FormulaDen.com

La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Courant dans le canal d'inversion du PMOS

vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS Formule

vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd Formule

Fx Copie

LaTeX Copie

Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET). Vérifiez FAQs

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

I_d - Courant de vidange?W - Largeur de jonction?Q_p - Charge de couche d'inversion?V_y - Vitesse de dérive d'inversion?

Exemple Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Courant dans le canal d'inversion du PMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant dans le canal d'inversion du PMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Courant dans le canal d'inversion du PMOS.

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 1463)

29.5965mA = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 1463cm/s)

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 1463)

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Calculer

Recalculer

Solution

Copie

Réinitialiser

Tu es là -

Maison » Category

Ingénierie » Category

Électronique » Category

Électronique analogique » fx Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Courant dans le canal d'inversion du PMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Courant dans le canal d'inversion du PMOS ?

Premier pas Considérez la formule

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 1463cm/s)

L'étape suivante Convertir des unités

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 14.63m/s)

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

I d = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 14.63)

L'étape suivante Évaluer

∴

I d = 0.02959649A

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

I d = 29.59649mA

Dernière étape Réponse arrondie

∴

I d = 29.5965mA

Courant dans le canal d'inversion du PMOS Formule Éléments

Variables

Courant de vidange

Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).

Symbole: I_d

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant de vidange

Largeur de jonction

La largeur de jonction est le paramètre qui indique la largeur de la jonction de base de tout élément électronique analogique.

Symbole: W

La mesure: LongueurUnité: m

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Largeur de jonction

Charge de couche d'inversion

La charge de la couche d'inversion fait référence à l'accumulation de porteurs de charge à l'interface entre le semi-conducteur et la couche d'oxyde isolante lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille.

Symbole: Q_p

La mesure: Densité de charge de surfaceUnité: C/m²

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Charge de couche d'inversion

Vitesse de dérive d'inversion

La vitesse de dérive de la couche d'inversion dans un MOSFET est la vitesse moyenne des électrons qui composent la couche d'inversion lorsqu'ils se déplacent à travers le matériau sous l'influence d'un champ électrique.

Symbole: V_y

La mesure: La rapiditéUnité: cm/s

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Vitesse de dérive d'inversion

Autres formules pour trouver Courant de vidange

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

va Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Courant de drain global du transistor PMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

va Drainer le courant de la source au drain

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal P

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

va Paramètre de transconductance de processus de PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

va Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

V y = μ p \cdot E y

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Courant dans le canal d'inversion du PMOS ?

L'évaluateur Courant dans le canal d'inversion du PMOS utilise Drain Current = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion) pour évaluer Courant de vidange, Le courant dans le canal d'inversion de la formule PMOS est défini comme le courant dans le canal d'inversion est un paramètre important pour le fonctionnement du transistor PMOS car il détermine la fonctionnalité du transistor, comme ses caractéristiques de gain et de sortie. Courant de vidange est désigné par le symbole I_d.

Comment évaluer Courant dans le canal d'inversion du PMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Courant dans le canal d'inversion du PMOS, saisissez Largeur de jonction (W), Charge de couche d'inversion (Q_p) & Vitesse de dérive d'inversion (V_y) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Quelle est la formule pour trouver Courant dans le canal d'inversion du PMOS ?

La formule de Courant dans le canal d'inversion du PMOS est exprimée sous la forme Drain Current = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion). Voici un exemple : 29596.49 = (1.19*0.0017*14.63).

Comment calculer Courant dans le canal d'inversion du PMOS ?

Avec Largeur de jonction (W), Charge de couche d'inversion (Q_p) & Vitesse de dérive d'inversion (V_y), nous pouvons trouver Courant dans le canal d'inversion du PMOS en utilisant la formule - Drain Current = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion).

Quelles sont les autres façons de calculer Courant de vidange ?

Voici les différentes façons de calculer Courant de vidange-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))

Le Courant dans le canal d'inversion du PMOS peut-il être négatif ?

Non, le Courant dans le canal d'inversion du PMOS, mesuré dans Courant électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Courant dans le canal d'inversion du PMOS ?

Courant dans le canal d'inversion du PMOS est généralement mesuré à l'aide de Milliampère[mA] pour Courant électrique. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] sont les quelques autres unités dans lesquelles Courant dans le canal d'inversion du PMOS peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valeur
: Unité

Formule Courant dans le canal d'inversion du PMOS

​vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS Formule

​vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd Formule

Exemple Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Courant dans le canal d'inversion du PMOS Solution

Courant dans le canal d'inversion du PMOS Formule Éléments

Autres formules pour trouver Courant de vidange

Autres formules dans la catégorie Amélioration du canal P

Comment évaluer Courant dans le canal d'inversion du PMOS ?

FAQs sur Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Variable Name

vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS Formule

vaCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd Formule