Formule Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle

Fx Copie
LaTeX Copie
Le potentiel de jonction latérale à polarisation nulle est le potentiel intégré dans la jonction latérale de certaines structures de transistor. Vérifiez FAQs
Cj0sw=[Permitivity-silicon][Charge-e]2(NA(sw)NDNA(sw)+ND)1Φosw
Cj0sw - Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation?NA(sw) - Densité de dopage des parois latérales?ND - Concentration dopante du donneur?Φosw - Potentiel intégré des jonctions des parois latérales?[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium?[Charge-e] - Charge d'électron?

Exemple Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle.

1E-7Edit=11.71.6E-192(0.35Edit3.01Edit0.35Edit+3.01Edit)13.2E-5Edit
Tu es là -
HomeIcon Maison » Category Ingénierie » Category Électronique » Category Amplificateurs » fx Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle ?

Premier pas Considérez la formule
Cj0sw=[Permitivity-silicon][Charge-e]2(NA(sw)NDNA(sw)+ND)1Φosw
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
Cj0sw=[Permitivity-silicon][Charge-e]2(0.35electrons/m³3.01electrons/cm³0.35electrons/m³+3.01electrons/cm³)13.2E-5V
L'étape suivante Valeurs de remplacement des constantes
Cj0sw=11.71.6E-19C2(0.35electrons/m³3.01electrons/cm³0.35electrons/m³+3.01electrons/cm³)13.2E-5V
L'étape suivante Convertir des unités
Cj0sw=11.71.6E-19C2(0.35electrons/m³3E+6electrons/m³0.35electrons/m³+3E+6electrons/m³)13.2E-5V
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
Cj0sw=11.71.6E-192(0.353E+60.35+3E+6)13.2E-5
L'étape suivante Évaluer
Cj0sw=1.01249324812588E-07F
Dernière étape Réponse arrondie
Cj0sw=1E-7F

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle Formule Éléments

Variables
Constantes
Les fonctions
Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation
Le potentiel de jonction latérale à polarisation nulle est le potentiel intégré dans la jonction latérale de certaines structures de transistor.
Symbole: Cj0sw
La mesure: CapacitanceUnité: F
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Densité de dopage des parois latérales
La densité de dopage des parois latérales fait référence à la concentration d'atomes dopants le long des parois latérales de la structure du transistor.
Symbole: NA(sw)
La mesure: Densité d'électronUnité: electrons/m³
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Concentration dopante du donneur
La concentration dopante du donneur fait référence à la concentration d’atomes donneurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Symbole: ND
La mesure: Densité d'électronUnité: electrons/cm³
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
Le potentiel intégré des jonctions des parois latérales fait référence à la jonction formée le long des surfaces verticales ou des parois latérales de la structure du transistor.
Symbole: Φosw
La mesure: Potentiel électriqueUnité: V
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Permittivité du silicium
La permittivité du silicium mesure sa capacité à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique, vitale dans la technologie des semi-conducteurs.
Symbole: [Permitivity-silicon]
Valeur: 11.7
Charge d'électron
La charge de l’électron est une constante physique fondamentale, représentant la charge électrique portée par un électron, qui est la particule élémentaire dotée d’une charge électrique négative.
Symbole: [Charge-e]
Valeur: 1.60217662E-19 C
sqrt
Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
Syntaxe: sqrt(Number)

Autres formules dans la catégorie Amplificateurs MOSFET

​va Capacité de jonction à polarisation nulle
Cj0=εsi[Charge-e]2(NANDNA+ND)1Φo

Comment évaluer Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle ?

L'évaluateur Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle utilise Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densité de dopage des parois latérales*Concentration dopante du donneur)/(Densité de dopage des parois latérales+Concentration dopante du donneur))*1/Potentiel intégré des jonctions des parois latérales) pour évaluer Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation, La formule de capacité de jonction latérale à polarisation nulle est définie comme le potentiel intégré dans la jonction latérale de certaines structures de transistor. Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation est désigné par le symbole Cj0sw.

Comment évaluer Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle, saisissez Densité de dopage des parois latérales (NA(sw)), Concentration dopante du donneur (ND) & Potentiel intégré des jonctions des parois latérales osw) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle

Quelle est la formule pour trouver Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle ?
La formule de Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle est exprimée sous la forme Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densité de dopage des parois latérales*Concentration dopante du donneur)/(Densité de dopage des parois latérales+Concentration dopante du donneur))*1/Potentiel intégré des jonctions des parois latérales). Voici un exemple : 4.6E-10 = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05).
Comment calculer Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle ?
Avec Densité de dopage des parois latérales (NA(sw)), Concentration dopante du donneur (ND) & Potentiel intégré des jonctions des parois latérales osw), nous pouvons trouver Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle en utilisant la formule - Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densité de dopage des parois latérales*Concentration dopante du donneur)/(Densité de dopage des parois latérales+Concentration dopante du donneur))*1/Potentiel intégré des jonctions des parois latérales). Cette formule utilise également les fonctions Permittivité du silicium, Charge d'électron constante(s) et Racine carrée (sqrt).
Le Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle peut-il être négatif ?
Non, le Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle, mesuré dans Capacitance ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle ?
Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle est généralement mesuré à l'aide de Farad[F] pour Capacitance. Kilofarad[F], Millifarad[F], microfarades[F] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle peut être mesuré.
Copied!