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Formule Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI

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La capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète fait référence à la nouvelle capacité après réduction des dimensions du MOSFET par mise à l'échelle complète. Vérifiez FAQs
Coxide'=Coxide⋅Sf
Coxide' - Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète?Coxide - Capacité d'oxyde par unité de surface?Sf - Facteur d'échelle?

Exemple Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI.

0.1054Edit=0.0703Edit⋅1.5Edit
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HomeIcon Maison » Category Ingénierie » Category Électronique » Category Fabrication VLSI » fx Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI

Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI ?

Premier pas Considérez la formule
Coxide'=Coxide⋅Sf
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ Coxide'=0.0703μF/cm²⋅1.5
L'étape suivante Convertir des unités
∴ Coxide'=0.0007F/m²⋅1.5
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ Coxide'=0.0007⋅1.5
L'étape suivante Évaluer
∴Coxide'=0.0010545F/m²
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
∴Coxide'=0.10545μF/cm²
Dernière étape Réponse arrondie
∴Coxide'=0.1054μF/cm²

Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI Formule Éléments

Variables
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète
La capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète fait référence à la nouvelle capacité après réduction des dimensions du MOSFET par mise à l'échelle complète.
Symbole: Coxide'
La mesure: Capacité d'oxyde par unité de surfaceUnité: μF/cm²
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complèteOpen Variable
Capacité d'oxyde par unité de surface
La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.
Symbole: Coxide
La mesure: Capacité d'oxyde par unité de surfaceUnité: μF/cm²
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité d'oxyde par unité de surfaceOpen Variable
Facteur d'échelle
Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.
Symbole: Sf
La mesure: NAUnité: Unitless
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Facteur d'échelleOpen Variable

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​va Coefficient d'effet corporel
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​va Charge de canal
Qch=Cg⋅(Vgc-Vt)
​va Tension critique
Vx=Ex⋅Ech
​va Coefficient DIBL
η=Vt0-VtVds

Comment évaluer Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI ?

L'évaluateur Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI utilise Oxide Capacitance after Full Scaling = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle pour évaluer Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète, La formule VLSI de capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète est définie comme une nouvelle capacité après réduction des dimensions du MOSFET par mise à l'échelle complète. Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète est désigné par le symbole Coxide'.

Comment évaluer Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI, saisissez Capacité d'oxyde par unité de surface (Coxide) & Facteur d'échelle (Sf) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI

Quelle est la formule pour trouver Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI ?
La formule de Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI est exprimée sous la forme Oxide Capacitance after Full Scaling = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle. Voici un exemple : 10.545 = 0.000703*1.5.
Comment calculer Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI ?
Avec Capacité d'oxyde par unité de surface (Coxide) & Facteur d'échelle (Sf), nous pouvons trouver Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI en utilisant la formule - Oxide Capacitance after Full Scaling = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle.
Le Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI peut-il être négatif ?
Non, le Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI, mesuré dans Capacité d'oxyde par unité de surface ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI ?
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI est généralement mesuré à l'aide de Microfarad par centimètre carré[μF/cm²] pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Farad par mètre carré[μF/cm²], Nanofarad par centimètre carré[μF/cm²], Microfarad par millimètre carré[μF/cm²] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI peut être mesuré.
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