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Formule Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle

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La concentration des donneurs après une mise à l'échelle complète pourrait impliquer une prise en compte de la manière dont la concentration des impuretés du donneur est affectée par la réduction des dimensions des transistors. Vérifiez FAQs

N D' = N D \cdot Sf

N_D' - Concentration des donneurs après mise à l'échelle complète?N_D - Concentration des donneurs?Sf - Facteur d'échelle?

Exemple Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle.

1.5E+17 = 1E+17 \cdot 1.5

1.5E+171/cm³ = 1E+171/cm³ \cdot 1.5

1.5E+17 = 1E+17 \cdot 1.5

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Fabrication VLSI » fx Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle

Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle ?

Premier pas Considérez la formule

N D' = N D \cdot Sf

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

N D' = 1E+171/cm³ \cdot 1.5

L'étape suivante Convertir des unités

∴

N D' = 1E+231/m³ \cdot 1.5

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

N D' = 1E+23 \cdot 1.5

L'étape suivante Évaluer

∴

N D' = 1.5E+231/m³

Dernière étape Convertir en unité de sortie

∴

N D' = 1.5E+171/cm³

Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle Formule Éléments

Variables

Concentration des donneurs après mise à l'échelle complète

Symbole: N_D'

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration des donneurs après mise à l'échelle complète

Concentration des donneurs

La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.

Symbole: N_D

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration des donneurs

Facteur d'échelle

Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.

Symbole: Sf

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Facteur d'échelle

Autres formules dans la catégorie Optimisation des matériaux VLSI

va Coefficient d'effet corporel

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Charge de canal

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tension critique

V x = E x \cdot E ch

va Coefficient DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle ?

L'évaluateur Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle utilise Donor Concentration after Full Scaling = Concentration des donneurs*Facteur d'échelle pour évaluer Concentration des donneurs après mise à l'échelle complète, La formule VLSI de concentration du donneur après mise à l'échelle complète pourrait impliquer une prise en compte de la façon dont la concentration des impuretés du donneur est affectée par la réduction des dimensions des transistors. Concentration des donneurs après mise à l'échelle complète est désigné par le symbole N_D'.

Comment évaluer Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle, saisissez Concentration des donneurs (N_D) & Facteur d'échelle (Sf) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle

Quelle est la formule pour trouver Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle ?

La formule de Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle est exprimée sous la forme Donor Concentration after Full Scaling = Concentration des donneurs*Facteur d'échelle. Voici un exemple : 1.5E+11 = 1E+23*1.5.

Comment calculer Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle ?

Avec Concentration des donneurs (N_D) & Facteur d'échelle (Sf), nous pouvons trouver Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle en utilisant la formule - Donor Concentration after Full Scaling = Concentration des donneurs*Facteur d'échelle.

Le Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle peut-il être négatif ?

Non, le Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle, mesuré dans Concentration de transporteur ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle ?

Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle est généralement mesuré à l'aide de 1 par centimètre cube[1/cm³] pour Concentration de transporteur. 1 par mètre cube[1/cm³], par litre[1/cm³] sont les quelques autres unités dans lesquelles Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle peut être mesuré.

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Exemple Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle

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