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Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source. Vérifiez FAQs
id=Vfc+VdRd
id - Courant de vidange?Vfc - Tension des composants fondamentaux?Vd - Tension de vidange instantanée totale?Rd - Résistance aux fuites?

Exemple Courant de drain du transistor

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain du transistor avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain du transistor avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain du transistor.

17.4556Edit=5Edit+1.284Edit0.36Edit
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Courant de drain du transistor Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de drain du transistor ?

Premier pas Considérez la formule
id=Vfc+VdRd
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
id=5V+1.284V0.36
L'étape suivante Convertir des unités
id=5V+1.284V360Ω
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
id=5+1.284360
L'étape suivante Évaluer
id=0.0174555555555556A
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
id=17.4555555555556mA
Dernière étape Réponse arrondie
id=17.4556mA

Courant de drain du transistor Formule Éléments

Variables
Courant de vidange
Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Symbole: id
La mesure: Courant électriqueUnité: mA
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension des composants fondamentaux
La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.
Symbole: Vfc
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de vidange instantanée totale
La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes grille-source du transistor.
Symbole: Vd
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Résistance aux fuites
La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Symbole: Rd
La mesure: Résistance électriqueUnité:
Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Autres formules pour trouver Courant de vidange

​va Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source
id=Kn(Vox-Vt)Vgs

Autres formules dans la catégorie Caractéristiques de l'amplificateur à transistor

​va Tension de drain instantanée totale
Vd=Vfc-Rdid
​va Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde
io=(μeCox(WcL)(Vox-Vt))Vds
​va Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation
ids=12k'n(WcL)(Vov)2
​va Tension d'entrée dans le transistor
Vfc=Rdid-Vd

Comment évaluer Courant de drain du transistor ?

L'évaluateur Courant de drain du transistor utilise Drain Current = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites pour évaluer Courant de vidange, Le courant de drain du transistor fait référence au flux de courant à travers le collecteur d'un transistor à jonction bipolaire, du collecteur à l'émetteur. Courant de vidange est désigné par le symbole id.

Comment évaluer Courant de drain du transistor à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de drain du transistor, saisissez Tension des composants fondamentaux (Vfc), Tension de vidange instantanée totale (Vd) & Résistance aux fuites (Rd) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de drain du transistor

Quelle est la formule pour trouver Courant de drain du transistor ?
La formule de Courant de drain du transistor est exprimée sous la forme Drain Current = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites. Voici un exemple : 17499.3 = (5+1.284)/360.
Comment calculer Courant de drain du transistor ?
Avec Tension des composants fondamentaux (Vfc), Tension de vidange instantanée totale (Vd) & Résistance aux fuites (Rd), nous pouvons trouver Courant de drain du transistor en utilisant la formule - Drain Current = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites.
Quelles sont les autres façons de calculer Courant de vidange ?
Voici les différentes façons de calculer Courant de vidange-
  • Drain Current=Transconductance Parameter*(Voltage across Oxide-Threshold Voltage)*Voltage between Gate and SourceOpenImg
Le Courant de drain du transistor peut-il être négatif ?
Non, le Courant de drain du transistor, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de drain du transistor ?
Courant de drain du transistor est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de drain du transistor peut être mesuré.
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