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La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre. Vérifiez FAQs
σ=q⋅(μn⋅(ni2Na)+μp⋅Na)
σ - Conductivité Ohmique?q - Charge?μn - Mobilité du silicium dopé électroniquement?ni - Concentration intrinsèque?Na - Concentration à l'équilibre de type P?μp - Mobilité du silicium dopé par trous?

Exemple Conductivité de type P

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Conductivité de type P avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductivité de type P avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductivité de type P.

0.0857Edit=5Edit⋅(0.38Edit⋅(1.32Edit27.1Edit)+2.4Edit⋅7.1Edit)
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HomeIcon Maison » Category Ingénierie » Category Électronique » Category Circuits intégrés (CI) » fx Conductivité de type P

Conductivité de type P Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Conductivité de type P ?

Premier pas Considérez la formule
σ=q⋅(μn⋅(ni2Na)+μp⋅Na)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ σ=5mC⋅(0.38cm²/V*s⋅(1.321/cm³27.11/cm³)+2.4cm²/V*s⋅7.11/cm³)
L'étape suivante Convertir des unités
∴ σ=0.005C⋅(3.8E-5m²/V*s⋅(1.3E+61/m³27.1E+61/m³)+0.0002m²/V*s⋅7.1E+61/m³)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ σ=0.005⋅(3.8E-5⋅(1.3E+627.1E+6)+0.0002⋅7.1E+6)
L'étape suivante Évaluer
∴σ=8.5666276056338S/m
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
∴σ=0.085666276056338mho/cm
Dernière étape Réponse arrondie
∴σ=0.0857mho/cm

Conductivité de type P Formule Éléments

Variables
Conductivité Ohmique
La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre.
Symbole: σ
La mesure: Conductivité électriqueUnité: mho/cm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Conductivité OhmiqueOpen Variable
Charge
Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Symbole: q
La mesure: Charge électriqueUnité: mC
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver ChargeOpen Variable
Mobilité du silicium dopé électroniquement
La mobilité du silicium par dopage électronique caractérise la rapidité avec laquelle un électron peut se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.
Symbole: μn
La mesure: MobilitéUnité: cm²/V*s
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Mobilité du silicium dopé électroniquementOpen Variable
Concentration intrinsèque
La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Symbole: ni
La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Concentration intrinsèqueOpen Variable
Concentration à l'équilibre de type P
La concentration à l'équilibre des électrons de type P sont les porteurs minoritaires et les trous sont les porteurs majoritaires.
Symbole: Na
La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Concentration à l'équilibre de type POpen Variable
Mobilité du silicium dopé par trous
La mobilité du silicium dopé par trou est la capacité d'un trou à traverser un métal ou un semi-conducteur en présence d'un champ électrique appliqué.
Symbole: μp
La mesure: MobilitéUnité: cm²/V*s
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Mobilité du silicium dopé par trousOpen Variable

Autres formules pour trouver Conductivité Ohmique

​va Conductivité ohmique des impuretés
σ=q⋅(μn⋅ne+μp⋅p)
​va Conductivité de type N
σ=q⋅(μn⋅Nd+μp⋅(ni2Nd))

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés bipolaires

​va Impureté à concentration intrinsèque
ni=ne⋅pto
​va Tension de rupture de l'émetteur collecteur
Vce=Vcb(ig)1n
​va Résistance de la couche diffusée
R=(1σ)⋅(LW⋅t)
​va Résistance de la feuille de couche
Rs=1q⋅μn⋅Nd⋅t

Comment évaluer Conductivité de type P ?

L'évaluateur Conductivité de type P utilise Ohmic Conductivity = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*(Concentration intrinsèque^2/Concentration à l'équilibre de type P)+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration à l'équilibre de type P) pour évaluer Conductivité Ohmique, La formule de conductivité de type P est due à la présence de trous. Dans un semi-conducteur de type P, le niveau de Fermi se situe entre le niveau d'énergie de l'accepteur et la bande de cantonnière. Conductivité Ohmique est désigné par le symbole σ.

Comment évaluer Conductivité de type P à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Conductivité de type P, saisissez Charge (q), Mobilité du silicium dopé électroniquement (μn), Concentration intrinsèque (ni), Concentration à l'équilibre de type P (Na) & Mobilité du silicium dopé par trous (μp) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Conductivité de type P

Quelle est la formule pour trouver Conductivité de type P ?
La formule de Conductivité de type P est exprimée sous la forme Ohmic Conductivity = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*(Concentration intrinsèque^2/Concentration à l'équilibre de type P)+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration à l'équilibre de type P). Voici un exemple : 0.000857 = 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000).
Comment calculer Conductivité de type P ?
Avec Charge (q), Mobilité du silicium dopé électroniquement (μn), Concentration intrinsèque (ni), Concentration à l'équilibre de type P (Na) & Mobilité du silicium dopé par trous (μp), nous pouvons trouver Conductivité de type P en utilisant la formule - Ohmic Conductivity = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*(Concentration intrinsèque^2/Concentration à l'équilibre de type P)+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration à l'équilibre de type P).
Quelles sont les autres façons de calculer Conductivité Ohmique ?
Voici les différentes façons de calculer Conductivité Ohmique-
  • Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Electron Concentration+Hole Doping Silicon Mobility*Hole Concentration)OpenImg
  • Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of N-Type+Hole Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of N-Type))OpenImg
Le Conductivité de type P peut-il être négatif ?
Non, le Conductivité de type P, mesuré dans Conductivité électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Conductivité de type P ?
Conductivité de type P est généralement mesuré à l'aide de Mho / Centimètre[mho/cm] pour Conductivité électrique. Siemens / mètre[mho/cm], Mho / Mètre[mho/cm], Abmho / Mètre[mho/cm] sont les quelques autres unités dans lesquelles Conductivité de type P peut être mesuré.
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