Voltaje de saturación de MOSFET Fórmula

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El voltaje de saturación de drenaje y fuente es el voltaje al que el FET ya no puede operar como un amplificador, y su voltaje de salida se fija en un valor máximo. Marque FAQs
Vds(s)=Vgs-Vth
Vds(s) - Voltaje de saturación de fuente y drenaje?Vgs - Voltaje puerta-fuente?Vth - Voltaje de umbral?

Ejemplo de Voltaje de saturación de MOSFET

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Voltaje de saturación de MOSFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Voltaje de saturación de MOSFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Voltaje de saturación de MOSFET.

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Voltaje de saturación de MOSFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Voltaje de saturación de MOSFET?

Primer paso Considere la fórmula
Vds(s)=Vgs-Vth
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Vds(s)=4V-2.3V
Próximo paso Prepárese para evaluar
Vds(s)=4-2.3
Último paso Evaluar
Vds(s)=1.7V

Voltaje de saturación de MOSFET Fórmula Elementos

variables
Voltaje de saturación de fuente y drenaje
El voltaje de saturación de drenaje y fuente es el voltaje al que el FET ya no puede operar como un amplificador, y su voltaje de salida se fija en un valor máximo.
Símbolo: Vds(s)
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje puerta-fuente
El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Símbolo: Vgs
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje de umbral
El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Símbolo: Vth
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Otras fórmulas en la categoría Voltaje

​Ir Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización
Avm=2Vdd-VeffVeff
​Ir Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes
Avm=Vdd-0.3Vt
​Ir Ganancia de voltaje dado voltaje de drenaje
Av=idRL2Veff
​Ir Ganancia de voltaje dada la resistencia de carga de MOSFET
Av=gm11RL+1Rout1+gmRs

¿Cómo evaluar Voltaje de saturación de MOSFET?

El evaluador de Voltaje de saturación de MOSFET usa Drain and Source Saturation Voltage = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral para evaluar Voltaje de saturación de fuente y drenaje, El voltaje de saturación del MOSFET es igual al voltaje efectivo o al voltaje de sobremarcha del MOSFET. También es igual a la diferencia de voltaje entre el óxido y el voltaje umbral. Voltaje de saturación de fuente y drenaje se indica mediante el símbolo Vds(s).

¿Cómo evaluar Voltaje de saturación de MOSFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Voltaje de saturación de MOSFET, ingrese Voltaje puerta-fuente (Vgs) & Voltaje de umbral (Vth) y presione el botón calcular.

FAQs en Voltaje de saturación de MOSFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Voltaje de saturación de MOSFET?
La fórmula de Voltaje de saturación de MOSFET se expresa como Drain and Source Saturation Voltage = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral. Aquí hay un ejemplo: 1.7 = 4-2.3.
¿Cómo calcular Voltaje de saturación de MOSFET?
Con Voltaje puerta-fuente (Vgs) & Voltaje de umbral (Vth) podemos encontrar Voltaje de saturación de MOSFET usando la fórmula - Drain and Source Saturation Voltage = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral.
¿Puede el Voltaje de saturación de MOSFET ser negativo?
No, el Voltaje de saturación de MOSFET, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Voltaje de saturación de MOSFET?
Voltaje de saturación de MOSFET generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Voltaje de saturación de MOSFET.
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