FormulaDen.com

Física Química Mates Ingeniería Química Civil Eléctrico Electrónica Electrónica e instrumentación Ciencia de los Materiales Mecánico Ingeniería de Producción Financiero Salud

Voltaje incorporado de unión VLSI Fórmula

Fx Copiar

LaTeX Copiar

El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo. Marque FAQs

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{T}{[Charge-e]}) \cdot \ln (N A \cdot \frac{N D}{{(N i)}^{2}})

Ø₀ - Voltaje incorporado de unión?T - Temperatura?N_A - Concentración de aceptor?N_D - Concentración de donantes?N_i - Concentración intrínseca?[BoltZ] - constante de Boltzmann?[Charge-e] - carga de electrones?

Ejemplo de Voltaje incorporado de unión VLSI

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Voltaje incorporado de unión VLSI con Valores.

Así es como se ve la ecuación Voltaje incorporado de unión VLSI con unidades.

Así es como se ve la ecuación Voltaje incorporado de unión VLSI.

0.7546 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+16 \cdot \frac{1E+17}{{(1.5E+10)}^{2}})

0.7546V = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

0.7546 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+16 \cdot \frac{1E+17}{{(1.5E+10)}^{2}})

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

Calcular

Recalcular

Solución

Copiar

Reiniciar

Usted está aquí -

Hogar » Category

Ingenieria » Category

Electrónica » Category

Fabricación de VLSI » fx Voltaje incorporado de unión VLSI

Voltaje incorporado de unión VLSI Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Voltaje incorporado de unión VLSI?

Primer paso Considere la fórmula

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{T}{[Charge-e]}) \cdot \ln (N A \cdot \frac{N D}{{(N i)}^{2}})

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{300K}{[Charge-e]}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

Ø 0 = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

Próximo paso Convertir unidades

∴

Ø 0 = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+221/m³ \cdot \frac{1E+231/m³}{{(1.5E+161/m³)}^{2}})

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

Ø 0 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+22 \cdot \frac{1E+23}{{(1.5E+16)}^{2}})

Próximo paso Evaluar

∴

Ø 0 = 0.75463200359389V

Último paso Respuesta de redondeo

∴

Ø 0 = 0.7546V

Voltaje incorporado de unión VLSI Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Voltaje incorporado de unión

El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo.

Símbolo: Ø₀

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje incorporado de unión

Temperatura

La temperatura refleja qué tan caliente o frío es un objeto o ambiente.

Símbolo: T

Medición: La temperaturaUnidad: K

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Temperatura

Concentración de aceptor

La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.

Símbolo: N_A

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de aceptor

Concentración de donantes

La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar el número de electrones libres.

Símbolo: N_D

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de donantes

Concentración intrínseca

La concentración intrínseca se refiere a la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico.

Símbolo: N_i

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración intrínseca

constante de Boltzmann

La constante de Boltzmann relaciona la energía cinética promedio de las partículas en un gas con la temperatura del gas y es una constante fundamental en mecánica estadística y termodinámica.

Símbolo: [BoltZ]

Valor: 1.38064852E-23 J/K

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural.

Sintaxis: ln(Number)

Otras fórmulas en la categoría Optimización de materiales VLSI

Ir Coeficiente de efecto corporal

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Ir Carga de canal

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Ir Voltaje crítico

V x = E x \cdot E ch

Ir Coeficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

¿Cómo evaluar Voltaje incorporado de unión VLSI?

El evaluador de Voltaje incorporado de unión VLSI usa Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentración de aceptor*Concentración de donantes/(Concentración intrínseca)^2) para evaluar Voltaje incorporado de unión, La fórmula VLSI del voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica ningún voltaje externo. Voltaje incorporado de unión se indica mediante el símbolo Ø₀.

¿Cómo evaluar Voltaje incorporado de unión VLSI usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Voltaje incorporado de unión VLSI, ingrese Temperatura (T), Concentración de aceptor (N_A), Concentración de donantes (N_D) & Concentración intrínseca (N_i) y presione el botón calcular.

FAQs en Voltaje incorporado de unión VLSI

¿Cuál es la fórmula para encontrar Voltaje incorporado de unión VLSI?

La fórmula de Voltaje incorporado de unión VLSI se expresa como Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentración de aceptor*Concentración de donantes/(Concentración intrínseca)^2). Aquí hay un ejemplo: 0.754632 = ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2).

¿Cómo calcular Voltaje incorporado de unión VLSI?

Con Temperatura (T), Concentración de aceptor (N_A), Concentración de donantes (N_D) & Concentración intrínseca (N_i) podemos encontrar Voltaje incorporado de unión VLSI usando la fórmula - Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentración de aceptor*Concentración de donantes/(Concentración intrínseca)^2). Esta fórmula también utiliza funciones constante de Boltzmann, carga de electrones constante(s) y Logaritmo natural (ln).

¿Puede el Voltaje incorporado de unión VLSI ser negativo?

No, el Voltaje incorporado de unión VLSI, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Voltaje incorporado de unión VLSI?

Voltaje incorporado de unión VLSI generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Voltaje incorporado de unión VLSI.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valor
: Unidad

Voltaje incorporado de unión VLSI Fórmula

Ejemplo de Voltaje incorporado de unión VLSI

Voltaje incorporado de unión VLSI Solución

Voltaje incorporado de unión VLSI Fórmula Elementos

Otras fórmulas en la categoría Optimización de materiales VLSI

¿Cómo evaluar Voltaje incorporado de unión VLSI?

FAQs en Voltaje incorporado de unión VLSI

Variable Name