FormulaDen.com

La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

vaCourant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET Formule

vaCourant de drain dans la ligne de charge Formule

Fx Copie

LaTeX Copie

Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques. Vérifiez FAQs

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

i_d - Courant de vidange?I_b - Courant de polarisation CC?V_ov - Tension de surmultiplication?V_id - Signal d'entrée différentiel?

Exemple Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication.

4.7356 = (\frac{985}{3.12}) \cdot (\frac{0.03}{2})

4.7356mA = (\frac{985mA}{3.12V}) \cdot (\frac{0.03V}{2})

4.7356 = (\frac{985}{3.12}) \cdot (\frac{0.03}{2})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Calculer

Recalculer

Solution

Copie

Réinitialiser

Tu es là -

Maison » Category

Ingénierie » Category

Électronique » Category

Électronique analogique » fx Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?

Premier pas Considérez la formule

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

i d = (\frac{985mA}{3.12V}) \cdot (\frac{0.03V}{2})

L'étape suivante Convertir des unités

∴

i d = (\frac{0.985A}{3.12V}) \cdot (\frac{0.03V}{2})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

i d = (\frac{0.985}{3.12}) \cdot (\frac{0.03}{2})

L'étape suivante Évaluer

∴

i d = 0.00473557692307692A

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

i d = 4.73557692307692mA

Dernière étape Réponse arrondie

∴

i d = 4.7356mA

Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Formule Éléments

Variables

Courant de vidange

Symbole: i_d

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant de vidange

Courant de polarisation CC

Le courant de polarisation CC est le courant constant qui circule dans un circuit ou un appareil pour établir un certain point de fonctionnement ou point de polarisation.

Symbole: I_b

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant de polarisation CC

Tension de surmultiplication

La tension de surcharge est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.

Symbole: V_ov

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension de surmultiplication

Signal d'entrée différentiel

Un signal d'entrée différentiel fait référence à un type de signal électrique composé de deux signaux de tension distincts, chacun mesuré par rapport à un point de référence commun, généralement appelé la masse.

Symbole: V_id

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Signal d'entrée différentiel

Autres formules pour trouver Courant de vidange

va Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

va Courant de drain dans la ligne de charge

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

va Courant de drain instantané par rapport à la composante continue de Vgs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

va Courant de vidange instantané

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

Autres formules dans la catégorie Actuel

va Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

va Deuxième courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?

L'évaluateur Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication utilise Drain Current = (Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication)*(Signal d'entrée différentiel/2) pour évaluer Courant de vidange, Le courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal étant donné la formule de tension de surcharge est défini comme indique la capacité de conduction de courant de la puce de silicium ; il peut être utilisé comme guide lors de la comparaison de différents appareils. Cependant, le courant de drain maximal nominal ne doit pas être autorisé à circuler vers la puce. Courant de vidange est désigné par le symbole i_d.

Comment évaluer Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication, saisissez Courant de polarisation CC (I_b), Tension de surmultiplication (V_ov) & Signal d'entrée différentiel (V_id) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

Quelle est la formule pour trouver Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?

La formule de Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication est exprimée sous la forme Drain Current = (Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication)*(Signal d'entrée différentiel/2). Voici un exemple : 4735.577 = (0.985/3.12)*(0.03/2).

Comment calculer Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?

Avec Courant de polarisation CC (I_b), Tension de surmultiplication (V_ov) & Signal d'entrée différentiel (V_id), nous pouvons trouver Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication en utilisant la formule - Drain Current = (Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication)*(Signal d'entrée différentiel/2).

Quelles sont les autres façons de calculer Courant de vidange ?

Voici les différentes façons de calculer Courant de vidange-

Drain Current=1/2*Process Transconductance in PMOS*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance
Drain Current=Transconductance Parameter*((Critical Voltage-Total Voltage)^2)

Le Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication peut-il être négatif ?

Non, le Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication ?

Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valeur
: Unité