant de drainage de la région ohmique du FET, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de drainage de la région ohmique du FET ?

Courant de drainage de la région ohmique du FET est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de drainage de la région ohmique du FET peut être mesuré.

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Formule Courant de drainage de la région ohmique du FET

​vaCourant de drain du FET Formule

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Autres formules pour trouver Courant de vidange FET

Autres formules dans la catégorie FET

Comment évaluer Courant de drainage de la région ohmique du FET ?

FAQs sur Courant de drainage de la région ohmique du FET

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vaCourant de drain du FET Formule