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Formule Coefficient de biais du substrat

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Le coefficient de polarisation du substrat est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Vérifiez FAQs
γs=2⋅[Charge-e]⋅[Permitivity-silicon]⋅NACox
γs - Coefficient de biais du substrat?NA - Concentration dopante de l'accepteur?Cox - Capacité d'oxyde?[Charge-e] - Charge d'électron?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?

Exemple Coefficient de biais du substrat

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Coefficient de biais du substrat avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Coefficient de biais du substrat avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Coefficient de biais du substrat.

5.7E-7Edit=2⋅1.6E-19⋅11.7⋅1.32Edit3.9Edit
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Coefficient de biais du substrat Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Coefficient de biais du substrat ?

Premier pas Considérez la formule
γs=2⋅[Charge-e]⋅[Permitivity-silicon]⋅NACox
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ γs=2⋅[Charge-e]⋅[Permitivity-silicon]⋅1.32electrons/cm³3.9F
L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes
∴ γs=2⋅1.6E-19C⋅11.7⋅1.32electrons/cm³3.9F
L'étape suivante Convertir des unités
∴ γs=2⋅1.6E-19C⋅11.7⋅1.3E+6electrons/m³3.9F
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ γs=2⋅1.6E-19⋅11.7⋅1.3E+63.9
L'étape suivante Évaluer
∴γs=5.70407834987726E-07
Dernière étape Réponse arrondie
∴γs=5.7E-7

Coefficient de biais du substrat Formule Éléments

Variables
Constantes
Les fonctions
Coefficient de biais du substrat
Le coefficient de polarisation du substrat est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET).
Symbole: γs
La mesure: NAUnité: Unitless
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Coefficient de biais du substratOpen Variable
Concentration dopante de l'accepteur
La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Symbole: NA
La mesure: Densité d'électronUnité: electrons/cm³
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Concentration dopante de l'accepteurOpen Variable
Capacité d'oxyde
La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
Symbole: Cox
La mesure: CapacitanceUnité: F
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité d'oxydeOpen Variable
Charge d'électron
La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.
Symbole: [Charge-e]
Valeur: 1.60217662E-19 C
Permittivité du silicium
La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.
Symbole: [Permitivity-silicon]
Valeur: 11.7
sqrt
Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Transistors MOS

​va Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
Cjsw=Cj0sw⋅xj
​va Capacité équivalente à grande jonction de signal
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Comment évaluer Coefficient de biais du substrat ?

L'évaluateur Coefficient de biais du substrat utilise Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur)/Capacité d'oxyde pour évaluer Coefficient de biais du substrat, La formule du coefficient de polarisation du substrat est définie comme un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Coefficient de biais du substrat est désigné par le symbole γs.

Comment évaluer Coefficient de biais du substrat à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Coefficient de biais du substrat, saisissez Concentration dopante de l'accepteur (NA) & Capacité d'oxyde (Cox) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Coefficient de biais du substrat

Quelle est la formule pour trouver Coefficient de biais du substrat ?
La formule de Coefficient de biais du substrat est exprimée sous la forme Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur)/Capacité d'oxyde. Voici un exemple : 5.7E-7 = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9.
Comment calculer Coefficient de biais du substrat ?
Avec Concentration dopante de l'accepteur (NA) & Capacité d'oxyde (Cox), nous pouvons trouver Coefficient de biais du substrat en utilisant la formule - Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur)/Capacité d'oxyde. Cette formule utilise également les fonctions Charge d'électron, Permittivité du silicium constante(s) et Racine carrée (sqrt).
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