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Formule Conductivité de type N

vaConductivité ohmique des impuretés Formule

vaConductivité de type P Formule

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La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre. Vérifiez FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

σ - Conductivité Ohmique?q - Charge?μ_n - Mobilité du silicium dopé électroniquement?N_d - Concentration d'équilibre de type N?μ_p - Mobilité du silicium dopé par trous?n_i - Concentration intrinsèque?

Exemple Conductivité de type N

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Conductivité de type N avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductivité de type N avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductivité de type N.

0.086 = 5 \cdot (0.38 \cdot 45 + 2.4 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{45}))

0.086mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 451/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{451/cm³}))

0.086 = 5 \cdot (0.38 \cdot 45 + 2.4 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{45}))

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Circuits intégrés (CI) » fx Conductivité de type N

Conductivité de type N Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Conductivité de type N ?

Premier pas Considérez la formule

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 451/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{451/cm³}))

L'étape suivante Convertir des unités

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot 4.5E+71/m³ + 0.0002m²/V*s \cdot (\frac{{1.3E+61/m³}^{2}}{4.5E+71/m³}))

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot 4.5E+7 + 0.0002 \cdot (\frac{{1.3E+6}^{2}}{4.5E+7}))

L'étape suivante Évaluer

∴

σ = 8.596464S/m

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

σ = 0.08596464mho/cm

Dernière étape Réponse arrondie

∴

σ = 0.086mho/cm

Conductivité de type N Formule Éléments

Variables

Conductivité Ohmique

La conductivité ohmique est la mesure de la capacité d'un matériau à laisser passer le courant électrique. La conductivité électrique diffère d'un matériau à l'autre.

Symbole: σ

La mesure: Conductivité électriqueUnité: mho/cm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Conductivité Ohmique

Charge

Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.

Symbole: q

La mesure: Charge électriqueUnité: mC

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Charge

Mobilité du silicium dopé électroniquement

La mobilité du silicium par dopage électronique caractérise la rapidité avec laquelle un électron peut se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu'il est attiré par un champ électrique.

Symbole: μ_n

La mesure: MobilitéUnité: cm²/V*s

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Mobilité du silicium dopé électroniquement

Concentration d'équilibre de type N

La concentration d'équilibre de type N est égale à la densité des atomes donneurs car les électrons pour la conduction sont uniquement donnés par l'atome donneur.

Symbole: N_d

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration d'équilibre de type N

Mobilité du silicium dopé par trous

La mobilité du silicium dopé par trou est la capacité d'un trou à traverser un métal ou un semi-conducteur en présence d'un champ électrique appliqué.

Symbole: μ_p

La mesure: MobilitéUnité: cm²/V*s

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Mobilité du silicium dopé par trous

Concentration intrinsèque

La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.

Symbole: n_i

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration intrinsèque

Autres formules pour trouver Conductivité Ohmique

va Conductivité ohmique des impuretés

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

va Conductivité de type P

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés bipolaires

va Impureté à concentration intrinsèque

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

va Tension de rupture de l'émetteur collecteur

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

va Résistance de la couche diffusée

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

va Résistance de la feuille de couche

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Conductivité de type N ?

L'évaluateur Conductivité de type N utilise Ohmic Conductivity = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N)) pour évaluer Conductivité Ohmique, La formule de conductivité de type N est définie comme un semi-conducteur intrinsèque ou extrinsèque et est déterminée par sa capacité à conduire le courant électrique. Les semi-conducteurs de type N sont dopés avec des impuretés qui introduisent des électrons supplémentaires dans le réseau cristallin du semi-conducteur. Conductivité Ohmique est désigné par le symbole σ.

Comment évaluer Conductivité de type N à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Conductivité de type N, saisissez Charge (q), Mobilité du silicium dopé électroniquement (μ_n), Concentration d'équilibre de type N (N_d), Mobilité du silicium dopé par trous (μ_p) & Concentration intrinsèque (n_i) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Conductivité de type N

Quelle est la formule pour trouver Conductivité de type N ?

La formule de Conductivité de type N est exprimée sous la forme Ohmic Conductivity = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N)). Voici un exemple : 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000)).

Comment calculer Conductivité de type N ?

Avec Charge (q), Mobilité du silicium dopé électroniquement (μ_n), Concentration d'équilibre de type N (N_d), Mobilité du silicium dopé par trous (μ_p) & Concentration intrinsèque (n_i), nous pouvons trouver Conductivité de type N en utilisant la formule - Ohmic Conductivity = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N)).

Quelles sont les autres façons de calculer Conductivité Ohmique ?

Voici les différentes façons de calculer Conductivité Ohmique-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Electron Concentration+Hole Doping Silicon Mobility*Hole Concentration)
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)

Le Conductivité de type N peut-il être négatif ?

Non, le Conductivité de type N, mesuré dans Conductivité électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Conductivité de type N ?

Conductivité de type N est généralement mesuré à l'aide de Mho / Centimètre[mho/cm] pour Conductivité électrique. Siemens / mètre[mho/cm], Mho / Mètre[mho/cm], Abmho / Mètre[mho/cm] sont les quelques autres unités dans lesquelles Conductivité de type N peut être mesuré.

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Formule Conductivité de type N

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Exemple Conductivité de type N

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Conductivité de type N Formule Éléments

Autres formules pour trouver Conductivité Ohmique

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