FormulaDen.com

La physique Chimie Math Ingénieur chimiste Civil Électrique Électronique Electronique et instrumentation La science des matériaux Mécanique L'ingénierie de production Financier Santé

Formule Concentration de dopant accepteur

Fx Copie

LaTeX Copie

La concentration de dopant accepteur est la mobilité des porteurs de charge (des trous dans ce cas) et les dimensions du dispositif semi-conducteur. Vérifiez FAQs

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

N_a - Concentration de dopant accepteur?L_t - Longueur du transistor?W_t - Largeur du transistor?μ_p - Mobilité des trous?C_dep - Capacité de la couche d'épuisement?[Charge-e] - Charge d'électron?π - Constante d'Archimède?

Exemple Concentration de dopant accepteur

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Concentration de dopant accepteur avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Concentration de dopant accepteur avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Concentration de dopant accepteur.

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

1E+32electrons/m³ = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

Calculer

Recalculer

Solution

Copie

Réinitialiser

Tu es là -

Maison » Category

Ingénierie » Category

Électronique » Category

Circuits intégrés (CI) » fx Concentration de dopant accepteur

Concentration de dopant accepteur Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Concentration de dopant accepteur ?

Premier pas Considérez la formule

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot [Charge-e] \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6m \cdot 5.5E-6m \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6 \cdot 5.5E-6 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4E-6}

L'étape suivante Évaluer

∴

N a = 1.00788050957133E+32electrons/m³

Dernière étape Réponse arrondie

∴

N a = 1E+32electrons/m³

Concentration de dopant accepteur Formule Éléments

Variables

Constantes

Concentration de dopant accepteur

La concentration de dopant accepteur est la mobilité des porteurs de charge (des trous dans ce cas) et les dimensions du dispositif semi-conducteur.

Symbole: N_a

La mesure: Densité d'électronUnité: electrons/m³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration de dopant accepteur

Longueur du transistor

La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.

Symbole: L_t

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Longueur du transistor

Largeur du transistor

La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.

Symbole: W_t

La mesure: LongueurUnité: μm

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Largeur du transistor

Mobilité des trous

La mobilité des trous représente la capacité de ces porteurs de charge à se déplacer en réponse à un champ électrique.

Symbole: μ_p

La mesure: MobilitéUnité: m²/V*s

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Mobilité des trous

Capacité de la couche d'épuisement

La capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface est la capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface.

Symbole: C_dep

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Capacité de la couche d'épuisement

Charge d'électron

La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.

Symbole: [Charge-e]

Valeur: 1.60217662E-19 C

Constante d'Archimède

La constante d'Archimède est une constante mathématique qui représente le rapport entre la circonférence d'un cercle et son diamètre.

Symbole: π

Valeur: 3.14159265358979323846264338327950288

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés MOS

va Effet corporel dans MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

va Fréquence de gain unitaire MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

va Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

va Résistance du canal

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Concentration de dopant accepteur ?

L'évaluateur Concentration de dopant accepteur utilise Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement) pour évaluer Concentration de dopant accepteur, La formule de concentration de dopant accepteur est définie comme la concentration d’atomes accepteurs par unité de volume. Il fait référence à la concentration d'atomes dopants ajoutés intentionnellement à un matériau semi-conducteur pour créer un excès de « trous » chargés positivement dans le réseau cristallin. Concentration de dopant accepteur est désigné par le symbole N_a.

Comment évaluer Concentration de dopant accepteur à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Concentration de dopant accepteur, saisissez Longueur du transistor (L_t), Largeur du transistor (W_t), Mobilité des trous (μ_p) & Capacité de la couche d'épuisement (C_dep) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Concentration de dopant accepteur

Quelle est la formule pour trouver Concentration de dopant accepteur ?

La formule de Concentration de dopant accepteur est exprimée sous la forme Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement). Voici un exemple : 1E+32 = 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06).

Comment calculer Concentration de dopant accepteur ?

Avec Longueur du transistor (L_t), Largeur du transistor (W_t), Mobilité des trous (μ_p) & Capacité de la couche d'épuisement (C_dep), nous pouvons trouver Concentration de dopant accepteur en utilisant la formule - Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement). Cette formule utilise également Charge d'électron, Constante d'Archimède .

Le Concentration de dopant accepteur peut-il être négatif ?

Non, le Concentration de dopant accepteur, mesuré dans Densité d'électron ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Concentration de dopant accepteur ?

Concentration de dopant accepteur est généralement mesuré à l'aide de Électrons par mètre cube[electrons/m³] pour Densité d'électron. Électrons par centimètre cube[electrons/m³] sont les quelques autres unités dans lesquelles Concentration de dopant accepteur peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valeur
: Unité

Formule Concentration de dopant accepteur

Exemple Concentration de dopant accepteur

Concentration de dopant accepteur Solution

Concentration de dopant accepteur Formule Éléments

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés MOS

Comment évaluer Concentration de dopant accepteur ?

FAQs sur Concentration de dopant accepteur

Variable Name