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Formule Capacité effective en CMOS

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La capacité effective en CMOS est définie comme le rapport entre la quantité de charge électrique stockée sur un conducteur et la différence de potentiel électrique. Vérifiez FAQs

C eff = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{N g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

C_eff - Capacité effective en CMOS?D - Cycle de service?i_off - Hors courant?V_bc - Tension du collecteur de base?N_g - Portes sur le chemin critique?[BoltZ] - Constante de Boltzmann?

Exemple Capacité effective en CMOS

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité effective en CMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité effective en CMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité effective en CMOS.

5.1379 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

5.1379μF = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

5.1379 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

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Conception et applications CMOS » fx Capacité effective en CMOS

Capacité effective en CMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Capacité effective en CMOS ?

Premier pas Considérez la formule

C eff = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{N g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot [BoltZ] \cdot 2.02V}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

L'étape suivante Convertir des unités

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5A \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

L'étape suivante Évaluer

∴

C eff = 5.13789525162511E-06F

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

C eff = 5.13789525162511μF

Dernière étape Réponse arrondie

∴

C eff = 5.1379μF

Capacité effective en CMOS Formule Éléments

Variables

Constantes

Capacité effective en CMOS

La capacité effective en CMOS est définie comme le rapport entre la quantité de charge électrique stockée sur un conducteur et la différence de potentiel électrique.

Symbole: C_eff

La mesure: CapacitanceUnité: μF

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité effective en CMOS

Cycle de service

Un cycle de service ou cycle d'alimentation est la fraction d'une période pendant laquelle un signal ou un système est actif.

Symbole: D

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Cycle de service

Hors courant

Le courant d'arrêt d'un interrupteur est une valeur inexistante dans la réalité. Les vrais interrupteurs ont normalement un très faible courant de coupure, parfois appelé courant de fuite.

Symbole: i_off

La mesure: Courant électriqueUnité: mA

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Hors courant

Tension du collecteur de base

La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu'il est dans son état actif.

Symbole: V_bc

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension du collecteur de base

Portes sur le chemin critique

Les portes sur le chemin critique sont définies comme le nombre total de portes logiques requises pendant un temps de cycle dans CMOS.

Symbole: N_g

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Portes sur le chemin critique

Constante de Boltzmann

La constante de Boltzmann relie l'énergie cinétique moyenne des particules dans un gaz à la température du gaz et constitue une constante fondamentale en mécanique statistique et en thermodynamique.

Symbole: [BoltZ]

Valeur: 1.38064852E-23 J/K

Autres formules dans la catégorie Caractéristiques des circuits CMOS

va Tension critique CMOS

V c = E c \cdot L

va CMOS Moyenne Parcours Libre

L = \frac{V c}{E c}

va Largeur de diffusion de la source

W = \frac{A s}{D s}

va Zone de diffusion de la source

A s = D s \cdot W

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Capacité effective en CMOS ?

L'évaluateur Capacité effective en CMOS utilise Effective Capacitance in CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base) pour évaluer Capacité effective en CMOS, La capacité effective dans la formule CMOS est définie comme le rapport de la quantité de charge électrique stockée sur un conducteur à une différence de potentiel électrique. Capacité effective en CMOS est désigné par le symbole C_eff.

Comment évaluer Capacité effective en CMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Capacité effective en CMOS, saisissez Cycle de service (D), Hors courant (i_off), Tension du collecteur de base (V_bc) & Portes sur le chemin critique (N_g) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Capacité effective en CMOS

Quelle est la formule pour trouver Capacité effective en CMOS ?

La formule de Capacité effective en CMOS est exprimée sous la forme Effective Capacitance in CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base). Voici un exemple : 5.1E+6 = 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02).

Comment calculer Capacité effective en CMOS ?

Avec Cycle de service (D), Hors courant (i_off), Tension du collecteur de base (V_bc) & Portes sur le chemin critique (N_g), nous pouvons trouver Capacité effective en CMOS en utilisant la formule - Effective Capacitance in CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base). Cette formule utilise également Constante de Boltzmann .

Le Capacité effective en CMOS peut-il être négatif ?

Non, le Capacité effective en CMOS, mesuré dans Capacitance ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité effective en CMOS ?

Capacité effective en CMOS est généralement mesuré à l'aide de microfarades[μF] pour Capacitance. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité effective en CMOS peut être mesuré.

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