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Formule Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS

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La capacité de charge CMOS de l'onduleur est la capacité pilotée par la sortie d'un onduleur CMOS, y compris le câblage, les capacités d'entrée des portes connectées et les capacités parasites. Vérifiez FAQs
Cload=Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
Cload - Capacité de charge CMOS de l'onduleur?Cgd,p - Capacité de drain de grille PMOS?Cgd,n - Capacité de drain de grille NMOS?Cdb,p - Capacité de drainage PMOS?Cdb,n - Capacité de drainage NMOS?Cin - Capacité interne CMOS de l'onduleur?Cg - Capacité de porte CMOS de l'onduleur?

Exemple Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS

Avec des valeurs
Avec unités
Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS.

0.93Edit=0.15Edit+0.1Edit+0.25Edit+0.2Edit+0.05Edit+0.18Edit
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HomeIcon Maison » Category Ingénierie » Category Électronique » Category Conception et applications CMOS » fx Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS

Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS ?

Premier pas Considérez la formule
Cload=Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables
∴ Cload=0.15fF+0.1fF+0.25fF+0.2fF+0.05fF+0.18fF
L'étape suivante Convertir des unités
∴ Cload=1.5E-16F+1E-16F+2.5E-16F+2E-16F+5E-17F+1.8E-16F
L'étape suivante Préparez-vous à évaluer
∴ Cload=1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16
L'étape suivante Évaluer
∴Cload=9.3E-16F
Dernière étape Convertir en unité de sortie
∴Cload=0.93fF

Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS Formule Éléments

Variables
Capacité de charge CMOS de l'onduleur
La capacité de charge CMOS de l'onduleur est la capacité pilotée par la sortie d'un onduleur CMOS, y compris le câblage, les capacités d'entrée des portes connectées et les capacités parasites.
Symbole: Cload
La mesure: CapacitanceUnité: fF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité de charge CMOS de l'onduleurOpen Variable
Capacité de drain de grille PMOS
La capacité de drain de grille PMOS est la capacité entre les bornes de grille et de drain d'un transistor PMOS, ayant un impact sur sa vitesse de commutation et sa consommation d'énergie dans les applications de circuits numériques.
Symbole: Cgd,p
La mesure: CapacitanceUnité: fF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité de drain de grille PMOSOpen Variable
Capacité de drain de grille NMOS
La capacité de drain de grille NMOS est la capacité entre les bornes de grille et de drain d'un transistor NMOS, influençant sa vitesse de commutation et sa consommation d'énergie dans les applications de circuits numériques.
Symbole: Cgd,n
La mesure: CapacitanceUnité: fF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité de drain de grille NMOSOpen Variable
Capacité de drainage PMOS
La capacité globale du drain PMOS fait référence à la capacité entre la borne de drain et le substrat d'un transistor PMOS, influençant son comportement dans diverses applications de circuit.
Symbole: Cdb,p
La mesure: CapacitanceUnité: fF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité de drainage PMOSOpen Variable
Capacité de drainage NMOS
La capacité globale du drain NMOS fait référence à la capacité entre la borne de drain et la masse (substrat) d'un transistor NMOS, ayant un impact sur ses caractéristiques de commutation et ses performances globales.
Symbole: Cdb,n
La mesure: CapacitanceUnité: fF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité de drainage NMOSOpen Variable
Capacité interne CMOS de l'onduleur
La capacité interne CMOS de l'onduleur fait référence aux capacités parasites au sein d'un onduleur CMOS, y compris les capacités de jonction et de chevauchement, affectant sa vitesse de commutation et sa consommation d'énergie.
Symbole: Cin
La mesure: CapacitanceUnité: fF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité interne CMOS de l'onduleurOpen Variable
Capacité de porte CMOS de l'onduleur
La capacité de grille CMOS de l'onduleur est la capacité totale à la borne de grille d'un onduleur CMOS, ayant un impact sur la vitesse de commutation et la consommation d'énergie, composée de la porte à la source.
Symbole: Cg
La mesure: CapacitanceUnité: fF
Note: La valeur doit être supérieure à 0.
Formules pour trouver Capacité de porte CMOS de l'onduleurOpen Variable

Autres formules dans la catégorie Onduleurs CMOS

​va Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé
NMH=VOH-VIH
​va Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique
VIL(sym)=3⋅VDD+2⋅VT0,n8

Comment évaluer Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS ?

L'évaluateur Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS utilise Inverter CMOS Load Capacitance = Capacité de drain de grille PMOS+Capacité de drain de grille NMOS+Capacité de drainage PMOS+Capacité de drainage NMOS+Capacité interne CMOS de l'onduleur+Capacité de porte CMOS de l'onduleur pour évaluer Capacité de charge CMOS de l'onduleur, La capacité de charge de l'onduleur CMOS en cascade fait référence à la capacité totale à la sortie de plusieurs onduleurs CMOS interconnectés, y compris la somme des capacités parasites et intentionnelles, influençant la vitesse de commutation du circuit, la consommation d'énergie et les performances globales. Capacité de charge CMOS de l'onduleur est désigné par le symbole Cload.

Comment évaluer Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS, saisissez Capacité de drain de grille PMOS (Cgd,p), Capacité de drain de grille NMOS (Cgd,n), Capacité de drainage PMOS (Cdb,p), Capacité de drainage NMOS (Cdb,n), Capacité interne CMOS de l'onduleur (Cin) & Capacité de porte CMOS de l'onduleur (Cg) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS

Quelle est la formule pour trouver Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS ?
La formule de Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS est exprimée sous la forme Inverter CMOS Load Capacitance = Capacité de drain de grille PMOS+Capacité de drain de grille NMOS+Capacité de drainage PMOS+Capacité de drainage NMOS+Capacité interne CMOS de l'onduleur+Capacité de porte CMOS de l'onduleur. Voici un exemple : 9.3E+14 = 1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16.
Comment calculer Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS ?
Avec Capacité de drain de grille PMOS (Cgd,p), Capacité de drain de grille NMOS (Cgd,n), Capacité de drainage PMOS (Cdb,p), Capacité de drainage NMOS (Cdb,n), Capacité interne CMOS de l'onduleur (Cin) & Capacité de porte CMOS de l'onduleur (Cg), nous pouvons trouver Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS en utilisant la formule - Inverter CMOS Load Capacitance = Capacité de drain de grille PMOS+Capacité de drain de grille NMOS+Capacité de drainage PMOS+Capacité de drainage NMOS+Capacité interne CMOS de l'onduleur+Capacité de porte CMOS de l'onduleur.
Le Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS peut-il être négatif ?
Non, le Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS, mesuré dans Capacitance ne peut pas, doit être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS ?
Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS est généralement mesuré à l'aide de FemtoFarad[fF] pour Capacitance. Farad[fF], Kilofarad[fF], Millifarad[fF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS peut être mesuré.
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