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Formule Conductance du canal des MOSFET

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La conductance du canal est généralement définie comme le rapport du courant traversant le canal à la tension à travers celui-ci. Vérifiez FAQs
G=μs⋅Cox⋅(WcL)⋅Vox
G - Conductance du canal?μs - Mobilité des électrons à la surface du canal?Cox - Capacité d'oxyde?Wc - Largeur de canal?L - Longueur du canal?Vox - Tension aux bornes de l'oxyde?

Exemple Conductance du canal des MOSFET

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Conductance du canal des MOSFET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductance du canal des MOSFET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Conductance du canal des MOSFET.

19.2888Edit=38Edit⋅940Edit⋅(10Edit100Edit)⋅5.4Edit
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HomeIcon Maison » Category Ingénierie » Category Électronique » Category Électronique analogique » fx Conductance du canal des MOSFET

Conductance du canal des MOSFET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Conductance du canal des MOSFET ?

Premier pas Considérez la formule
G=μs⋅Cox⋅(WcL)⋅Vox
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ G=38m²/V*s⋅940μF⋅(10μm100μm)⋅5.4V
L'étape suivante Convertir des unités
∴ G=38m²/V*s⋅0.0009F⋅(1E-5m0.0001m)⋅5.4V
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ G=38⋅0.0009⋅(1E-50.0001)⋅5.4
L'étape suivante Évaluer
∴G=0.0192888S
Dernière étape Convertir en unité de sortie
∴G=19.2888mS

Conductance du canal des MOSFET Formule Éléments

Variables
Conductance du canal
La conductance du canal est généralement définie comme le rapport du courant traversant le canal à la tension à travers celui-ci.
Symbole: G
La mesure: Conductivité électriqueUnité: mS
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Formules pour trouver Conductance du canalOpen Variable
Mobilité des électrons à la surface du canal
La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d'un matériau semi-conducteur, tel qu'un canal en silicium dans un transistor.
Symbole: μs
La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Mobilité des électrons à la surface du canalOpen Variable
Capacité d'oxyde
La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.
Symbole: Cox
La mesure: CapacitanceUnité: μF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité d'oxydeOpen Variable
Largeur de canal
La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).
Symbole: Wc
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Largeur de canalOpen Variable
Longueur du canal
La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).
Symbole: L
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Longueur du canalOpen Variable
Tension aux bornes de l'oxyde
La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
Symbole: Vox
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Formules pour trouver Tension aux bornes de l'oxydeOpen Variable

Autres formules dans la catégorie Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence

​va Largeur du canal porte à source du MOSFET
Wc=CocCox⋅Lov
​va Capacité de chevauchement du MOSFET
Coc=Wc⋅Cox⋅Lov
​va Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET
Cg=Cox⋅Wc⋅L
​va Fréquence de transition du MOSFET
ft=gm2⋅π⋅(Csg+Cgd)

Comment évaluer Conductance du canal des MOSFET ?

L'évaluateur Conductance du canal des MOSFET utilise Conductance of Channel = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde pour évaluer Conductance du canal, La conductance du canal des MOSFET, définie comme le rapport du courant ionique à travers le canal à la tension appliquée, peut être calculée une fois le courant, le nombre d'ions qui traversent le canal par unité de temps lorsqu'un champ électrique externe est appliqué au système . Conductance du canal est désigné par le symbole G.

Comment évaluer Conductance du canal des MOSFET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Conductance du canal des MOSFET, saisissez Mobilité des électrons à la surface du canal (μs), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur de canal (Wc), Longueur du canal (L) & Tension aux bornes de l'oxyde (Vox) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Conductance du canal des MOSFET

Quelle est la formule pour trouver Conductance du canal des MOSFET ?
La formule de Conductance du canal des MOSFET est exprimée sous la forme Conductance of Channel = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde. Voici un exemple : 19288.8 = 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4.
Comment calculer Conductance du canal des MOSFET ?
Avec Mobilité des électrons à la surface du canal (μs), Capacité d'oxyde (Cox), Largeur de canal (Wc), Longueur du canal (L) & Tension aux bornes de l'oxyde (Vox), nous pouvons trouver Conductance du canal des MOSFET en utilisant la formule - Conductance of Channel = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde.
Le Conductance du canal des MOSFET peut-il être négatif ?
Oui, le Conductance du canal des MOSFET, mesuré dans Conductivité électrique peut, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Conductance du canal des MOSFET ?
Conductance du canal des MOSFET est généralement mesuré à l'aide de millisiemens[mS] pour Conductivité électrique. Siemens[mS], mégasiemens[mS], Mho[mS] sont les quelques autres unités dans lesquelles Conductance du canal des MOSFET peut être mesuré.
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