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Formule Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

vaCourant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Formule

vaCourant de drain dans la ligne de charge Formule

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Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques. Vérifiez FAQs

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

i_d - Courant de vidange?k'_p - Transconductance de processus dans PMOS?WL - Ratio d'aspect?V_gs - Tension grille-source?V_th - Tension de seuil?

Exemple Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET.

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

0.0838mA = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

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Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET ?

Premier pas Considérez la formule

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.0006S \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.0006 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

L'étape suivante Évaluer

∴

i d = 8.381E-05A

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

i d = 0.08381mA

Dernière étape Réponse arrondie

∴

i d = 0.0838mA

Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET Formule Éléments

Variables

Courant de vidange

Symbole: i_d

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant de vidange

Transconductance de processus dans PMOS

La transconductance de processus dans PMOS fait référence au gain d'un transistor PMOS par rapport à sa tension grille-source.

Symbole: k'_p

La mesure: Conductivité électriqueUnité: mS

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Transconductance de processus dans PMOS

Ratio d'aspect

Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source

Symbole: WL

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Ratio d'aspect

Tension grille-source

La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.

Symbole: V_gs

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension grille-source

Tension de seuil

La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

Symbole: V_th

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de seuil

Autres formules pour trouver Courant de vidange

va Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

va Courant de drain dans la ligne de charge

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

va Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

va Courant de vidange instantané

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

Autres formules dans la catégorie Actuel

va Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

va Deuxième courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

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Comment évaluer Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET ?

L'évaluateur Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET utilise Drain Current = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)^2 pour évaluer Courant de vidange, Le courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET est lorsque le MOSFET est utilisé pour concevoir un amplificateur, il fonctionne dans la région de saturation. En effet, le MOSFET fonctionne alors comme une source de courant commandée en tension. Courant de vidange est désigné par le symbole i_d.

Comment évaluer Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET, saisissez Transconductance de processus dans PMOS (k'_p), Ratio d'aspect (WL), Tension grille-source (V_gs) & Tension de seuil (V_th) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

Quelle est la formule pour trouver Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET ?

La formule de Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET est exprimée sous la forme Drain Current = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)^2. Voici un exemple : 83.81 = 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2.

Comment calculer Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET ?

Avec Transconductance de processus dans PMOS (k'_p), Ratio d'aspect (WL), Tension grille-source (V_gs) & Tension de seuil (V_th), nous pouvons trouver Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET en utilisant la formule - Drain Current = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)^2.

Quelles sont les autres façons de calculer Courant de vidange ?

Voici les différentes façons de calculer Courant de vidange-

Drain Current=(DC Bias Current/Overdrive Voltage)*(Differential Input Signal/2)
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance
Drain Current=Transconductance Parameter*((Critical Voltage-Total Voltage)^2)

Le Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET peut-il être négatif ?

Non, le Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET ?

Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET peut être mesuré.

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Formule Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

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​vaCourant de drain dans la ligne de charge Formule

Exemple Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

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Comment évaluer Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET ?

FAQs sur Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

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vaCourant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Formule

vaCourant de drain dans la ligne de charge Formule