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Formule Capacité de source de porte du FET

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Gate Source Capacitance FET est la capacité entre les bornes de grille et de source d'un FET. Vérifiez FAQs

C gs(fet) = \frac{T gs-off(fet)}{{(1 - (\frac{V ds(fet)}{Ψ 0(fet)}))}^{\frac{1}{3}}}

C_gs(fet) - FET de capacité de source de porte?T_gs-off(fet) - Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET?V_ds(fet) - Tension de source de drain FET?Ψ_0(fet) - FET de potentiel de surface?

Exemple Capacité de source de porte du FET

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de source de porte du FET avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de source de porte du FET avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de source de porte du FET.

6.8057 = \frac{2.234}{{(1 - (\frac{4.8}{4.976}))}^{\frac{1}{3}}}

6.8057F = \frac{2.234s}{{(1 - (\frac{4.8V}{4.976V}))}^{\frac{1}{3}}}

6.8057 = \frac{2.234}{{(1 - (\frac{4.8}{4.976}))}^{\frac{1}{3}}}

Conseil: Utilisez l'icône en forme de crayon ( Pencil

) ci-dessus pour modifier les valeurs d'entrée et les unités.

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Capacité de source de porte du FET Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Capacité de source de porte du FET ?

Premier pas Considérez la formule

C gs(fet) = \frac{T gs-off(fet)}{{(1 - (\frac{V ds(fet)}{Ψ 0(fet)}))}^{\frac{1}{3}}}

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

C gs(fet) = \frac{2.234s}{{(1 - (\frac{4.8V}{4.976V}))}^{\frac{1}{3}}}

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

C gs(fet) = \frac{2.234}{{(1 - (\frac{4.8}{4.976}))}^{\frac{1}{3}}}

L'étape suivante Évaluer

∴

C gs(fet) = 6.80569376657684F

Dernière étape Réponse arrondie

∴

C gs(fet) = 6.8057F

Capacité de source de porte du FET Formule Éléments

Variables

FET de capacité de source de porte

Gate Source Capacitance FET est la capacité entre les bornes de grille et de source d'un FET.

Symbole: C_gs(fet)

La mesure: CapacitanceUnité: F

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver FET de capacité de source de porte

Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET

Temps d'arrêt de la capacité grille-source FET fait référence au temps nécessaire pour que la capacité grille-source se décharge, un paramètre critique pour contrôler la vitesse de commutation et l'efficacité énergétique.

Symbole: T_gs-off(fet)

La mesure: TempsUnité: s

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET

Tension de source de drain FET

Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d'un FET.

Symbole: V_ds(fet)

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur peut être positive ou négative.

Formules pour trouver Tension de source de drain FET

FET de potentiel de surface

Potentiel de surface FET fonctionne sur la base du potentiel de surface du canal semi-conducteur, contrôlant le flux de courant à travers une tension de grille sans générer de couches d'inversion.

Symbole: Ψ_0(fet)

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver FET de potentiel de surface

Autres formules dans la catégorie FET

va Pincer la tension du FET

V off(fet) = V ds-off(fet) - V ds(fet)

va Courant de drain du FET

I d(fet) = I dss(fet) \cdot {(1 - \frac{V ds(fet)}{V cut-off(fet)})}^{2}

va Transconductance du FET

G m(fet) = \frac{2 \cdot I dss(fet)}{V off(fet)} \cdot (1 - \frac{V ds(fet)}{V off(fet)})

va Tension de source de drain du FET

V ds(fet) = V dd(fet) - I d(fet) \cdot (R d(fet) + R s(fet))

Voir plus OpenImg

Comment évaluer Capacité de source de porte du FET ?

L'évaluateur Capacité de source de porte du FET utilise Gate Source Capacitance FET = Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET/(1-(Tension de source de drain FET/FET de potentiel de surface))^(1/3) pour évaluer FET de capacité de source de porte, La capacité de source de grille du FET est la capacité entre les bornes de grille et de source du FET. Cela est dû à la fine couche d’oxyde qui isole la grille du canal. C. FET de capacité de source de porte est désigné par le symbole C_gs(fet).

Comment évaluer Capacité de source de porte du FET à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Capacité de source de porte du FET, saisissez Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET (T_gs-off(fet)), Tension de source de drain FET (V_ds(fet)) & FET de potentiel de surface (Ψ_0(fet)) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Capacité de source de porte du FET

Quelle est la formule pour trouver Capacité de source de porte du FET ?

La formule de Capacité de source de porte du FET est exprimée sous la forme Gate Source Capacitance FET = Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET/(1-(Tension de source de drain FET/FET de potentiel de surface))^(1/3). Voici un exemple : 6.805694 = 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3).

Comment calculer Capacité de source de porte du FET ?

Avec Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET (T_gs-off(fet)), Tension de source de drain FET (V_ds(fet)) & FET de potentiel de surface (Ψ_0(fet)), nous pouvons trouver Capacité de source de porte du FET en utilisant la formule - Gate Source Capacitance FET = Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET/(1-(Tension de source de drain FET/FET de potentiel de surface))^(1/3).

Le Capacité de source de porte du FET peut-il être négatif ?

Non, le Capacité de source de porte du FET, mesuré dans Capacitance ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de source de porte du FET ?

Capacité de source de porte du FET est généralement mesuré à l'aide de Farad[F] pour Capacitance. Kilofarad[F], Millifarad[F], microfarades[F] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de source de porte du FET peut être mesuré.

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Formule Capacité de source de porte du FET

Exemple Capacité de source de porte du FET

Capacité de source de porte du FET Solution

Capacité de source de porte du FET Formule Éléments

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