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Formule Atomes d'impuretés par unité de surface

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L'impureté totale définit les impuretés qui sont mélangées à un atome par unité de surface dans une base ou la quantité d'impureté ajoutée à un semi-conducteur intrinsèque fait varier son niveau de conductivité. Vérifiez FAQs

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Q_b - Impureté totale?D_n - Diffusion efficace?A - Zone de jonction de la base de l'émetteur?q - Charge?n_i - Concentration intrinsèque?I_c - Courant du collecteur?V_be - Émetteur de base de tension?V_t - Tension thermique?

Exemple Atomes d'impuretés par unité de surface

Avec des valeurs

Avec unités

Seul exemple

Voici à quoi ressemble l'équation Atomes d'impuretés par unité de surface avec des valeurs.

Voici à quoi ressemble l'équation Atomes d'impuretés par unité de surface avec unités.

Voici à quoi ressemble l'équation Atomes d'impuretés par unité de surface.

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

3.6E+9cm² = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

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Circuits intégrés (CI) » fx Atomes d'impuretés par unité de surface

Atomes d'impuretés par unité de surface Solution

Suivez notre solution étape par étape pour savoir comment calculer Atomes d'impuretés par unité de surface ?

Premier pas Considérez la formule

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

L'étape suivante Valeurs de remplacement des variables

∴

Q b = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

L'étape suivante Convertir des unités

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002m² \cdot (\frac{0.005C \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

L'étape suivante Préparez-vous à évaluer

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002 \cdot (\frac{0.005 \cdot {1.3E+6}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

L'étape suivante Évaluer

∴

Q b = 363831.258671893m²

L'étape suivante Convertir en unité de sortie

∴

Q b = 3638312586.71893cm²

Dernière étape Réponse arrondie

∴

Q b = 3.6E+9cm²

Atomes d'impuretés par unité de surface Formule Éléments

Variables

Les fonctions

Impureté totale

Symbole: Q_b

La mesure: ZoneUnité: cm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Impureté totale

Diffusion efficace

La diffusion effective est un paramètre lié au processus de diffusion des porteurs et est influencée par les propriétés du matériau et la géométrie de la jonction semi-conductrice.

Symbole: D_n

La mesure: NAUnité: Unitless

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Diffusion efficace

Zone de jonction de la base de l'émetteur

La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.

Symbole: A

La mesure: ZoneUnité: cm²

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Zone de jonction de la base de l'émetteur

Charge

Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.

Symbole: q

La mesure: Charge électriqueUnité: mC

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Charge

Concentration intrinsèque

La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.

Symbole: n_i

La mesure: Concentration de transporteurUnité: 1/cm³

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Concentration intrinsèque

Courant du collecteur

Le courant du collecteur est le courant qui traverse la borne du collecteur du transistor et est le courant qui est amplifié par le transistor.

Symbole: I_c

La mesure: Courant électriqueUnité: A

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Courant du collecteur

Émetteur de base de tension

La tension de l'émetteur de base est la tension entre la base et l'émetteur lorsqu'elle est polarisée en direct, avec le collecteur déconnecté.

Symbole: V_be

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Émetteur de base de tension

Tension thermique

La tension thermique correspond aux tensions créées par la jonction de métaux différents lorsqu'une différence de température existe entre ces jonctions.

Symbole: V_t

La mesure: Potentiel électriqueUnité: V

Note: La valeur doit être supérieure à 0.

Formules pour trouver Tension thermique

exp

Dans une fonction exponentielle, la valeur de la fonction change d'un facteur constant pour chaque changement d'unité dans la variable indépendante.

Syntaxe: exp(Number)

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va Impureté à concentration intrinsèque

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

va Conductivité ohmique des impuretés

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

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Comment évaluer Atomes d'impuretés par unité de surface ?

L'évaluateur Atomes d'impuretés par unité de surface utilise Total Impurity = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique)) pour évaluer Impureté totale, La formule des atomes d'impuretés par unité de surface est définie comme la quantité d'impureté, ou de dopant, ajoutée à un semi-conducteur intrinsèque (pur) qui fait varier son niveau de conductivité. Impureté totale est désigné par le symbole Q_b.

Comment évaluer Atomes d'impuretés par unité de surface à l'aide de cet évaluateur en ligne ? Pour utiliser cet évaluateur en ligne pour Atomes d'impuretés par unité de surface, saisissez Diffusion efficace (D_n), Zone de jonction de la base de l'émetteur (A), Charge (q), Concentration intrinsèque (n_i), Courant du collecteur (I_c), Émetteur de base de tension (V_be) & Tension thermique (V_t) et appuyez sur le bouton Calculer.

FAQs sur Atomes d'impuretés par unité de surface

Quelle est la formule pour trouver Atomes d'impuretés par unité de surface ?

La formule de Atomes d'impuretés par unité de surface est exprimée sous la forme Total Impurity = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique)). Voici un exemple : 3.6E+13 = 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1)).

Comment calculer Atomes d'impuretés par unité de surface ?

Avec Diffusion efficace (D_n), Zone de jonction de la base de l'émetteur (A), Charge (q), Concentration intrinsèque (n_i), Courant du collecteur (I_c), Émetteur de base de tension (V_be) & Tension thermique (V_t), nous pouvons trouver Atomes d'impuretés par unité de surface en utilisant la formule - Total Impurity = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique)). Cette formule utilise également la ou les fonctions Croissance exponentielle (exp).

Le Atomes d'impuretés par unité de surface peut-il être négatif ?

Non, le Atomes d'impuretés par unité de surface, mesuré dans Zone ne peut pas, doit être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Atomes d'impuretés par unité de surface ?

Atomes d'impuretés par unité de surface est généralement mesuré à l'aide de place Centimètre[cm²] pour Zone. Mètre carré[cm²], Kilomètre carré[cm²], Millimètre carré[cm²] sont les quelques autres unités dans lesquelles Atomes d'impuretés par unité de surface peut être mesuré.

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Formule Atomes d'impuretés par unité de surface

Exemple Atomes d'impuretés par unité de surface

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Atomes d'impuretés par unité de surface Formule Éléments

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