Formule Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS

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La tension d'entrée minimale de la charge résistive est définie comme la tension d'entrée minimale qui peut être interprétée comme un « 1 » logique lorsque le type de charge est une résistance. Vérifiez FAQs
VIH(RL)=VT0+8VDD3KnRL-(1KnRL)
VIH(RL) - Tension d'entrée minimale de charge résistive?VT0 - Tension de seuil de polarisation nulle?VDD - Tension d'alimentation?Kn - Transconductance du NMOS?RL - Résistance à la charge?

Exemple Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS.

1.5458Edit=1.4Edit+83.3Edit3200Edit2Edit-(1200Edit2Edit)
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Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS ?

Premier pas Considérez la formule
VIH(RL)=VT0+8VDD3KnRL-(1KnRL)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
VIH(RL)=1.4V+83.3V3200µA/V²2-(1200µA/V²2)
L'étape suivante Convertir des unités
VIH(RL)=1.4V+83.3V30.0002A/V²2E+6Ω-(10.0002A/V²2E+6Ω)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
VIH(RL)=1.4+83.330.00022E+6-(10.00022E+6)
L'étape suivante Évaluer
VIH(RL)=1.54582396974191V
Dernière étape Réponse arrondie
VIH(RL)=1.5458V

Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS Formule Éléments

Variables
Les fonctions
Tension d'entrée minimale de charge résistive
La tension d'entrée minimale de la charge résistive est définie comme la tension d'entrée minimale qui peut être interprétée comme un « 1 » logique lorsque le type de charge est une résistance.
Symbole: VIH(RL)
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension de seuil de polarisation nulle
La tension de seuil de polarisation nulle fait référence à la tension de seuil d'un MOSFET lorsqu'aucune tension de polarisation supplémentaire n'est appliquée au substrat, généralement mesurée entre la grille et la source.
Symbole: VT0
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension d'alimentation
La tension d'alimentation fait référence au niveau de tension fourni par une source d'alimentation à un circuit ou un appareil électrique, servant de différence de potentiel pour le flux et le fonctionnement du courant.
Symbole: VDD
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Transconductance du NMOS
La transconductance du NMOS fait référence au rapport entre la variation du courant de drain de sortie et la variation de la tension grille-source d'entrée lorsque la tension drain-source est constante.
Symbole: Kn
La mesure: Paramètre de transconductanceUnité: µA/V²
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Résistance à la charge
La résistance de charge est la résistance présentée par la charge externe connectée à un circuit, déterminant la quantité de courant consommé et influençant la tension et la distribution de puissance du circuit.
Symbole: RL
La mesure: Résistance électriqueUnité:
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
sqrt
Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Onduleurs CMOS

​va Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé
NMH=VOH-VIH
​va Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique
VIL(sym)=3VDD+2VT0,n8
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Vth=VT0,n+1Kr(VDD+(VT0,p))1+1Kr
​va Tension d'entrée maximale CMOS
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Comment évaluer Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS ?

L'évaluateur Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS utilise Resistive Load Minimum Input Voltage = Tension de seuil de polarisation nulle+sqrt((8*Tension d'alimentation)/(3*Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))-(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)) pour évaluer Tension d'entrée minimale de charge résistive, La tension d'entrée minimale de charge résistive CMOS est le niveau de tension le plus bas qui peut être appliqué à la borne d'entrée d'un dispositif CMOS lorsqu'il pilote une charge résistive, garantissant une fonctionnalité appropriée et un fonctionnement fiable sans déclencher d'états de circuit involontaires ni provoquer d'erreurs. Tension d'entrée minimale de charge résistive est désigné par le symbole VIH(RL).

Comment évaluer Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS, saisissez Tension de seuil de polarisation nulle (VT0), Tension d'alimentation (VDD), Transconductance du NMOS (Kn) & Résistance à la charge (RL) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS

Quelle est la formule pour trouver Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS ?
La formule de Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS est exprimée sous la forme Resistive Load Minimum Input Voltage = Tension de seuil de polarisation nulle+sqrt((8*Tension d'alimentation)/(3*Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))-(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)). Voici un exemple : 1.545824 = 1.4+sqrt((8*3.3)/(3*0.0002*2000000))-(1/(0.0002*2000000)).
Comment calculer Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS ?
Avec Tension de seuil de polarisation nulle (VT0), Tension d'alimentation (VDD), Transconductance du NMOS (Kn) & Résistance à la charge (RL), nous pouvons trouver Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS en utilisant la formule - Resistive Load Minimum Input Voltage = Tension de seuil de polarisation nulle+sqrt((8*Tension d'alimentation)/(3*Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))-(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Racine carrée (sqrt).
Le Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS peut-il être négatif ?
Non, le Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS ?
Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS peut être mesuré.
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