Formule Capacité de jonction PN

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La capacité de jonction fait référence à la capacité associée à la jonction pn formée entre deux régions semi-conductrices dans un dispositif semi-conducteur, tel qu'une diode ou un transistor. Vérifiez FAQs
Cj=Apn22[Charge-e]εr[Permitivity-silicon]V0-(V)(NANDNA+ND)
Cj - Capacité de jonction?Apn - Zone de jonction PN?εr - Permittivité relative?V0 - Tension aux bornes de la jonction PN?V - Tension de polarisation inverse?NA - Concentration d'accepteur?ND - Concentration des donneurs?[Charge-e] - Charge d'électron?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?

Exemple Capacité de jonction PN

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de jonction PN avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de jonction PN avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de jonction PN.

1.9E+6Edit=4.8Edit221.6E-1978Edit11.70.6Edit-(-4Edit)(1E+22Edit1E+24Edit1E+22Edit+1E+24Edit)
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Capacité de jonction PN Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Capacité de jonction PN ?

Premier pas Considérez la formule
Cj=Apn22[Charge-e]εr[Permitivity-silicon]V0-(V)(NANDNA+ND)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
Cj=4.8µm²22[Charge-e]78F/m[Permitivity-silicon]0.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes
Cj=4.8µm²221.6E-19C78F/m11.70.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
L'étape suivante Convertir des unités
Cj=4.8E-12221.6E-19C78F/m11.70.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
Cj=4.8E-12221.6E-197811.70.6-(-4)(1E+221E+241E+22+1E+24)
L'étape suivante Évaluer
Cj=1.9040662888657E-09F
L'étape suivante Convertir en unité de sortie
Cj=1904066.2888657fF
Dernière étape Réponse arrondie
Cj=1.9E+6fF

Capacité de jonction PN Formule Éléments

Variables
Constantes
Les fonctions
Capacité de jonction
La capacité de jonction fait référence à la capacité associée à la jonction pn formée entre deux régions semi-conductrices dans un dispositif semi-conducteur, tel qu'une diode ou un transistor.
Symbole: Cj
La mesure: CapacitanceUnité: fF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Zone de jonction PN
La zone de jonction PN est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode PN.
Symbole: Apn
La mesure: ZoneUnité: µm²
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Permittivité relative
La permittivité relative est une mesure de la capacité d'un matériau à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique.
Symbole: εr
La mesure: PermittivitéUnité: F/m
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Tension aux bornes de la jonction PN
La tension aux bornes de la jonction PN est le potentiel intégré aux bornes de la jonction PN d'un semi-conducteur sans aucune polarisation externe.
Symbole: V0
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être comprise entre 0.3 et 0.8.
Tension de polarisation inverse
La tension de polarisation inverse est la tension externe négative appliquée à la jonction pn.
Symbole: V
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être inférieure à 0.
Concentration d'accepteur
La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Symbole: NA
La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/m³
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Concentration des donneurs
La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.
Symbole: ND
La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/m³
Note: La valeur peut être positive ou négative.
Charge d'électron
La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.
Symbole: [Charge-e]
Valeur: 1.60217662E-19 C
Permittivité du silicium
La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.
Symbole: [Permitivity-silicon]
Valeur: 11.7
sqrt
Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Appareils avec composants optiques

​va Angle de rotation du plan de polarisation
θ=1.8BLm
​va Angle de l'apex
A=tan(α)

Comment évaluer Capacité de jonction PN ?

L'évaluateur Capacité de jonction PN utilise Junction Capacitance = Zone de jonction PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittivité relative*[Permitivity-silicon])/(Tension aux bornes de la jonction PN-(Tension de polarisation inverse))*((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration d'accepteur+Concentration des donneurs))) pour évaluer Capacité de jonction, La formule de capacité de jonction PN est définie comme la capacité associée à la région d'appauvrissement d'une jonction PN en raison des charges accumulées. Il est important dans la condition de polarisation inverse car cette condition augmente le potentiel de barrière et donc la capacité qui la traverse. Capacité de jonction est désigné par le symbole Cj.

Comment évaluer Capacité de jonction PN à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Capacité de jonction PN, saisissez Zone de jonction PN (Apn), Permittivité relative r), Tension aux bornes de la jonction PN (V0), Tension de polarisation inverse (V), Concentration d'accepteur (NA) & Concentration des donneurs (ND) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Capacité de jonction PN

Quelle est la formule pour trouver Capacité de jonction PN ?
La formule de Capacité de jonction PN est exprimée sous la forme Junction Capacitance = Zone de jonction PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittivité relative*[Permitivity-silicon])/(Tension aux bornes de la jonction PN-(Tension de polarisation inverse))*((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration d'accepteur+Concentration des donneurs))). Voici un exemple : 1.9E+21 = 4.8E-12/2*sqrt((2*[Charge-e]*78*[Permitivity-silicon])/(0.6-((-4)))*((1E+22*1E+24)/(1E+22+1E+24))).
Comment calculer Capacité de jonction PN ?
Avec Zone de jonction PN (Apn), Permittivité relative r), Tension aux bornes de la jonction PN (V0), Tension de polarisation inverse (V), Concentration d'accepteur (NA) & Concentration des donneurs (ND), nous pouvons trouver Capacité de jonction PN en utilisant la formule - Junction Capacitance = Zone de jonction PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permittivité relative*[Permitivity-silicon])/(Tension aux bornes de la jonction PN-(Tension de polarisation inverse))*((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration d'accepteur+Concentration des donneurs))). Cette formule utilise également les fonctions Charge d'électron, Permittivité du silicium constante(s) et Racine carrée (sqrt).
Le Capacité de jonction PN peut-il être négatif ?
Non, le Capacité de jonction PN, mesuré dans Capacitance ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de jonction PN ?
Capacité de jonction PN est généralement mesuré à l'aide de FemtoFarad[fF] pour Capacitance. Farad[fF], Kilofarad[fF], Millifarad[fF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de jonction PN peut être mesuré.
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