Formule Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement

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La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET). Vérifiez FAQs
Cgs=(23WtLtCox)+(WtCov)
Cgs - Capacité de la source de porte?Wt - Largeur du transistor?Lt - Longueur du transistor?Cox - Capacité d'oxyde?Cov - Capacité de chevauchement?

Exemple Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement.

13.75Edit=(235.5Edit3.2Edit3.9Edit)+(5.5Edit2.5Edit)
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Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement ?

Premier pas Considérez la formule
Cgs=(23WtLtCox)+(WtCov)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
Cgs=(235.5μm3.2μm3.9F)+(5.5μm2.5F)
L'étape suivante Convertir des unités
Cgs=(235.5E-6m3.2E-6m3.9F)+(5.5E-6m2.5F)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
Cgs=(235.5E-63.2E-63.9)+(5.5E-62.5)
L'étape suivante Évaluer
Cgs=1.375004576E-05F
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
Cgs=13.75004576μF
Dernière étape Réponse arrondie
Cgs=13.75μF

Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement Formule Éléments

Variables
Capacité de la source de porte
La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
Symbole: Cgs
La mesure: CapacitanceUnité: μF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Largeur du transistor
La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Symbole: Wt
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Longueur du transistor
La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Symbole: Lt
La mesure: LongueurUnité: μm
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Capacité d'oxyde
La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
Symbole: Cox
La mesure: CapacitanceUnité: F
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Capacité de chevauchement
La capacité de chevauchement est une capacité parasite qui apparaît en raison du chevauchement physique entre la grille et les régions source/drain.
Symbole: Cov
La mesure: CapacitanceUnité: F
Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Autres formules dans la catégorie Fabrication de circuits intégrés bipolaires

​va Impureté à concentration intrinsèque
ni=nepto
​va Conductivité ohmique des impuretés
σ=q(μnne+μpp)
​va Tension de rupture de l'émetteur collecteur
Vce=Vcb(ig)1n
​va Conductivité de type N
σ=q(μnNd+μp(ni2Nd))

Comment évaluer Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement ?

L'évaluateur Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement utilise Gate Source Capacitance = (2/3*Largeur du transistor*Longueur du transistor*Capacité d'oxyde)+(Largeur du transistor*Capacité de chevauchement) pour évaluer Capacité de la source de porte, La formule de capacité de source de grille étant donné la capacité de chevauchement est définie comme la capacité entre les bornes de grille et de source. Capacité de la source de porte est désigné par le symbole Cgs.

Comment évaluer Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement, saisissez Largeur du transistor (Wt), Longueur du transistor (Lt), Capacité d'oxyde (Cox) & Capacité de chevauchement (Cov) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement

Quelle est la formule pour trouver Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement ?
La formule de Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement est exprimée sous la forme Gate Source Capacitance = (2/3*Largeur du transistor*Longueur du transistor*Capacité d'oxyde)+(Largeur du transistor*Capacité de chevauchement). Voici un exemple : 1.4E-5 = (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5).
Comment calculer Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement ?
Avec Largeur du transistor (Wt), Longueur du transistor (Lt), Capacité d'oxyde (Cox) & Capacité de chevauchement (Cov), nous pouvons trouver Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement en utilisant la formule - Gate Source Capacitance = (2/3*Largeur du transistor*Longueur du transistor*Capacité d'oxyde)+(Largeur du transistor*Capacité de chevauchement).
Le Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement peut-il être négatif ?
Non, le Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement, mesuré dans Capacitance ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement ?
Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement est généralement mesuré à l'aide de microfarades[μF] pour Capacitance. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement peut être mesuré.
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