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Formule Concentration de dopant du donneur

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La concentration de dopant donneur est la concentration d’atomes donneurs par unité de volume. Vérifiez FAQs

N d = \frac{I sat \cdot L t}{[Charge-e] \cdot W t \cdot μ n \cdot C dep}

N_d - Concentration de dopant du donneur?I_sat - Courant de saturation?L_t - Longueur du transistor?W_t - Largeur du transistor?μ_n - Mobilité électronique?C_dep - Capacité de la couche d'épuisement?[Charge-e] - Charge d'électron?

Exemple Concentration de dopant du donneur

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Concentration de dopant du donneur avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Concentration de dopant du donneur avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Concentration de dopant du donneur.

1.7E+23 = \frac{2.015 \cdot 3.2}{1.6E-19 \cdot 5.5 \cdot 30 \cdot 1.4}

1.7E+23electrons/m³ = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{1.6E-19C \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

1.7E+23 = \frac{2.015 \cdot 3.2}{1.6E-19 \cdot 5.5 \cdot 30 \cdot 1.4}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

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Circuits intégrés (CI) » fx Concentration de dopant du donneur

Concentration de dopant du donneur Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Concentration de dopant du donneur ?

Premier pas Considérez la formule

N d = \frac{I sat \cdot L t}{[Charge-e] \cdot W t \cdot μ n \cdot C dep}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{[Charge-e] \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{1.6E-19C \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2E-6m}{1.6E-19C \cdot 5.5E-6m \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

N d = \frac{2.015 \cdot 3.2E-6}{1.6E-19 \cdot 5.5E-6 \cdot 30 \cdot 1.4E-6}

L'étape suivante Évaluer

∴

N d = 1.74221865211214E+23electrons/m³

Dernière étape Réponse arrondie

∴

N d = 1.7E+23electrons/m³

Concentration de dopant du donneur Formule Éléments

Variables

Constantes

Concentration de dopant du donneur

La concentration de dopant donneur est la concentration d’atomes donneurs par unité de volume.

Symbole: N_d

La mesure: Densité d'électronUnité: electrons/m³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration de dopant du donneur

Courant de saturation

Le courant de saturation fait référence au courant maximum qui peut traverser le transistor lorsqu'il est complètement activé.

Symbole: I_sat

La mesure: Courant électriqueUnité: A

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Courant de saturation

Longueur du transistor

La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.

Symbole: L_t

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Longueur du transistor

Largeur du transistor

La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.

Symbole: W_t

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Largeur du transistor

Mobilité électronique

La mobilité électronique décrit la rapidité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau en réponse à un champ électrique.

Symbole: μ_n

La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Mobilité électronique

Capacité de la couche d'épuisement

La capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface est la capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface.

Symbole: C_dep

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Capacité de la couche d'épuisement

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés MOS

va Effet corporel dans MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

va Fréquence de gain unitaire MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

va Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

va Résistance du canal

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Concentration de dopant du donneur ?

L'évaluateur Concentration de dopant du donneur utilise Donor Dopant Concentration = (Courant de saturation*Longueur du transistor)/([Charge-e]*Largeur du transistor*Mobilité électronique*Capacité de la couche d'épuisement) pour évaluer Concentration de dopant du donneur, La formule de concentration de dopant donneur est définie comme la concentration d'atomes donneurs intentionnellement introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre de porteurs de charge libres (électrons) disponibles pour la conduction. Concentration de dopant du donneur est désigné par le symbole N_d.

Comment évaluer Concentration de dopant du donneur à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Concentration de dopant du donneur, saisissez Courant de saturation (I_sat), Longueur du transistor (L_t), Largeur du transistor (W_t), Mobilité électronique (μ_n) & Capacité de la couche d'épuisement (C_dep) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Concentration de dopant du donneur

Quelle est la formule pour trouver Concentration de dopant du donneur ?

La formule de Concentration de dopant du donneur est exprimée sous la forme Donor Dopant Concentration = (Courant de saturation*Longueur du transistor)/([Charge-e]*Largeur du transistor*Mobilité électronique*Capacité de la couche d'épuisement). Voici un exemple : 1.7E+23 = (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06).

Comment calculer Concentration de dopant du donneur ?

Avec Courant de saturation (I_sat), Longueur du transistor (L_t), Largeur du transistor (W_t), Mobilité électronique (μ_n) & Capacité de la couche d'épuisement (C_dep), nous pouvons trouver Concentration de dopant du donneur en utilisant la formule - Donor Dopant Concentration = (Courant de saturation*Longueur du transistor)/([Charge-e]*Largeur du transistor*Mobilité électronique*Capacité de la couche d'épuisement). Cette formule utilise également Charge d'électron constante(s).

Le Concentration de dopant du donneur peut-il être négatif ?

Non, le Concentration de dopant du donneur, mesuré dans Densité d'électron ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Concentration de dopant du donneur ?

Concentration de dopant du donneur est généralement mesuré à l'aide de Électrons par mètre cube[electrons/m³] pour Densité d'électron. Électrons par centimètre cube[electrons/m³] sont les quelques autres unités dans lesquelles Concentration de dopant du donneur peut être mesuré.

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