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La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre. Vérifiez FAQs
σ=q⋅(μn⋅ne+μp⋅p)
σ - Conductivité Ohmique?q - Charge?μn - Mobilité du silicium dopé électroniquement?ne - Concentration d'électrons?μp - Mobilité du silicium dopé par trous?p - Concentration des trous?

Exemple Conductivité ohmique des impuretés

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Conductivité ohmique des impuretés avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductivité ohmique des impuretés avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductivité ohmique des impuretés.

0.1044Edit=5Edit⋅(0.38Edit⋅50.6Edit+2.4Edit⋅0.69Edit)
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HomeIcon Maison » Category Ingénierie » Category Électronique » Category Circuits intégrés (CI) » fx Conductivité ohmique des impuretés

Conductivité ohmique des impuretés Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Conductivité ohmique des impuretés ?

Premier pas Considérez la formule
σ=q⋅(μn⋅ne+μp⋅p)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ σ=5mC⋅(0.38cm²/V*s⋅50.61/cm³+2.4cm²/V*s⋅0.691/cm³)
L'étape suivante Convertir des unités
∴ σ=0.005C⋅(3.8E-5m²/V*s⋅5.1E+71/m³+0.0002m²/V*s⋅6900001/m³)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ σ=0.005⋅(3.8E-5⋅5.1E+7+0.0002⋅690000)
L'étape suivante Évaluer
∴σ=10.442S/m
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
∴σ=0.10442mho/cm
Dernière étape Réponse arrondie
∴σ=0.1044mho/cm

Conductivité ohmique des impuretés Formule Éléments

Variables
Conductivité Ohmique
La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre.
Symbole: σ
La mesure: Conductivité électriqueUnité: mho/cm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Conductivité OhmiqueOpen Variable
Charge
Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Symbole: q
La mesure: Charge électriqueUnité: mC
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver ChargeOpen Variable
Mobilité du silicium dopé électroniquement
La mobilité du silicium par dopage électronique caractérise la rapidité avec laquelle un électron peut se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.
Symbole: μn
La mesure: MobilitéUnité: cm²/V*s
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Mobilité du silicium dopé électroniquementOpen Variable
Concentration d'électrons
La concentration électronique est influencée par divers facteurs tels que la température, les impuretés ou les dopants ajoutés au matériau semi-conducteur et les champs électriques ou magnétiques externes.
Symbole: ne
La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Concentration d'électronsOpen Variable
Mobilité du silicium dopé par trous
La mobilité du silicium dopé par trou est la capacité d'un trou à traverser un métal ou un semi-conducteur en présence d'un champ électrique appliqué.
Symbole: μp
La mesure: MobilitéUnité: cm²/V*s
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Mobilité du silicium dopé par trousOpen Variable
Concentration des trous
La concentration de trous implique un plus grand nombre de porteurs de charge disponibles dans le matériau, affectant sa conductivité et divers dispositifs semi-conducteurs.
Symbole: p
La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Concentration des trousOpen Variable

Autres formules pour trouver Conductivité Ohmique

​va Conductivité de type N
σ=q⋅(μn⋅Nd+μp⋅(ni2Nd))
​va Conductivité de type P
σ=q⋅(μn⋅(ni2Na)+μp⋅Na)

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés bipolaires

​va Impureté à concentration intrinsèque
ni=ne⋅pto
​va Tension de rupture de l'émetteur collecteur
Vce=Vcb(ig)1n
​va Résistance de la couche diffusée
R=(1σ)⋅(LW⋅t)
​va Résistance de la feuille de couche
Rs=1q⋅μn⋅Nd⋅t

Comment évaluer Conductivité ohmique des impuretés ?

L'évaluateur Conductivité ohmique des impuretés utilise Ohmic Conductivity = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous) pour évaluer Conductivité Ohmique, La conductivité ohmique des impuretés fait spécifiquement référence à une relation linéaire entre le courant traversant un matériau et la tension appliquée. Dans le contexte des atomes d'impuretés dans un semi-conducteur, le comportement de conductivité est principalement déterminé par la concentration de dopants, les porteurs de charge introduits et leur mobilité au sein du réseau cristallin. Conductivité Ohmique est désigné par le symbole σ.

Comment évaluer Conductivité ohmique des impuretés à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Conductivité ohmique des impuretés, saisissez Charge (q), Mobilité du silicium dopé électroniquement (μn), Concentration d'électrons (ne), Mobilité du silicium dopé par trous (μp) & Concentration des trous (p) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Conductivité ohmique des impuretés

Quelle est la formule pour trouver Conductivité ohmique des impuretés ?
La formule de Conductivité ohmique des impuretés est exprimée sous la forme Ohmic Conductivity = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous). Voici un exemple : 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000).
Comment calculer Conductivité ohmique des impuretés ?
Avec Charge (q), Mobilité du silicium dopé électroniquement (μn), Concentration d'électrons (ne), Mobilité du silicium dopé par trous (μp) & Concentration des trous (p), nous pouvons trouver Conductivité ohmique des impuretés en utilisant la formule - Ohmic Conductivity = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous).
Quelles sont les autres façons de calculer Conductivité Ohmique ?
Voici les différentes façons de calculer Conductivité Ohmique-
  • Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of N-Type+Hole Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of N-Type))OpenImg
  • Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)OpenImg
Le Conductivité ohmique des impuretés peut-il être négatif ?
Non, le Conductivité ohmique des impuretés, mesuré dans Conductivité électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Conductivité ohmique des impuretés ?
Conductivité ohmique des impuretés est généralement mesuré à l'aide de Mho / Centimètre[mho/cm] pour Conductivité électrique. Siemens / mètre[mho/cm], Mho / Mètre[mho/cm], Abmho / Mètre[mho/cm] sont les quelques autres unités dans lesquelles Conductivité ohmique des impuretés peut être mesuré.
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