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Formule Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

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Tension d'entrée maximale de charge résistive CMOS pour une charge résistive en CMOS fait référence au niveau de tension le plus élevé qui peut être appliqué à la borne d'entrée d'un dispositif CMOS sans causer de dommages. Vérifiez FAQs

V IL(RL) = V T0 + (\frac{1}{K n \cdot R L})

V_IL(RL) - Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS?V_T0 - Tension de seuil de polarisation nulle?K_n - Transconductance du NMOS?R_L - Résistance à la charge?

Exemple Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS.

1.4025 = 1.4 + (\frac{1}{200 \cdot 2})

1.4025V = 1.4V + (\frac{1}{200µA/V² \cdot 2MΩ})

1.4025 = 1.4 + (\frac{1}{200 \cdot 2})

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Conception et applications CMOS » fx Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS ?

Premier pas Considérez la formule

V IL(RL) = V T0 + (\frac{1}{K n \cdot R L})

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

V IL(RL) = 1.4V + (\frac{1}{200µA/V² \cdot 2MΩ})

L'étape suivante Convertir des unités

∴

V IL(RL) = 1.4V + (\frac{1}{0.0002A/V² \cdot 2E+6Ω})

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

V IL(RL) = 1.4 + (\frac{1}{0.0002 \cdot 2E+6})

Dernière étape Évaluer

∴

V IL(RL) = 1.4025V

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS Formule Éléments

Variables

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

Symbole: V_IL(RL)

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

Tension de seuil de polarisation nulle

La tension de seuil de polarisation nulle fait référence à la tension de seuil d'un MOSFET lorsqu'aucune tension de polarisation supplémentaire n'est appliquée au substrat, généralement mesurée entre la grille et la source.

Symbole: V_T0

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension de seuil de polarisation nulle

Transconductance du NMOS

La transconductance du NMOS fait référence au rapport entre la variation du courant de drain de sortie et la variation de la tension grille-source d'entrée lorsque la tension drain-source est constante.

Symbole: K_n

La mesure: Paramètre de transconductanceUnité: µA/V²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Transconductance du NMOS

Résistance à la charge

La résistance de charge est la résistance présentée par la charge externe connectée à un circuit, déterminant la quantité de courant consommé et influençant la tension et la distribution de puissance du circuit.

Symbole: R_L

La mesure: Résistance électriqueUnité: MΩ

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Résistance à la charge

Autres formules dans la catégorie Onduleurs CMOS

va Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé

N MH = V OH - V IH

va Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique

V IL(sym) = \frac{3 \cdot V DD + 2 \cdot V T0,n}{8}

va Tension de seuil CMOS

V th = \frac{V T0,n + \sqrt{\frac{1}{K r}} \cdot (V DD + (V T0,p))}{1 + \sqrt{\frac{1}{K r}}}

va Tension d'entrée maximale CMOS

V IL = \frac{2 \cdot V output + (V T0,p) - V DD + K r \cdot V T0,n}{1 + K r}

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Comment évaluer Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS ?

L'évaluateur Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS utilise Resistive Load Maximum Input Voltage CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)) pour évaluer Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS, La tension d'entrée maximale de la charge résistive CMOS est le niveau de tension le plus élevé qui peut être appliqué en toute sécurité à la borne d'entrée d'un périphérique CMOS lorsqu'il pilote une charge résistive, sans dépasser les limites de tension spécifiées du périphérique ni causer de dommages. Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS est désigné par le symbole V_IL(RL).

Comment évaluer Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS, saisissez Tension de seuil de polarisation nulle (V_T0), Transconductance du NMOS (K_n) & Résistance à la charge (R_L) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

Quelle est la formule pour trouver Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS ?

La formule de Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS est exprimée sous la forme Resistive Load Maximum Input Voltage CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)). Voici un exemple : 1.4025 = 1.4+(1/(0.0002*2000000)).

Comment calculer Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS ?

Avec Tension de seuil de polarisation nulle (V_T0), Transconductance du NMOS (K_n) & Résistance à la charge (R_L), nous pouvons trouver Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS en utilisant la formule - Resistive Load Maximum Input Voltage CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)).

Le Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS peut-il être négatif ?

Non, le Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS ?

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS peut être mesuré.

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Exemple Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

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