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Formule Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

vaCourant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Formule

vaCourant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET Formule

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Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques. Vérifiez FAQs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

i_d - Courant de vidange?K_n - Paramètre de transconductance?V_c - Tension critique?V_t - Tension totale?

Exemple Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs.

206.1259 = 0.07 \cdot ({(0.284 - 2)}^{2})

206.1259mA = 0.07A/V² \cdot ({(0.284V - 2V)}^{2})

206.1259 = 0.07 \cdot ({(0.284 - 2)}^{2})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

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Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs ?

Premier pas Considérez la formule

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

i d = 0.07A/V² \cdot ({(0.284V - 2V)}^{2})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

i d = 0.07 \cdot ({(0.284 - 2)}^{2})

L'étape suivante Évaluer

∴

i d = 0.20612592A

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

i d = 206.12592mA

Dernière étape Réponse arrondie

∴

i d = 206.1259mA

Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs Formule Éléments

Variables

Courant de vidange

Symbole: i_d

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant de vidange

Paramètre de transconductance

Le paramètre de transconductance Kn est une mesure de la variation du courant circulant dans un transistor en réponse à une petite variation de tension.

Symbole: K_n

La mesure: Paramètre de transconductanceUnité: A/V²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Paramètre de transconductance

Tension critique

La tension critique est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.

Symbole: V_c

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension critique

Tension totale

La tension totale dans un circuit en série est égale à la somme de toutes les chutes de tension individuelles dans le circuit.

Symbole: V_t

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension totale

Autres formules pour trouver Courant de vidange

va Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

va Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

va Courant de drain dans la ligne de charge

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

va Courant de vidange instantané

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

Autres formules dans la catégorie Actuel

va Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

va Deuxième courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

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Comment évaluer Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs ?

L'évaluateur Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs utilise Drain Current = Paramètre de transconductance*((Tension critique-Tension totale)^2) pour évaluer Courant de vidange, Le courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs est défini comme le courant de drain qui traverse le transistor lorsqu'une tension grille-source agit sur lui. Courant de vidange est désigné par le symbole i_d.

Comment évaluer Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs, saisissez Paramètre de transconductance (K_n), Tension critique (V_c) & Tension totale (V_t) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

Quelle est la formule pour trouver Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs ?

La formule de Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs est exprimée sous la forme Drain Current = Paramètre de transconductance*((Tension critique-Tension totale)^2). Voici un exemple : 45587.43 = 0.07*((0.284-2)^2).

Comment calculer Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs ?

Avec Paramètre de transconductance (K_n), Tension critique (V_c) & Tension totale (V_t), nous pouvons trouver Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs en utilisant la formule - Drain Current = Paramètre de transconductance*((Tension critique-Tension totale)^2).

Quelles sont les autres façons de calculer Courant de vidange ?

Voici les différentes façons de calculer Courant de vidange-

Drain Current=(DC Bias Current/Overdrive Voltage)*(Differential Input Signal/2)
Drain Current=1/2*Process Transconductance in PMOS*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance

Le Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs peut-il être négatif ?

Non, le Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs ?

Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs peut être mesuré.

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Formule Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

​vaCourant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Formule

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Exemple Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs Solution

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Comment évaluer Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs ?

FAQs sur Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

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vaCourant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Formule

vaCourant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET Formule