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Voltaje de saturación de IGBT Fórmula

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El voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) de un transistor bipolar de puerta aislada es la caída de voltaje a través del IGBT cuando está encendido y conduciendo corriente. Marque FAQs

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

V_{c-e(sat)(igbt)} - Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT)?V_{B-E(pnp)(igbt)} - Voltaje base emisor PNP IGBT?I_d(igbt) - Corriente de drenaje (IGBT)?R_s(igbt) - Resistencia a la conductividad IGBT?R_ch(igbt) - Resistencia del canal N (IGBT)?

Ejemplo de Voltaje de saturación de IGBT

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Voltaje de saturación de IGBT con Valores.

Así es como se ve la ecuación Voltaje de saturación de IGBT con unidades.

Así es como se ve la ecuación Voltaje de saturación de IGBT.

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

1222.25V = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Voltaje de saturación de IGBT Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Voltaje de saturación de IGBT?

Primer paso Considere la fórmula

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

Próximo paso Convertir unidades

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 0.105A \cdot (1030Ω + 10590Ω)

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15 + 0.105 \cdot (1030 + 10590)

Último paso Evaluar

∴

V c-e(sat)(igbt) = 1222.25V

Voltaje de saturación de IGBT Fórmula Elementos

variables

Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT)

El voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) de un transistor bipolar de puerta aislada es la caída de voltaje a través del IGBT cuando está encendido y conduciendo corriente.

Símbolo: V_{c-e(sat)(igbt)}

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT)

Voltaje base emisor PNP IGBT

Tensión Base Emisor PNP IGBT. Un IGBT es un dispositivo híbrido que combina las ventajas de un MOSFET y un BJT.

Símbolo: V_{B-E(pnp)(igbt)}

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje base emisor PNP IGBT

Corriente de drenaje (IGBT)

La corriente de drenaje (IGBT) es la corriente que fluye a través de la unión de drenaje del MOSFET y el IGBT.

Símbolo: I_d(igbt)

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente de drenaje (IGBT)

Resistencia a la conductividad IGBT

La resistencia de conductividad IGBT es la resistencia cuando un IGBT está encendido y conduce corriente.

Símbolo: R_s(igbt)

Medición: Resistencia electricaUnidad: kΩ

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Resistencia a la conductividad IGBT

Resistencia del canal N (IGBT)

La resistencia del canal N (IGBT) es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.

Símbolo: R_ch(igbt)

Medición: Resistencia electricaUnidad: kΩ

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Resistencia del canal N (IGBT)

Otras fórmulas en la categoría IGBT

Ir Caída de voltaje en IGBT en estado ON

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

Ir Tiempo de apagado del IGBT

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

Ir Corriente del emisor de IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

Ir Capacitancia de entrada de IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

¿Cómo evaluar Voltaje de saturación de IGBT?

El evaluador de Voltaje de saturación de IGBT usa Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Voltaje base emisor PNP IGBT+Corriente de drenaje (IGBT)*(Resistencia a la conductividad IGBT+Resistencia del canal N (IGBT)) para evaluar Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT), El voltaje de saturación de IGBT es la caída de voltaje en el dispositivo cuando está en estado "encendido" o conductor. Esta caída de voltaje se produce debido a las características inherentes del IGBT y normalmente es menor que la caída de voltaje a través de un transistor de unión bipolar (BJT) estándar. El voltaje de saturación de un IGBT está influenciado por varios factores, incluida la clasificación de corriente del IGBT, la temperatura y el modelo o fabricante específico. Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) se indica mediante el símbolo V_{c-e(sat)(igbt)}.

¿Cómo evaluar Voltaje de saturación de IGBT usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Voltaje de saturación de IGBT, ingrese Voltaje base emisor PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Corriente de drenaje (IGBT) (I_d(igbt)), Resistencia a la conductividad IGBT (R_s(igbt)) & Resistencia del canal N (IGBT) (R_ch(igbt)) y presione el botón calcular.

FAQs en Voltaje de saturación de IGBT

¿Cuál es la fórmula para encontrar Voltaje de saturación de IGBT?

La fórmula de Voltaje de saturación de IGBT se expresa como Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Voltaje base emisor PNP IGBT+Corriente de drenaje (IGBT)*(Resistencia a la conductividad IGBT+Resistencia del canal N (IGBT)). Aquí hay un ejemplo: 1.1E+6 = 2.15+105*(1.03+10590).

¿Cómo calcular Voltaje de saturación de IGBT?

Con Voltaje base emisor PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Corriente de drenaje (IGBT) (I_d(igbt)), Resistencia a la conductividad IGBT (R_s(igbt)) & Resistencia del canal N (IGBT) (R_ch(igbt)) podemos encontrar Voltaje de saturación de IGBT usando la fórmula - Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Voltaje base emisor PNP IGBT+Corriente de drenaje (IGBT)*(Resistencia a la conductividad IGBT+Resistencia del canal N (IGBT)).

¿Puede el Voltaje de saturación de IGBT ser negativo?

No, el Voltaje de saturación de IGBT, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Voltaje de saturación de IGBT?

Voltaje de saturación de IGBT generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Voltaje de saturación de IGBT.

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