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Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET Fórmula

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El voltaje efectivo o voltaje de sobreexcitación se denomina exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico. Marque FAQs

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

V_ov - Voltaje efectivo?i_ds - Corriente de drenaje de saturación?k'_n - Parámetro de transconductancia del proceso?W_c - Ancho del canal?L - Longitud del canal?

Ejemplo de Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET.

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

0.1229V = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET?

Primer paso Considere la fórmula

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

Próximo paso Convertir unidades

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047A}{0.2A/V² \cdot (\frac{1E-5m}{3.3E-6m})}}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047}{0.2 \cdot (\frac{1E-5}{3.3E-6})}}

Próximo paso Evaluar

∴

V ov = 0.122949186508306V

Último paso Respuesta de redondeo

∴

V ov = 0.1229V

Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET Fórmula Elementos

variables

Funciones

Voltaje efectivo

El voltaje efectivo o voltaje de sobreexcitación se denomina exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.

Símbolo: V_ov

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje efectivo

Corriente de drenaje de saturación

La corriente de drenaje de saturación se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.

Símbolo: i_ds

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje de saturación

Parámetro de transconductancia del proceso

El parámetro de transconductancia del proceso es el producto de la movilidad de los electrones en el canal y la capacitancia del óxido.

Símbolo: k'_n

Medición: Parámetro de transconductanciaUnidad: A/V²

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia del proceso

Ancho del canal

El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.

Símbolo: W_c

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho del canal

Longitud del canal

La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.

Símbolo: L

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Longitud del canal

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Características del amplificador de transistores

Ir Voltaje de drenaje instantáneo total

V d = V fc - R d \cdot i d

Ir Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

Ir Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

Ir Voltaje de entrada en transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

¿Cómo evaluar Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET?

El evaluador de Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET usa Effective Voltage = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal))) para evaluar Voltaje efectivo, El voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET es el voltaje aplicado a través de un dispositivo o sistema, teniendo en cuenta cualquier caída de voltaje a lo largo de la ruta del circuito. Voltaje efectivo se indica mediante el símbolo V_ov.

¿Cómo evaluar Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET, ingrese Corriente de drenaje de saturación (i_ds), Parámetro de transconductancia del proceso (k'_n), Ancho del canal (W_c) & Longitud del canal (L) y presione el botón calcular.

FAQs en Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET?

La fórmula de Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET se expresa como Effective Voltage = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal))). Aquí hay un ejemplo: 0.122949 = sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06))).

¿Cómo calcular Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET?

Con Corriente de drenaje de saturación (i_ds), Parámetro de transconductancia del proceso (k'_n), Ancho del canal (W_c) & Longitud del canal (L) podemos encontrar Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET usando la fórmula - Effective Voltage = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal))). Esta fórmula también utiliza funciones Raíz cuadrada (sqrt).

¿Puede el Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET ser negativo?

No, el Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET?

Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET.

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Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET Fórmula

Ejemplo de Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET

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